1。在摻雜區(qū)域之間沉積金屬觸點。

2．將晶片切割成單獨的“方塊”(集成電路塊)。

3．將方塊組裝到封裝外殼上。

4．從封裝外殼導(dǎo)頭引線連接到方塊元件的金屬觸點。

5．密封封裝外殼。

6．固定封裝體，得到電子系統(tǒng)中的集成電路芯片(IC)。

金屬的互連為硅晶片的電氣隔離的活動區(qū)之間提供了連接的通路。
這些通路是由氧化物的選擇去除與隨后的金屬覆蓋物(經(jīng)常是鋁)的沉積
而造成的。該金屬可以通過從熱源的濺射直接沉積而獲得。

在完成了幾個周期的氧化、模板屏蔽、浸蝕、摻雜、擴散以及金屬
互連的形成等工藝之后，單獨的器件，或“方塊”(小集成電路塊)被分
割開，并組裝于合適的封裝外殼上。由于裝配工作難以實現(xiàn)完全的自動
化，所以它在最終設(shè)備的成本中占據(jù)有重要的部分。

沿著特定的晶體學(xué)方向所劃的線將晶片斷開，使小集成電路塊相互
分開。在下一步被稱為芯片焊接的工藝中，使用與銀混合的近共晶成份
焊料或聚合物(典型的為環(huán)氧樹脂或聚酰亞胺)將芯片連接到封裝外殼上
，混入銀是為為了增大導(dǎo)電性。而一般而言，共晶的焊料用于陶瓷的封
裝外殼，而環(huán)氧樹脂則用于塑料的封裝外殼。陶瓷的封裝外殼(典型的
為氧化鋁、或有時是碳化硅與氮化鋁)可靠性更高，因此也更適用于高
性能的器件。當(dāng)成本為主要因素時，可考慮使用塑料封裝外殼，它們可
以用本章前面部分所描述過的注射成形的方法廉價地得到。封裝外殼必
須滿足的功能有：抵抗機械與環(huán)境損傷、提供與外通的電連接、散熱、
適合于檢查與修復(fù)。

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