橢偏儀/橢圓偏振儀 橢偏儀/橢圓偏振儀是一種用于探測(cè)薄膜厚度、光學(xué)常數(shù)以及材料微結(jié)構(gòu)的光學(xué)測(cè)量?jī)x器。由于測(cè)量精度高，適用于超薄膜，與樣品非接觸，對(duì)樣品沒(méi)有破壞且不需要真空，使得橢偏儀成為一種極具吸引力的測(cè)量?jī)x器。橢偏儀/橢圓偏振儀現(xiàn)在已被廣泛應(yīng)用于材料、物理、化學(xué)、生物、醫(yī)藥等領(lǐng)域的研究、開(kāi)發(fā)和制造過(guò)程中?？蓽y(cè)材料：半導(dǎo)體、介電材料、有機(jī)高分子聚合物、金屬氧化物、多層膜物質(zhì)和石墨烯等等。 精品推薦
品牌： 上海致東 型號(hào)： OLED、TFT-LCD、Touch Panel 產(chǎn)地：上海 供應(yīng)商：致東光電科技（上海）有限公司

針對(duì)HIT（異質(zhì)結(jié)）太陽(yáng)能電池片加以客制化定制量測(cè)ITO，n+aSi，aSi，膜厚以及（n，k），反射率（R%）以及穿透率（T%),4PP... SR , R% (Spectroscopic Reflectometer) SE (Spectroscopic Ellipsmeter) 4PP ,Ω/cm2（Four Point Probe） ST，T%（Spectroscopic Transmittance)

品牌： 上海致東 型號(hào)： SR-PV-1400x1200 產(chǎn)地：上海 供應(yīng)商：致東光電科技（上海）有限公司

由橢圓儀校正 量測(cè)色度坐標(biāo) 量測(cè)時(shí)間1-3s ，精確度高 國(guó)內(nèi)自行研發(fā)，價(jià)格合理 量測(cè)膜厚（N.K)值 .量測(cè)穿透率（T%）.反射率（R%） FFT for very thick layer (up to 50 um)

品牌： 上海孚光精儀 型號(hào)： FR-Prob 產(chǎn)地：德國(guó) 供應(yīng)商：孚光精儀（香港）有限公司

這款薄膜厚度測(cè)量系統(tǒng)平臺(tái)是一種模塊化設(shè)計(jì)的薄膜厚度測(cè)量?jī)x，可靈活擴(kuò)展成精密的薄膜測(cè)量?jī)x器，可在此基礎(chǔ)上衍生出多種基于白光反射光譜技術(shù)的薄膜厚度測(cè)試儀，比如標(biāo)準(zhǔn)吸收/透過(guò)率，反射率的測(cè)量，薄膜的測(cè)量，薄膜溫度和厚度的測(cè)量。這個(gè)薄膜厚度測(cè)量系統(tǒng)由如下5個(gè)模塊組成：核心模塊----光譜儀；外殼模塊----各種精密精美的儀器外殼；工作面積模塊----測(cè)量工作區(qū)域；光纖模塊----根據(jù)不同測(cè)量任務(wù)配備各種光纖附件；測(cè)量室-/環(huán)境罩---給測(cè)量帶去超凈工作區(qū)域。薄膜厚度測(cè)量?jī)x核心模塊---光譜儀我們提供多種光譜儀類(lèi)型，不同光譜范圍和光源，薄膜厚度測(cè)量?jī)x滿足各種測(cè)量應(yīng)用

品牌： 美國(guó)Film Sense 型號(hào)： FS-1? 產(chǎn)地：美國(guó) 供應(yīng)商：優(yōu)尼康科技有限公司

Film Sense FS-1?多波長(zhǎng)橢偏儀采用壽命長(zhǎng) LED 光源和非移動(dòng) 式部件橢偏探測(cè)器，可在操作簡(jiǎn)單的緊湊型橢偏儀中實(shí)現(xiàn)快速和可 靠地薄膜測(cè)量。大多數(shù)厚度 0–1000 nm 的透明薄膜只需要簡(jiǎn)單的 1 秒測(cè)量，就 可以獲得非常精密和準(zhǔn)確的數(shù)據(jù)。

品牌： 法國(guó)HORIBA JY 型號(hào)： AutoSE 產(chǎn)地：法國(guó) 供應(yīng)商：優(yōu)尼康科技有限公司

全自動(dòng)化 高集成度 可視化光斑 操作簡(jiǎn)單，測(cè)試快速，為一般操作工人設(shè)計(jì) 新型的全自動(dòng)薄膜測(cè)量分析工具可在幾秒鐘內(nèi)完成全自動(dòng)測(cè)量和分析，并輸出分析報(bào)告。是用于快速薄膜測(cè)量和器件質(zhì)量控制理想的解決方案。

品牌： 美國(guó)Gaertner 型號(hào)： Model LSE-2A2W, LSE 產(chǎn)地：美國(guó) 供應(yīng)商：賽倫科技（北京）有限責(zé)任公司

high speed film thickness system measures routinely in less than a second! Tilt-free, focus free, hands-off operation for similar wafers. Fastest possible instrument for thin film measurement.

品牌： 美國(guó)Angstrom Sun 型號(hào)： SE200BM/SE300BM/SE450BM/SE500BM 產(chǎn)地：美國(guó) 供應(yīng)商：賽倫科技（北京）有限責(zé)任公司

