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NMC-4000 MOVPE設(shè)備 MOVPE設(shè)備概述:MOVPE,也就是大名鼎鼎的MOCVD(金屬有機物化學(xué)氣相沉積), 針對InGaN及AlGaN沉積工藝所研發(fā)的臺式等離子輔助金屬有機化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)(PA-MOCVD),該系統(tǒng)具有加熱的氣體管路、5個鼓泡裝置(各帶獨立的冷卻槽)、950度樣品臺三個氣體環(huán)、PC全自動控制、淋浴式氣體分布的RF射頻等離子源以及工藝終端的N2沖洗、 250
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2025-01-23 |
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磁控濺射鍍膜機 NSC-3500(A)全自動磁控濺射系統(tǒng) NSC-3500(A)全自動磁控濺射系統(tǒng)概述:帶有水冷或者加熱(可加熱到700度)功能,可達(dá)到6旋轉(zhuǎn)平臺,支持到3個偏軸平面磁控管。系統(tǒng)配套渦輪分子泵,極限真空可達(dá)10-7Torr,15分鐘內(nèi)可以達(dá)到10-6Torr的真空。通過調(diào)整磁控管與基片之間的距離,可以獲得想要的均勻度和沉積速度。NSC-3500(A)帶有14”立方形不銹鋼腔體,3個2”
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2025-01-23 |
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脈沖激光沉積 NPD-4000(M)PLD脈沖激光沉積系統(tǒng) NPD-4000(M)PLD脈沖激光沉積系統(tǒng)機制:PLD的系統(tǒng)設(shè)備簡單,相反,它的原理卻是非常復(fù)雜的物理現(xiàn)象。它涉及高能量脈沖輻射沖擊固體靶時,激光與物質(zhì)之間的所有物理相互作用,亦包括等離子羽狀物的形成,其后已熔化的物質(zhì)通過等離子羽狀物到達(dá)已加熱的基片表面的轉(zhuǎn)移,及z后的膜生成過程。所以,PLD一般可以分為以下四個階
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2025-01-23 |
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PECVD設(shè)備 微波等離子化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 那諾-馬斯特 微波等離子化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)概述:NANO-MASTER PECVD系統(tǒng)能夠沉積高質(zhì)量的SiO2, Si3N4, 或DLC薄膜,至大可達(dá)6” 直徑的基片上,該系統(tǒng)采用淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源來產(chǎn)生等離子,具有分形氣流分布的優(yōu)勢,樣品臺可以通過RF或脈沖DC產(chǎn)生偏壓。并可以支持加熱和循環(huán)冷卻水的冷卻.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5 cfm的
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2025-01-23 |
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刻蝕設(shè)備 NRE-3500(A)全自動反應(yīng)離子刻蝕機 NRE-3500(A)全自動反應(yīng)離子刻蝕機概述:獨立式RIE反應(yīng)離子刻蝕系統(tǒng),淋浴頭氣體分布裝置以及水冷RF樣品.具有不銹鋼柜子以及13的上蓋式圓柱形鋁腔,便于晶圓片裝載.腔體有兩個端口:一個帶有2的視窗,另一個空置用于診斷.該系統(tǒng)可以支持至大到12的晶圓片。腔體為超凈設(shè)計,并且根據(jù)配套的真空泵可以達(dá)到10-6Torr 或更小的極限
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2025-01-23 |
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磁控濺射儀 NSC-4000Sputter磁控濺射鍍膜機 NSC-4000Sputter磁控濺射鍍膜機產(chǎn)品特點:不銹鋼,鋁質(zhì)腔體或鐘罩式耐熱玻璃腔70,250或500 l/s的渦輪分子泵,串接機械泵或干泵13.56MHz,300-600W RF射頻電源以及1KW DC直流電源晶振夾具具有的1 ?的厚度分辨率帶觀察視窗的腔門易于上下載片基于LabView軟件的PC計算機全自動控制帶密碼保護功能的多級訪問控制完全的安全聯(lián)鎖
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2025-01-23 |
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電子束蒸發(fā)鍍膜機 NEE-4000(A)全自動電子束蒸發(fā)系統(tǒng) NEE-4000(A)全自動電子束蒸發(fā)系統(tǒng)概述:NANO-MASTER NEE-4000電子束蒸發(fā)系統(tǒng)為雙腔體的配置,其中樣品臺位于主腔體內(nèi),二級腔體則用于安置電子束源。這種在兩個腔體之間帶有門閥的配置可以作為預(yù)真空鎖,使得電子束源腔體保持真空的情況下,實現(xiàn)基片通過主腔體放入基片到樣平臺(或夾具)上或從中取出。在需要自動裝/卸載基
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2025-01-23 |
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NIE-3000離子源清洗系統(tǒng) NIE-3000離子源清洗系統(tǒng)產(chǎn)品概述:該系統(tǒng)為手動放片取片,但通過計算機全自動實現(xiàn)工藝控制的臺式離子束刻蝕系統(tǒng),系統(tǒng)具有結(jié)構(gòu)緊湊、功能強大、自動化程度高、模塊化設(shè)計易于維護、低成本的優(yōu)勢。NIE-3000離子源清洗系統(tǒng)產(chǎn)品特點:低成本離子束:高達(dá)2KV/10mA離子電流密度100-360uA/cm2離子束直徑:4,5,6兼容反應(yīng)及非反應(yīng)氣
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2025-01-23 |