電子顯微鏡中觀察純鋁樣品電阻率測量試驗(yàn)

  在含有鎂的樣品的情況下，雜質(zhì)元素的影響定性地和在
銅的情況相同。差別在于開始表現(xiàn)出雜質(zhì)元素影響的臨界濃
度(在鎂的情況下臨界濃度較高)，以及在雜質(zhì)有效的濃度
范圍內(nèi)的抑制作用。對于一個給定雜質(zhì)元素濃度，在鎂的場
合此抑制作用是較強(qiáng)的.

  根據(jù)“低”濃度范圍(雜質(zhì)元素?zé)o影響)和“高”濃度
界面于是離開氣氛:雜質(zhì)就沒有影響了，其行為和很純的金
屬中一樣。但這個理論不能完全解釋在過渡區(qū)觀察到的現(xiàn)象
(

  在含有最高濃度雜質(zhì)元素的合金研究中，電阻率測量和
力學(xué)性能測定表明，在再結(jié)晶之前，在空位消失之后存在一
個回復(fù)階段.在電子顯微鏡中觀察金屬薄膜表明，這回復(fù)階
段對應(yīng)于冷加工狀態(tài)特征的疇結(jié)構(gòu)的完整性增加.測定了雜
質(zhì)對這種現(xiàn)象的影響，電阻率測量結(jié)果證明，在區(qū)熔提純鋁
中不存在回復(fù).于是因?yàn)闆]有回復(fù)的干擾，在這種金屬中研
究再結(jié)晶特別有意義。

  利用區(qū)熔提純鋁制備極低濃度合金，能說明某些涉及雜
質(zhì)對再結(jié)晶的影響的重要問題。而在工業(yè)高純鋁樣品的情形
中，必須考慮沉淀現(xiàn)象和所含大量雜質(zhì)間可能的相互作用，
這樣的研究將是特別復(fù)雜的。

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