美國(guó)賽倫科技為AST在中國(guó)地區(qū)的授權(quán)總銷(xiāo)售服務(wù)商，賽倫科技在上海，北京分別設(shè)有辦事處。美國(guó)AST (Angstrom Sun Technologies Inc)是世界主要針對(duì)科研單位提供：spectroscopic ellipsometer (SE), spectroscopic reflectometer (SR) and Microspectrophotometer (MSP)的知名供應(yīng)商?？蛻舯椴既蛑饕蒲写髮W(xué)及主要半導(dǎo)體廠商：NISTISMINASAJPLMarshall Space CenterAir ForceMITColumbia UniversityUC BerkeleyGeorgia TechUniversity of VirginiaUSTC,China...Bell LaboratoriesHPGELockheed MartinCorningApplied MaterialsFirst SolarDow ChemicalSamsungTexas InstrumentsNational Semiconductor...美國(guó)賽倫科技上海辦事處吳惟雨/Caven Wu Cell:13817915874QQ：185795008 caven.wu@saratogatek.com上海市黃浦區(qū)陸家浜路1378號(hào)萬(wàn)事利大廈1102室200011產(chǎn)品總述: Functions SpectroscopicReflectometer (SR)Microspectrophotometer (MSP) SpectroscopicEllipsometer (SE) Wavelength Range 190 to 1700 (or 2300) nm 190 to 1700 (or 2300) nm 190 nm to 30 m Measurable Parameters Film Thickness 20 to 250m 20 to 50m 10 to 10m Optical Constants N K N K N K R/T/A Yes Yes Geometry Yes Digital Imaging Yes Main Features Low Cost, Fast Measurement, Wide Dynamic Range Down to 5 um Spot Size on any Patterned Structure Complicated Layer Stack Options Wavelength Extension, Mapping Stage, Heating/Cooling Stage Unique Options Large Spot Set up for In-Line Metrology Applications Raman Fluorescence Add-on Set-ups and optional smaller spot size 簡(jiǎn)介: Spectroscopic ellipsometry (SE) is a powerful technique to precisely measure thin film thickness, determine optical constants, investigate surface and interface phenomenon and many other physical, chemical and optical properties of materials. Angstrom Sun Technologies Inc designs and manufactures high quality spectroscopic ellipsometer systems with various options for different applications. Besides ellipsometer system itself, the advanced analysis software is essential to extract the desired information as above-mentioned, such as thickness, roughness, alloy concentration and dielectric constants. TFProbe 3.0from us offers powerful analysis functions for ellipsometry sensitivity study, photometry / ellipsometry simulation and data regression. Unique but configurable mode allows different users to access different level and suitable for both R D and production quality control purpose. Models are specified based on wavelength ranges for different applications. The following graph shows available models for standard configurations. In addition, Model 500 simply covers a range of both Model 100 and 400. Customized products are available with wavelength range extension further down to DUV or Infrared (IR) ranges. Normally: Model 100 covers a wavelength range from DUV to NIR range up to 1100nm. Model 200 covers DUV and Visible range. Model 300 covers Visible range, starting from 370nm to 850nm Model 400 covers NIR range starting from 900nm typically Model 450 covers Vis to NIR range, starting from 370nm up to 1700nm typically Model 500 covers DUV to NIR range, up to 2500nm Model 600 covers NIR to IR range (1.7um to 17um or 1.7um to 30um) Wavelength range coverage depends on several factors such as light source, detectors, optics used in system, light delivery method (using fibers or not). Because of these factors, all tools can be customized based on specific application. For example, NIR range can be covered up to 1700nm or 2200nm or 2500nm etc. DUV range can be down to 190 nm.一。SE橢偏儀主要型號(hào) ==================================Model SE300BM, 400-1100nm, no mapping, Model SE200BM, 250-1100nm, no mappingModel SE450BM, 400-1700nm, no mappingModel SE500BM, 190-1700nm, no mapping6" stage mapping, adds $20K. 8" stage mapping, adds $22K. ==================================== 設(shè)備型號(hào)說(shuō)明: Example Model: SE200BA-M300 SE: Spectroscopic Ellipsometer 200: Indicates B: Detecting Type A: Scanning monochromator with single element detector B: Array Type detector with spectrograph or interferometer A: Variable Incident Angle Type A: Automatic variable angle with precision Goniometer and computer controlled M: Manually adjustable incident angle at 5 degree interval M: Mapping Stage 300: Maximum mapping sample sizeOptions: Wavelength Extension to VUV or IR Range Stage Size Probing beam Spot size Photometry Heating/Cooling Stage Mapping stage in X-Y or Rho-ThetaApplications: Semiconductor fabrication (PR, Oxide, Nitride..) Liquid crystal display (ITO, PR, Cell gap…..) Biological films and materials Optical coatings, TiO2, SiO2, Ta2O5….. Semiconductor compounds Functional films in MEMS/MOEMS Amorphous, nano and crystalline Si Solar Cell Industry Medical device fabricationBackground on Ellipsometry: There are many techniques for characterizing materials, each having its own advantages and disadvantages and each being uniquely able to reveal material properties that other techniques can't access. Spectroscopic ellipsometry (SE) is an optical technique that is particularly flexible in that it can be used to determine the optical and physical properties of a wide variety of thin-film materials. Its ability to do this without contact or damage to the material of interest has seen it become routinely used in R D laboratories and within manufacturing facilities for monitoring thin film growth and deposition processes. SE relies on the determination of the polarization state of a beam of polarized light reflected from the sample under characterization. When performing SE measurements, the polarization state is determined at many discrete wavelengths over a broad wavelength range. The change in the polarization state can be traced to the physical properties of the thin film by means of a model. Characteristics such as layer thickness, surface roughness, refractive index (n) and extinction coefficient (k) of the materials can be determined with excellent precision through regression analysis. The instrument determines two ellipsometry angles Ψ and Δ, which describe the change in the polarization state of the beam upon reflection from the sample. The ratio of the amplitude of the polarization within the plane of incidence (P) to the amplitude of the polarization perpendicular to the plane of incidence (S) is represented by Ψ. The phase retardation between the two polarization vectors P and S is represented by Δ. Changes in Δ and Ψ essentially depend upon the optical constants, n and k, of the layer materials and substrate, physical thickness of the individual layers and surface roughness. A regression analysis allows the determination of these parameters. SE data for Δ and Ψ are obtained at a number of incident angles in a plane normal to the sample surface and typically at 100-200 different wavelengths for each angle. SE instruments use a white light source and individual wavelengths are selected for detection by either a motor driven monochromator, or a multi-channel detector that can detect many wavelengths simultaneously. Increasing the number of angles and wavelengths at which data are acquired improves analysis precision, especially for complicated epitaxial structures. Note:1. System configuration and Specifications subject to change without notice2. * Film property, surface quality and layer stack dependent3. Customized system available for special applications4. TFProbe is registered trademark of Angstrom Sun Technologies Inc. 