半導(dǎo)體( semiconductor)，指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。

半導(dǎo)體按照制造技術(shù)可以分為：集成電路器件、分立器件、光電半導(dǎo)體、邏輯IC、模擬IC、儲(chǔ)存器等大類(lèi)。什么是芯片

芯片，又稱(chēng)微電路（microcircuit）、微芯片（microchip）、集成電路（integrated circuit, IC）。是指內(nèi)含集成電路的硅片，體積很小，常常是計(jì)算機(jī)或其他電子設(shè)備的一部分。制造工藝流程

注：CMP即化學(xué)機(jī)械拋光  *圖片來(lái)源自網(wǎng)絡(luò)光刻和刻蝕

光刻是將圖形轉(zhuǎn)移到覆蓋在半導(dǎo)體硅片表面的光刻膠上的過(guò)程。這些圖形必須再轉(zhuǎn)移到光刻膠下面組成器件的各薄層上，這一工藝過(guò)程我們稱(chēng)之為刻蝕，即選擇性地刻蝕掉該薄層上未被掩蔽地部分。刻蝕的方法

刻蝕有兩種基本方法：濕法化學(xué)刻蝕和干法刻蝕。

濕法化學(xué)刻蝕的機(jī)理主要包括三個(gè)階段：反應(yīng)物通過(guò)擴(kuò)散到反應(yīng)物表面，化學(xué)反應(yīng)在表面上進(jìn)行，然后通過(guò)擴(kuò)散將反應(yīng)生成物從表面移除。濕法化學(xué)刻蝕較為適用于多晶硅、氧化物、氮化物、金屬和Ⅲ-Ⅴ族化合物地表面刻蝕。

近紅外光譜技術(shù)因其以下特有的優(yōu)勢(shì)在半導(dǎo)體行業(yè)有著廣泛的應(yīng)用。非侵入式的方法防止的微小的污染準(zhǔn)確性高，重現(xiàn)性好無(wú)需稀釋樣品可以定量分析既能做化學(xué)分析又能做物理指標(biāo)含有特制光纖探頭的在線近紅外光譜儀可以集成到整個(gè)系統(tǒng)中

?  應(yīng)用案例一：使用近紅外光譜儀測(cè)定混酸刻蝕液

分別選用1mm和4mm光程的比色皿測(cè)得譜圖如下，通過(guò)觀察光譜可以發(fā)現(xiàn)從1900nm開(kāi)始4mm光程的比色皿光譜噪聲開(kāi)始增加，因此我們選用1mm光程比色皿進(jìn)行測(cè)定。

通過(guò)Vision軟件建模，并測(cè)定的混酸刻蝕液各組分含量與實(shí)驗(yàn)室常規(guī)方法分析的數(shù)值如下表所示，可以看到近紅外的預(yù)測(cè)結(jié)果與實(shí)驗(yàn)室方法基本一致，誤差很小。

? 應(yīng)用案例二：使用在線近紅外光譜儀測(cè)定清洗液

如下圖為使用瑞士萬(wàn)通在線近紅外光譜儀連續(xù)監(jiān)控客戶的SC1清洗液狀態(tài)。我們可以看到隨著清洗液的消耗，NH4OH的含量逐漸降低，客戶可以根據(jù)監(jiān)控的情況操作清洗流程。

?   應(yīng)用案例三：使用在線近紅外光譜儀動(dòng)態(tài)監(jiān)測(cè)IPA異丙醇

IPA異丙醇作為清洗去除劑，在清洗的過(guò)程中會(huì)有雜質(zhì)混入該溶劑。它的近紅外光譜如下圖，在1900~2000nm波長(zhǎng)范圍內(nèi)，明顯可見(jiàn)雜質(zhì)EKC-265對(duì)譜圖的影響。

我們利用該波段建立EKC-265的近紅外模型，可以看到模型的R2達(dá)9.9989，SEC為0.0629。利用該模型我們就可以即可監(jiān)控異丙醇中的雜質(zhì)含量的變化。

瑞士萬(wàn)通DS2500 近紅外光譜液體分析儀及配件

瑞士萬(wàn)通XDS在線近紅外光譜分析儀

無(wú)損光譜技術(shù)波長(zhǎng)范圍800-2200nm，可實(shí)現(xiàn)廣泛的應(yīng)用可實(shí)時(shí)進(jìn)行定性分析、多組分定量分析與趨勢(shì)分析儀器符合NEMA4X防護(hù)等級(jí)無(wú)需化學(xué)試劑，綠色環(huán)保節(jié)約成本特氟龍材質(zhì)流通池