RTP普克爾盒是適合高重復頻率激光應用的RTP電光Q開關和RTP電光調(diào)制器,它采用了美國fastpulse公司1147系列RTP晶體,兼具KD*P和LiNb03兩種晶體材料的優(yōu)點，并具有獨特優(yōu)勢無壓電效應產(chǎn)生，適合高重復頻率應用（Z大100KHz）。美國fastpulse公司1147是高重復頻率光電調(diào)制器和Q開關的良好選擇,是Z佳的RTP電光Q開關和RTP電光調(diào)制器。 詳情介紹

RTP普克爾盒是適合高重復頻率激光應用的RTP電光Q開關和RTP電光調(diào)制器,它采用了美國fastpulse公司1147系列RTP晶體,兼具KD*P和LiNb03兩種晶體材料的優(yōu)點，并具有獨特優(yōu)勢無壓電效應產(chǎn)生，適合高重復頻率應用（zui大100KHz）。美國fastpulse公司RTP普克爾盒1147是高重復頻率光電調(diào)制器和Q開關的良好選擇,是zui佳的RTP電光Q開關和RTP電光調(diào)制器。
RTP普克爾盒,又稱RTP電光Q開關，有效光學波長范圍為350-4300nm. 400-1100nm波段的透過率在鍍增透膜后可達98.5％，目前我們標準的鍍膜是1064nm和700-900nm,其他波段的鍍膜也可根據(jù)用戶要求提供。
和RTP電光Q開關的消光比在633nm時測得的數(shù)值是200：1，波長畸變小于1/8波長。RTP電光調(diào)制器在較寬的溫度范圍內(nèi)表現(xiàn)出優(yōu)異的熱穩(wěn)定性，RTP電光Q開關電光系數(shù)在10-50攝氏度的范圍內(nèi)受溫度影響很小。RTP電光調(diào)制器的激光損傷閾值大約為850MW/cm2 @10ns, 1064nm.對于激光脈沖的拾取/脈沖選通應用而言，對于脈寬小于100皮秒的激光脈沖，損傷閾值大約為10GW/cm2.
我們提供的和RTP電光Q開關的工作電壓與相同孔徑的KD*P和BBO普克爾的電壓稍低。
RTP普克爾參數(shù)型號1147-41147-61147-8孔徑/直徑, mm3.55.57.5半波延遲電壓,V @633nm
  @800nm
  @1064nm800
1100
16001200
1650
24001800
2475
3600晶體材料RTP透過率 98％ 400-1064nm消光比(全孔徑) 200:1@633nm上升時間, 皮秒 350電容，pf 5峰值損傷閾值850MW/cm2  10ns,  10GW/cm2. 100ps @400-1300nm

 

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