二.Microspectrophotometer(微光斑薄膜測(cè)試儀)MSP100 Microspectrophotometer and Film Thickness Measurement SystemFeaturesSystem ConfigurationsSpecificationsOptionsApplications Application ExamplesFeatures:Easy to operate with Window based software Advanced DUV optics and rugged design for highest uptime and the best system performance Array based detector system to ensure fast measurement Affordable, portable and small footprint table top design Measure film thickness and Refractive Index up to 5 layers over micron size region Allow to acquire reflection, transmission and absorption spectra in milliseconds Capable to be used for real time spectra, thickness, refractive index monitoring System comes with comprehensive optical constants database and library Advanced Software allows user to use either NK table, dispersion or composite model (EMA) for each individual film Integrated Vision, spectrum, simulation, film thickness measurement system Apply to many different type of substrates with different thickness up to 200mm size Deep ultraviolet light allows to measure film thickness down to 20 2D and 3D output graphics and user friendly data management interface Advanced Imaging software for dimension measurement such as angle, distance, area, particle counting and more Various options available to meet special applicationsSystem Configuration:Model: MSP100RTM Detector: CCD Array with 2048 pixels Light Source: High power DUV-Visible Automatic Stage: Black Anodized Aluminum Alloy with 5”x3” net travel distance and 1m resolution, program controlled Motorized Z focus drive and X-Y-Z joystick Long Working Distance Objectives: 4x, 10x, 15x(DUV), 50x Communication: USB Measurement Type: Reflection/Transmission spectra, Film thickness/refractive index and feature dimensions Computer: Intel Core 2 Duo Processor with 200GB Hard drive and DVD+RW Burner plus 19” LCD Monitor Power: 110 240 VAC /50-60Hz, 3 A Dimension: 16’x16’x18’ (Table top setup) Weight: 120 lbs total Warranty: One year labor and partsSpecifications: Wavelength range: 250 to 1000 nm Wavelength Resolution: 1nm Spot Size: 100m (4x), 40m (10x), 30m (15x), 8m (50x) Substrate Size: up to 20mm thick Measurable thickness range*: 20 to 25 m Measurement Time: 2 ms minimum Accuracy*: better than 0.5% (comparing with ellipsometry results for Thermal Oxide sample by using the same optical constants) Repeatability*: 2 (1 sigma from 50 thickness readings for 1500 Thermal SiO2 on Si Wafer)Options: TopWavelength extension to to Further DUV or NIR range Higher power DUV optics for smaller spot size Customized configuration for special applications Heating and Cooling Stage for dynamic study Optional stage size holding samples up to 300mm Higher wavelength range resolution down to 0.1nm Various filters for special applications Add-on accessories for fluorescence measurement Add-on accessories for Raman applications Add-on accessories for polarizing applicationsApplications: TopSemiconductor fabrication (PR, Oxide, Nitride..) Liquid crystal display (ITO, PR, Cell gap…..) Forensics, Biological films and materials Inks, Mineralogy, Pigments, Toners Pharmaceuticals, Medial Devices Optical coatings, TiO2, SiO2, Ta2O5….. Semiconductor compounds Functional films in MEMS/MOEMS Amorphous, nano and crystalline SiApplication Examples: Top1. Measured Transmission Spectra from Three Filters 2. Measured Film Thickness 3. Measured Reflection Spectrum over a MEMS Mirror 4. Mapped Thickness Uniformity over 4" wafer Note:1. System configuration and Specifications subject to change without notice 2. * Film property, surface quality and layer stack dependent 3. Customized system available for special applications 4. TFProbe is registered trademark of Angstrom Sun Technologies Inc. 三. SR薄膜反射儀SRM300 Film Thickness Mapping SystemFeaturesSystem ConfigurationsSpecificationsOptionsApplications Application ExamplesMore InformationFeatures: Film Thickness Measurement - SRM300 Film Thickness Gauge When you need an accurate thin film thickness measurement our SRM300 allows you to map film thickness and refractive index up to 5 layers thick. No need to worry about complicated equipment since the SRM300 is easy to setup and operate. It uses Windows based software, so most people are already familiar with the look and feel of the operating system. This film thickness gauge can handle various types of geometry substrate up to 300mm in diameter and various types of mapping patterns such as linear, polar, square or even arbitrary coordinates. The array based detector system ensures the fastest film thickness measurement. With its advanced optics and rugged design you can always be sure to get the best system performance. Easy to set up and operate with Window based software Various types of geometry substrate up to 300mm in diameter Various types of mapping pattern such as linear, polar, square or arbitrary coordinates Advanced optics and rugged design for best system performance Array based detector system to ensure fast measurement Map film thickness and Refractive Index up to 5 layers System comes with comprehensive optical constants database and library Include commonly used recipes Advanced TFProbe Software allows user to use either NK table, dispersion or effective media approximation (EMA) for each individual film. Upgradeable to MSP (Microspectrophotometer) mapping system with pattern recognition, or Large Spot for mapping over patterned or featured structure (with Zonerage Model) Apply to many different type of substrates with different thickness 2D and 3D output graphics and user friendly data management interface with statistical resultsSystem Configuration:Model: SRM300-300 Detector: CCD Array with 2048 pixels Light Source: DC regulated Tungsten-Halogen Light Delivery: Optics Stage1: Black Anodized Aluminum Alloy Vacuum chuck holds 200 mm wafer Communication: USB RS232 Software: TFProbe 2.2M Measurement Type: Film thickness, reflection spectrum, refractive index Computer: Intel Core 2 Duo Processor with 200GB Hard drive and DVD+RW Burner plus 19” LCD Monitor Power: 110 240 VAC /50-60Hz, 3 A Dimension: 14”(W) x 20”(D) x 14”(H) Weight: 100 lbs Warranty: One year labor and partsSpecifications: Wavelength range: 400 to 1050 nm Spot Size: 500 m to 5mm Sample Size: 300 mm in diameter Substrate Size: up to 50mm thick Number of Layers*: Up to 5 films Measurable thickness range*: 50 nm to 50 m Measurement Time: 2ms - 1s /site typical Positional Repeatability: ~1 m Accuracy*: better than 0.5% (comparing with ellipsometry results for Thermal Oxide sample by using the same optical constants) Repeatability*: 2 (1 sigma from 50 thickness readings at center for 1500 Thermal SiO2 on Si Wafer)Options: Top Additional Models with Wavelength Extension to DUV or NIR Range: SRM100: 250nm - 1000nm SRM400: 900nm - 1700nm SRM500: 400nm - 1700nm Other Sample Size: 200mm wafer (SRM300-200) Customized size: Available Large Spot Accessories for featured structure measurement Small spot accessories for highly non uniform samplesApplications: TopSemiconductor fabrication (PR, Oxide, Nitride..) Liquid crystal display (ITO, PR, Cell gap…..) Biological films and materials Optical coatings, TiO2, SiO2, Ta2O5….. Semiconductor compounds Functional films in MEMS/MOEMS Amorphous, nano and crystalline SiApplication Examples: Top1. 2D thicknesses plot for Nitride layer in a three layer stack (Nitride-Oxide-Nitride on Glass) 2. 2D contour plot for Nitride layer in a three layer stack (Nitride-Oxide-Nitride on Glass) Note:1. System configuration and Specifications subject to change without notice 2. * Film property, surface quality and layer stack dependent 3. Customized system available for special applications 4. TFProbe is registered trademark of Angstrom Sun Technologies Inc. 美國(guó)賽倫科技上海辦事處 吳惟雨/Caven Wu Cell:13817915874 QQ：185795008 caven.wu@saratogatek.com 上海市黃浦區(qū)陸家浜路1378號(hào)萬(wàn)事利大廈1102室 200011

