所屬類別： ? 專用實(shí)驗(yàn)設(shè)備 ? 磁學(xué)測(cè)量

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

磁光克爾效應(yīng)測(cè)量系統(tǒng)

市場(chǎng)上配置最靈活的磁光克爾效應(yīng)測(cè)量系統(tǒng)u-MOKE

當(dāng)聚焦激光束照射磁性材料（主要是磁性薄膜）時(shí)，因縱向磁光克爾效應(yīng)和極向磁光克爾效應(yīng)會(huì)造成激光偏振態(tài)變化（克爾偏轉(zhuǎn)角變化），磁光克爾效應(yīng)測(cè)量系統(tǒng)u-MOKE就是一套精確測(cè)量克爾偏轉(zhuǎn)角變化的設(shè)備。

磁光克爾效應(yīng)測(cè)量系統(tǒng)u-MOKE通過裝備的極向/面內(nèi)磁體產(chǎn)生磁場(chǎng)測(cè)量偏振態(tài)的變化，可以測(cè)量分析磁性材料um量級(jí)局部區(qū)域的磁學(xué)特性。

磁光克爾測(cè)量裝置，MOKE，NanoMOKE，極向克爾效應(yīng)，縱向克爾效應(yīng)，橫向克爾效應(yīng)，表面磁光克爾效應(yīng)，克爾磁光效應(yīng),磁疇測(cè)量，磁滯回線測(cè)量，材料磁性測(cè)量

應(yīng)用：

n 基于極向克爾效應(yīng)與縱向克爾效應(yīng)的微觀局部磁性分析

n 適用于磁象和磁性薄膜的um尺寸靈敏度分析

n 主要參數(shù)：
光源：半導(dǎo)體激光器（典型405nm）

n 光斑直徑：縱向測(cè)量：約5um

極向測(cè)量：約2um

n 探測(cè)靈敏度：±0.005°

n 探測(cè)范圍：±1°

n 磁場(chǎng)：極向磁體： ±10kOe

面內(nèi)磁體可選

測(cè)量項(xiàng)目：

磁滯回線：X軸：外加磁場(chǎng)H

Y軸：克爾信號(hào)θk

獲得關(guān)鍵值（from磁滯回線）：矯頑力Hc

各項(xiàng)異性場(chǎng)Hk

反向磁化Hn

飽和磁場(chǎng)Hs

剩余磁化強(qiáng)度θr

飽和磁化強(qiáng)度θs

同類產(chǎn)品系列：

高靈敏度磁光克爾效應(yīng)測(cè)量系統(tǒng)靈敏度0.001°

時(shí)間分辨磁光克爾效應(yīng)測(cè)量系統(tǒng)時(shí)間分辨率50ps

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