測(cè)量型電子顯微鏡-晶圓表面結(jié)構(gòu)觀察

掃瞄式電子顯微鏡已逐漸廣泛地被應(yīng)用在先進(jìn)的超大型積體電路制造中之制程缺陷偵測(cè)。
尤其是當(dāng)元件尺寸越做越小，底層之傳導(dǎo)連線越容易在制程中斷線，半斷線，短路，

或漏電而于日后造成失效或可靠性不良之元件。此類缺陷大多無法于該制程完成后由晶圓表面測(cè)得，
傳統(tǒng)的光學(xué)晶圓表面的缺陷檢測(cè)技術(shù)已受到限制

掃瞄式電子顯微鏡缺陷檢測(cè)技術(shù)是目前唯一被應(yīng)用于量產(chǎn)的生產(chǎn)線上作為制程后底層電性缺陷的偵測(cè)工具。
其對(duì)積體電路的足夠靈敏度已使其漸成為先進(jìn)晶圓廠中確認(rèn)其制程成效的不可或缺的角色。

電子顯微鏡缺陷檢測(cè)技術(shù)可應(yīng)用其材料對(duì)比及高解析度成像而檢測(cè)出當(dāng)站制程之表面物理性缺陷，
此能力與傳統(tǒng)的光學(xué)缺陷檢測(cè)互有長(zhǎng)短，而通常是較優(yōu)。

而其不可被取代之主要特性為利用其有電壓對(duì)比成像之特性而能偵測(cè)得無法于晶圓表面上看到的積體電路內(nèi)之
異常的連結(jié)通路。