品牌： 天津拓普 型號(hào)： TPY-1 型 產(chǎn)地： 供應(yīng)商：天津市拓普儀器有限公司

儀器簡(jiǎn)介：在近代科學(xué)技術(shù)的許多領(lǐng)域中對(duì)各種薄膜的研究和應(yīng)用日益廣泛。因此，更加精確和迅速的測(cè)定給定薄膜的光學(xué)參數(shù)已變得更加迫切和重要。在實(shí)際工作中可以利用各種傳統(tǒng)的方法測(cè)定光學(xué)參數(shù)，如：布儒斯特角法測(cè)介質(zhì)膜的折射率，干涉法測(cè)膜厚，其它測(cè)膜厚的方法還有稱重法、X射線法、電容法、橢偏法等。由于橢圓偏振法具有靈敏度高、精度高、非破壞性測(cè)量等優(yōu)點(diǎn)，因而，橢圓偏振法測(cè)量已在光學(xué)、半導(dǎo)體、生物、醫(yī)學(xué)等諸多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。技術(shù)參數(shù)：規(guī)格與主要技術(shù)指標(biāo)： 測(cè)量范圍：薄膜厚度范圍：1nm-300nm； 折射率范圍：1-10 測(cè)量最小示值：≤1nm 入射光波長(zhǎng)：632.8nm 光學(xué)中心高：80mm 允許樣品尺寸：φ10-φ140mm，厚度≤16mm 偏振器方位角范圍：0°- 180°讀取分辨率為0.05° 測(cè)量膜厚和折射率重復(fù)性精度分別為：±1nm和±0.01 主機(jī)重量：25kg 入射角連續(xù)調(diào)節(jié)范圍：20°- 90°精度為0.05°主要特點(diǎn)：儀器采用消光法自動(dòng)測(cè)量薄膜厚度和折射率，具有精度高、靈敏度高以及方便測(cè)量等特點(diǎn)； 光源采用氦氖激光器，功率穩(wěn)定、波長(zhǎng)精度高； 儀器配有生成表、查表以及精確計(jì)算等軟件，方便用戶使用。

品牌： 天津拓普 型號(hào)： TPY-2型 產(chǎn)地： 供應(yīng)商：天津市拓普儀器有限公司

儀器簡(jiǎn)介：產(chǎn)品特點(diǎn)： 儀器采用消光法自動(dòng)測(cè)量薄膜厚度和折射率，具有精度高、靈敏度高以及自動(dòng)控制等特點(diǎn)。光源采用氦氖激光器，功率穩(wěn)定波長(zhǎng)精度高。 儀器采用USB接口與電腦連接，配套軟件功能齊全，具有多樣數(shù)據(jù)采集及處理方式，適用于不同用戶的需要。技術(shù)參數(shù)：規(guī)格與主要技術(shù)指標(biāo)： 測(cè)量范圍：1nm-4000nm 折射率范圍：1-10 測(cè)量最小值：≤1nm 入射角：20°- 90°精度≤0.05° 度盤(pán)刻度：每格1度 允許樣品尺寸：φ10-φ140mm，厚度≤16mm 偏振器方位角范圍：0°- 180° 外形尺寸：680*390*310mm 測(cè)量膜厚和折射率重復(fù)性精度分別為：0.5nm和0.005 主機(jī)重量：26kg 儀器測(cè)量精度：±0.5nm（薄膜厚度在10-100nm時(shí)） 光學(xué)中心高度：80mm 成套性：主機(jī)、電控系統(tǒng)、USB接口、配套軟件 成套性：主機(jī)、電控系統(tǒng)、USB接口、配套軟件（需配計(jì)算機(jī)）主要特點(diǎn)：產(chǎn)品特點(diǎn)： 儀器采用消光法自動(dòng)測(cè)量薄膜厚度和折射率，具有精度高、靈敏度高以及自動(dòng)控制等特點(diǎn)。光源采用氦氖激光器，功率穩(wěn)定波長(zhǎng)精度高。 儀器采用USB接口與電腦連接，配套軟件功能齊全，具有多樣數(shù)據(jù)采集及處理方式，適用于不同用戶的需要。

