內(nèi)部檢查

  開封之后的內(nèi)部檢查可以用很多失效分析技術(shù)來進行。根據(jù)在封
裝中失效的可能位置、預(yù)期失效點的大小和其它因素來選擇這些技術(shù)。

  用于內(nèi)部檢查的失效分析技術(shù)包括光學顯微技術(shù)、電子顯微技術(shù)、
紅外顯微技術(shù)和X 射線熒光（XRF ）光譜技術(shù)。

  選擇性剝層有些缺陷，如過電應(yīng)力或者絕緣層上的針孔，可能導
致電路發(fā)生短路。它們可能位于表面下方而不可見。這就需要對半導
體器件結(jié)構(gòu)中不同成分的層分別進行去除。有兩種常用的剝層方法，
濕法刻蝕和干法刻蝕

  氧化層和金屬化層通常用濕法化學刻蝕來去除。氮化物鈍化層用
氟基離子體或氮離子進行刻蝕。

(本文由上海光學儀器廠編輯整理提供, 未經(jīng)允許禁止復(fù)制,轉(zhuǎn)載須注明網(wǎng)址http://www.sgaaa.com)