品牌： 北京賽凡 型號(hào)： EM12-PV 產(chǎn)地： 供應(yīng)商：北京賽凡光電儀器有限公司

EM12是采用先進(jìn)的測(cè)量技術(shù)，針對(duì)中端精度需求的光伏太陽(yáng)能電池研發(fā)和質(zhì)量控制領(lǐng)域推出的精致型多入射角激光橢偏儀。 EM12-PV用于測(cè)量絨面單晶硅或多晶硅太陽(yáng)電池表面減反膜的厚度以及在632.8nm下的折射率n。也可測(cè)量光滑平面材料上的單層或多層納米薄膜的膜層厚度，以及在632.8nm下折射率n和消光系數(shù)k。 EM12-PV融合多項(xiàng)量拓科技專(zhuān)利技術(shù)，采用一體化樣品臺(tái)技術(shù)，兼容測(cè)量單晶和多晶太陽(yáng)電池樣品。一鍵式多線程操作軟件，使得儀器操作簡(jiǎn)單安全。 特點(diǎn)：
先進(jìn)的光能量增強(qiáng)技術(shù)、低噪聲的探測(cè)器件以及高信噪比的微弱信號(hào)處理方法，實(shí)現(xiàn)了對(duì)粗糙表面散射為主和極低反射率為特征的絨面太陽(yáng)電池表面納米鍍層的檢測(cè)。
國(guó)際先進(jìn)的采樣方法、穩(wěn)定的核心器件、高質(zhì)量的制造工藝實(shí)現(xiàn)并保證了高準(zhǔn)確度和穩(wěn)定性，測(cè)量絨面減反膜的厚度精度優(yōu)于0.2nm。
國(guó)際水準(zhǔn)的儀器設(shè)計(jì)，在保證極高精度和準(zhǔn)確度的同時(shí)，可在1.6秒內(nèi)快速完成一次測(cè)量，可滿足快速多點(diǎn)檢測(cè)和批量檢測(cè)需求。
一鍵式操作設(shè)計(jì)，用戶只需一個(gè)按鈕即可完成復(fù)雜的材料測(cè)量和分析過(guò)程，數(shù)據(jù)一鍵導(dǎo)出，豐富的模型庫(kù)和材料庫(kù)也同時(shí)方便了用戶的高級(jí)操作需求。
EM12-PV可用于測(cè)量絨面單晶硅或多晶硅太陽(yáng)電池表面上單層減反膜的厚度以及在632.8nm下的折射率n，典型納米膜層包括SiNx，ITO，TiO2，SiO2，A12O3，HfO2等，應(yīng)用領(lǐng)域包括晶體硅太陽(yáng)電池、薄膜太陽(yáng)電池等。 EM12-PV也可用于測(cè)量光滑平面基底上的單層或雙層納米薄膜，包括膜層的厚度，以及在632.8nm下的折射率n和消光系數(shù)k。也可用于測(cè)量塊狀材料（包括，液體、金屬、半導(dǎo)體、介質(zhì)等）在632.8nm下的折射率n和消光系數(shù)k。應(yīng)用領(lǐng)域包括半導(dǎo)體、微電子、平板顯示等。
品牌： 北京賽凡 型號(hào)： ES03 產(chǎn)地： 供應(yīng)商：北京賽凡光電儀器有限公司

ES03是針對(duì)科研和工業(yè)環(huán)境中薄膜測(cè)量推出的高精度多入射角光譜橢偏儀，儀器波長(zhǎng)范圍從紫外到近紅外。 ES03多入射角光譜橢偏儀用于測(cè)量單層和多層納米薄膜的層構(gòu)參數(shù)（如，厚度）和物理參數(shù)（如，折射率n、消光系數(shù)k），也可用于測(cè)量塊狀材料的折射率n和消光系數(shù)k。 ES03系列適合于對(duì)樣品進(jìn)行實(shí)時(shí)和非實(shí)時(shí)的檢測(cè)。 特點(diǎn)：
國(guó)際先進(jìn)的采樣方法、高穩(wěn)定的核心器件、高質(zhì)量的設(shè)計(jì)和制造工藝實(shí)現(xiàn)并保證了能夠測(cè)量原子層量級(jí)的納米薄膜，膜厚精度達(dá)到0.05nm。
快速橢偏采樣方法、高信噪比的信號(hào)探測(cè)、自動(dòng)化的測(cè)量軟件，在保證高精度和準(zhǔn)確度的同時(shí)，10秒內(nèi)快速完成一次全光譜橢偏測(cè)量。
對(duì)于常規(guī)操作，只需鼠標(biāo)點(diǎn)擊一個(gè)按鈕即可完成復(fù)雜的測(cè)量、建模、擬合和分析過(guò)程，豐富的模型庫(kù)和材料庫(kù)也同時(shí)方便了用戶的高級(jí)操作需求。
ES03適合于科研和工業(yè)產(chǎn)品環(huán)境中的新品研發(fā)或質(zhì)量控制。 ES03系列多種光譜范圍可滿足不同應(yīng)用場(chǎng)合。比如：
ES03U適合于很大范圍的材料種類(lèi)，包括對(duì)介質(zhì)材料、聚合物、半導(dǎo)體、金屬等的實(shí)時(shí)和非實(shí)時(shí)檢測(cè)，光譜范圍覆蓋半導(dǎo)體的臨界點(diǎn)，這對(duì)于測(cè)量和控制合成的半導(dǎo)體合金成分非常有用。并且適合于較大的膜厚范圍（從次納米量級(jí)到10微米左右）。 ES03可用于測(cè)量光面基底上的單層和多層納米薄膜的厚度、折射率n及消光系數(shù)k。應(yīng)用領(lǐng)域包括：微電子、半導(dǎo)體、集成電路、顯示技術(shù)、太陽(yáng)電池、光學(xué)薄膜、生命科學(xué)、化學(xué)、電化學(xué)、磁介質(zhì)存儲(chǔ)、平板顯示、聚合物及金屬表面處理等。 典型應(yīng)用如：
功能性涂料：增透型、自清潔型、電致變色型、鏡面性光學(xué)涂層，以及高分子、油類(lèi)、Al2O3表面鍍層和處理等； 生物和化學(xué)工程：有機(jī)薄膜、LB膜、SAM膜、蛋白子分子層、薄膜吸附、表面改性處理、液體等 ES03也可用于測(cè)量塊狀材料的折射率n和消光系數(shù)k。應(yīng)用領(lǐng)域包括：固體（金屬、半導(dǎo)體、介質(zhì)等），或液體（純凈物或混合物）。典型應(yīng)用包括：
注：(1)測(cè)量重復(fù)性：是指對(duì)標(biāo)準(zhǔn)樣品上同一點(diǎn)、同一條件下連續(xù)測(cè)量30次所計(jì)算的標(biāo)準(zhǔn)差。

品牌： 北京賽凡 型號(hào)： ESS01 產(chǎn)地： 供應(yīng)商：北京賽凡光電儀器有限公司

ESS01是針對(duì)科研和工業(yè)環(huán)境中薄膜測(cè)量推出的波長(zhǎng)掃描式、高精度自動(dòng)變?nèi)肷浣嵌裙庾V橢偏儀，此系列儀器波長(zhǎng)范圍覆蓋紫外、可見(jiàn)、近紅外到遠(yuǎn)紅外。 ESS01采用寬光譜光源結(jié)合單色儀的方式實(shí)現(xiàn)高光譜分辨的橢偏測(cè)量。 ESS01系列光譜橢偏儀用于測(cè)量單層和多層納米薄膜的層構(gòu)參數(shù)（如，厚層厚度、表面為粗糙度等）和光學(xué)參數(shù)（如，折射率n、消光系數(shù)k、復(fù)介電常數(shù)ε等），也可用于測(cè)量塊狀材料的光學(xué)參數(shù)。 ESS01適合多入射角光譜橢偏儀尤其適合科研中的新品研發(fā)。 技術(shù)特點(diǎn)：
采用寬光譜光源、寬光譜掃描的系統(tǒng)光學(xué)設(shè)計(jì)，保證了儀器在極寬的光譜范圍下都具有高準(zhǔn)確度，非常適合于對(duì)光譜范圍要求極其嚴(yán)格的場(chǎng)合。
儀器的多個(gè)關(guān)鍵參數(shù)可根據(jù)要求而設(shè)定（包括：波長(zhǎng)范圍、掃描步距、入射角度等），極大地提高了測(cè)量的靈活性，可以勝任要求苛刻的樣品。
國(guó)際先進(jìn)的采樣方法、高穩(wěn)定的核心器件、高質(zhì)量的設(shè)計(jì)和制造工藝實(shí)現(xiàn)并保證了能夠測(cè)量原子層量級(jí)地納米薄膜，膜厚精度達(dá)到0.05nm。
采用較經(jīng)濟(jì)的寬光譜光源結(jié)合掃描單色儀的方式實(shí)現(xiàn)高光譜分辨的橢偏測(cè)量，儀器整體成本得到有效降低。
ESS01系列多入射角光譜橢偏儀尤其適合科研中的新品研發(fā)。 ESS01適合很大范圍的材料種類(lèi)，包括對(duì)介質(zhì)材料、聚合物、半導(dǎo)體、金屬等的實(shí)時(shí)和非實(shí)時(shí)檢測(cè)，光譜范圍覆蓋半導(dǎo)體地臨界點(diǎn)，這對(duì)于測(cè)量和控制合成的半導(dǎo)體合金成分非常有用。并且適合于較大的膜厚范圍（從次納米量級(jí)到10微米左右）。 ESS01可用于測(cè)量光面基底上的單層和多層納米薄膜的厚度、折射率n及消光系數(shù)k。應(yīng)用領(lǐng)域包括：微電子、半導(dǎo)體、集成電路、顯示技術(shù)、太陽(yáng)電池、光學(xué)薄膜、生命科學(xué)、化學(xué)、電化學(xué)、磁介質(zhì)存儲(chǔ)、平板顯示、聚合物及金屬表面處理等。 薄膜相關(guān)應(yīng)用涉及物理、化學(xué)、信息、環(huán)保等，典型應(yīng)用包括：
半導(dǎo)體：如：介電薄膜、金屬薄膜、高分子、光刻膠、硅、PZT膜，激光二極管GaN和AlGaN、透明的電子器件等）； 平板顯示：TFT、OLED、等離子顯示板、柔性顯示板等； 功能性涂料：增透型、自清潔型、電致變色型、鏡面性光學(xué)涂層，以及高分子、油類(lèi)、Al2O3表面鍍層和處理等； 生物和化學(xué)工程：有機(jī)薄膜、LB膜、SAM膜、蛋白子分子層、薄膜吸附、表面改性處理、液體等。 節(jié)能環(huán)保領(lǐng)域：LOW-E玻璃等。 ESS01系列也可用于測(cè)量塊狀材料的折射率n和消光系數(shù)k。應(yīng)用領(lǐng)域包括：固體（金屬、半導(dǎo)體、介質(zhì)等），或液體（純凈物或混合物）。典型應(yīng)用包括：
品牌： 北京賽凡 型號(hào)： EMPro-PV 產(chǎn)地： 供應(yīng)商：北京賽凡光電儀器有限公司

EMPro-PV是針對(duì)光伏太陽(yáng)能電池高端研發(fā)和質(zhì)量控制領(lǐng)域推出的極致型多入射角激光橢偏儀。 EMPro-PV用于測(cè)量絨面單晶硅或多晶硅太陽(yáng)電池表面減反膜鍍層的厚度以及在632.8nm下的折射率n。也可測(cè)量光滑平面材料上的單層或多層納米薄膜的膜層厚度，以及在632.8nm下折射率n和消光系數(shù)k。 EMPro-PV融合多項(xiàng)量拓科技專(zhuān)利技術(shù)，采用一體化樣品臺(tái)技術(shù)，兼容測(cè)量單晶和多晶太陽(yáng)電池樣品，并實(shí)現(xiàn)二者的輕松轉(zhuǎn)換。一鍵式多線程操作軟件，使得儀器操作簡(jiǎn)單安全。 特點(diǎn)：
先進(jìn)的光能量增強(qiáng)技術(shù)、低噪聲的探測(cè)器件以及高信噪比的微弱信號(hào)處理方法，實(shí)現(xiàn)了對(duì)粗糙表面散射為主和極低反射率為特征的絨面太陽(yáng)電池表面鍍層的高靈敏檢測(cè)。
國(guó)際先進(jìn)的采樣方法、高穩(wěn)定的核心器件、高質(zhì)量的制造工藝實(shí)現(xiàn)并保證了極高的準(zhǔn)確度和穩(wěn)定性，測(cè)量絨面減反膜膜厚精度優(yōu)于0.03nm，折射率精度優(yōu)于0.0003。
國(guó)際水準(zhǔn)的儀器設(shè)計(jì)，在保證極高精度和準(zhǔn)確度的同時(shí)，可在幾百毫秒內(nèi)快速完成一次測(cè)量，可滿足快速多點(diǎn)檢測(cè)和批量檢測(cè)需求。
簡(jiǎn)單方便安全的儀器操作 一鍵式操作設(shè)計(jì)，用戶只需一個(gè)按鈕即可完成復(fù)雜的材料測(cè)量和分析過(guò)程，數(shù)據(jù)一鍵導(dǎo)出，豐富的模型庫(kù)和材料庫(kù)也同時(shí)方便了用戶的高級(jí)操作需求。
應(yīng)用： EMPro-PV適合于光伏領(lǐng)域中高精度要求的工藝研發(fā)和生產(chǎn)現(xiàn)場(chǎng)的質(zhì)量控制?？捎糜跍y(cè)量絨面單晶硅或多晶硅太陽(yáng)電池表面上單層減反膜的厚度以及在632.8nm下的折射率n。典型納米膜層包括SiNx，ITO，TiO2，SiO2，A12O3，HfO2等。應(yīng)用領(lǐng)域包括晶體硅太陽(yáng)電池、薄膜太陽(yáng)電池等。 EMPro-PV也可用于測(cè)量光滑平面基底上鍍的納米單層膜或雙層膜，包括膜層的厚度，以及在632.8nm下的折射率n和消光系數(shù)k。也可用于測(cè)量塊狀材料（包括，液體、金屬、半導(dǎo)體、介質(zhì)等）在632.8nm下的折射率n和消光系數(shù)k。應(yīng)用領(lǐng)域包括半導(dǎo)體、微電子、平板顯示等。 技術(shù)指標(biāo)：
品牌： 北京賽凡 型號(hào)： ES01-PV 產(chǎn)地： 供應(yīng)商：北京賽凡光電儀器有限公司

ES01-PV是針對(duì)光伏太陽(yáng)能電池研發(fā)和質(zhì)量控制領(lǐng)域推出的高性能光譜橢偏儀。 ES01-PV用于測(cè)量和分析光伏領(lǐng)域中多層納米薄膜的層構(gòu)參數(shù)（如，厚度）和物理參數(shù)（如，折射率n、消光系數(shù)k），典型樣品包括：絨面單晶和多晶太陽(yáng)電池上的單層減反膜（如SiNx，SiO2，TiO2，Al2O3等）和多層減反膜（如，SiNx/SiO2, SiNx2/SiNx1, SiNx /Al2O3等），以及薄膜太陽(yáng)電池中的多層納米薄膜。
先進(jìn)的光能量增強(qiáng)技術(shù)、高信噪比的探測(cè)技術(shù)以及高信噪比的微弱信號(hào)處理方法，實(shí)現(xiàn)了對(duì)粗糙表面散射為主和極低反射率為特征的絨面太陽(yáng)電池表面鍍層的高靈敏檢測(cè)。
專(zhuān)門(mén)針對(duì)多層薄膜檢測(cè)而設(shè)計(jì)，可滿足晶體硅太陽(yáng)能電池領(lǐng)域中的雙層膜，如（SiNx/SiO2, SiNx2/SiNx1, SiNx /Al2O3等）的檢測(cè)。
國(guó)際先進(jìn)的快速橢偏采樣方法、一流的關(guān)鍵部件、自動(dòng)化的測(cè)量軟件，在保證高精度和準(zhǔn)確度的同時(shí)，可在10秒內(nèi)快速完成一次測(cè)量。
對(duì)于常規(guī)操作，只需鼠標(biāo)點(diǎn)擊一個(gè)按鈕即可完成復(fù)雜的測(cè)量、建模、擬合和分析過(guò)程，豐富的模型庫(kù)和材料庫(kù)也同時(shí)方便了用戶的高級(jí)操作需求。
ES01-PV可用于測(cè)量絨面單晶或多晶硅太陽(yáng)電池表面上納米薄膜的厚度、折射率n和消光系數(shù)k，包括：?jiǎn)螌訙p反膜（如， SiNx， TiO2，SiO2，A12O3等）、雙層納米薄膜（如，SiNx/SiO2, SiNx2/SiNx1, SiNx /Al2O3等），以及多層納米薄膜。
ES01-PV的應(yīng)用也覆蓋了傳統(tǒng)光譜橢偏儀所測(cè)量的光面基底上的單層和多層納米薄膜，典型應(yīng)用包括：半導(dǎo)體（如：介電薄膜、金屬薄膜、高分子、光刻膠、硅、PZT膜，激光二極管GaN和AlGaN、透明的電子器件等）、平板顯示（TFT、OLED、等離子顯示板、柔性顯示板等）、功能性涂料：（增透型、自清潔型、電致變色型、鏡面性光學(xué)涂層，以及高分子、油類(lèi)、Al2O3表面鍍層和處理等)、生物和化學(xué)工程（有機(jī)薄膜、LB膜、SAM膜、蛋白子分子層、薄膜吸附、表面改性處理、液體等）等。
注：(1)測(cè)量重復(fù)性：是指對(duì)標(biāo)準(zhǔn)樣品上同一點(diǎn)、同一條件下連續(xù)測(cè)量30次所計(jì)算的標(biāo)準(zhǔn)差。

品牌： 北京賽凡 型號(hào)： EM13 產(chǎn)地： 供應(yīng)商：北京賽凡光電儀器有限公司

EM13LD 系列是采用先進(jìn)的測(cè)量技術(shù)，針對(duì)普通精度需求的研發(fā)和質(zhì)量控制領(lǐng)域推出的多入射角激光橢偏儀。 EM13LD系列采用半導(dǎo)體激光器作為光源，可在單入射角度或多入射角度下對(duì)樣品進(jìn)行準(zhǔn)確測(cè)量。可用于測(cè)量單層或多層納米薄膜樣品的膜層厚度、折射率n和消光系數(shù)k；也可用于同時(shí)測(cè)量塊狀材料的折射率n和消光系數(shù)k；亦可用于實(shí)時(shí)測(cè)量納米薄膜動(dòng)態(tài)生長(zhǎng)中膜層的厚度、折射率n和消光系數(shù)k。多入射角度設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了納米薄膜的絕對(duì)厚度測(cè)量。 EM13LD系列采用了量拓科技多項(xiàng)專(zhuān)利技術(shù)。 特點(diǎn)：
國(guó)際先進(jìn)的采樣方法、穩(wěn)定的核心器件、高質(zhì)量的制造工藝實(shí)現(xiàn)并保證了能夠測(cè)量極薄納米薄膜，膜厚精度可達(dá)到0.5nm。
國(guó)際水準(zhǔn)的儀器設(shè)計(jì)，在保證精度和準(zhǔn)確度的同時(shí)，可在3秒內(nèi)快速完成一次測(cè)量，可對(duì)納米膜層生長(zhǎng)過(guò)程進(jìn)行測(cè)量。
用戶只需一個(gè)按鈕即可完成復(fù)雜的材料測(cè)量和分析過(guò)程，數(shù)據(jù)一鍵導(dǎo)出。豐富的模型庫(kù)、材料庫(kù)方便用戶進(jìn)行高級(jí)測(cè)量設(shè)置。
EM13LD系列可用于測(cè)量單層或多層納米薄膜層構(gòu)樣品的薄膜厚度、折射率n及消光系數(shù)k；可用于同時(shí)測(cè)量塊狀材料的折射率n和消光系數(shù)k；可用于實(shí)時(shí)測(cè)量快速變化的納米薄膜的厚度、折射率n和消光系數(shù)k。 EM13LD可應(yīng)用的納米薄膜領(lǐng)域包括：微電子、半導(dǎo)體、集成電路、顯示技術(shù)、太陽(yáng)電池、光學(xué)薄膜、生命科學(xué)、化學(xué)、電化學(xué)、磁質(zhì)存儲(chǔ)、平板顯示、聚合物及金屬表面處理等?？蓱?yīng)用的塊狀材料領(lǐng)域包括：固體（金屬、半導(dǎo)體、介質(zhì)等），或液體（純凈物或混合物）。
品牌： 北京賽凡 型號(hào)： EM12 產(chǎn)地： 供應(yīng)商：北京賽凡光電儀器有限公司

EM12是采用先進(jìn)的測(cè)量技術(shù)，針對(duì)中端精度需求的研發(fā)和質(zhì)量控制領(lǐng)域推出的精致型多入射角激光橢偏儀。 EM12可在單入射角度或多入射角度下對(duì)樣品進(jìn)行準(zhǔn)確測(cè)量?？捎糜跍y(cè)量單層或多層納米薄膜樣品的膜層厚度、折射率n和消光系數(shù)k；也可用于同時(shí)測(cè)量塊狀材料的折射率n和消光系數(shù)k；亦可用于實(shí)時(shí)測(cè)量納米薄膜動(dòng)態(tài)生長(zhǎng)中膜層的厚度、折射率n和消光系數(shù)k。多入射角度設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了納米薄膜的絕對(duì)厚度測(cè)量。 EM12采用了量拓科技多項(xiàng)專(zhuān)利技術(shù)。 特點(diǎn)：
國(guó)際先進(jìn)的采樣方法、高穩(wěn)定的核心器件、高質(zhì)量的制造工藝實(shí)現(xiàn)并保證了能夠測(cè)量極薄納米薄膜，膜厚精度可達(dá)到0.2nm。
國(guó)際水準(zhǔn)的儀器設(shè)計(jì)，在保證精度和準(zhǔn)確度的同時(shí)，可在1.6秒內(nèi)快速完成一次測(cè)量，可對(duì)納米膜層生長(zhǎng)過(guò)程進(jìn)行測(cè)量。
用戶只需一個(gè)按鈕即可完成復(fù)雜的材料測(cè)量和分析過(guò)程，數(shù)據(jù)一鍵導(dǎo)出。豐富的模型庫(kù)、材料庫(kù)方便用戶進(jìn)行高級(jí)測(cè)量設(shè)置。
EM12可用于測(cè)量單層或多層納米薄膜層構(gòu)樣品的薄膜厚度、折射率n及消光系數(shù)k；可用于同時(shí)測(cè)量塊狀材料的折射率n和消光系數(shù)k；可用于實(shí)時(shí)測(cè)量快速變化的納米薄膜的厚度、折射率n和消光系數(shù)k。 EM12可應(yīng)用的納米薄膜領(lǐng)域包括：微電子、半導(dǎo)體、集成電路、顯示技術(shù)、太陽(yáng)電池、光學(xué)薄膜、生命科學(xué)、化學(xué)、電化學(xué)、磁質(zhì)存儲(chǔ)、平板顯示、聚合物及金屬表面處理等?？蓱?yīng)用的塊狀材料領(lǐng)域包括：固體（金屬、半導(dǎo)體、介質(zhì)等），或液體（純凈物或混合物）。
品牌： 北京賽凡 型號(hào)： ESS03 產(chǎn)地： 供應(yīng)商：北京賽凡光電儀器有限公司

ES0S3是針對(duì)科研和工業(yè)環(huán)境中薄膜測(cè)量領(lǐng)域推出的波長(zhǎng)掃描式高精度多入射角光譜橢偏儀，此系列儀器的波長(zhǎng)范圍覆蓋紫外、可見(jiàn)、近紅外、到遠(yuǎn)紅外。 ESS03采用寬光譜光源結(jié)合掃描單色儀的方式實(shí)現(xiàn)高光譜分辨的橢偏測(cè)量。 ESS03系列多入射角光譜橢偏儀用于測(cè)量單層和多層納米薄膜的層構(gòu)參數(shù)（如，膜層厚度、表面微粗糙度等）和光學(xué)參數(shù)（如，折射率n、消光系數(shù)k、復(fù)介電常數(shù)ε等），也可用于測(cè)量塊狀材料的光學(xué)參數(shù)。 ESS03系列多入射角光譜橢偏儀尤其適合科研中的新品研發(fā)。 技術(shù)特點(diǎn)：
采用寬光譜光源、寬光譜掃描德系統(tǒng)光學(xué)設(shè)計(jì)，保證了儀器在極寬的光譜范圍下都具有高準(zhǔn)確度，非常適合于對(duì)光譜范圍要求極其嚴(yán)格的場(chǎng)合。
儀器的多個(gè)關(guān)鍵參數(shù)可根據(jù)要求而設(shè)定（包括：波長(zhǎng)范圍、掃描步距、入射角度等），極大地提高了測(cè)量的靈活性，可以勝任要求苛刻的樣品。
國(guó)際先進(jìn)的采樣方法、高穩(wěn)定的核心器件、高質(zhì)量的設(shè)計(jì)和制造工藝實(shí)現(xiàn)并保證了能夠測(cè)量原子層量級(jí)地納米薄膜，膜厚精度達(dá)到0.05nm。
采用較經(jīng)濟(jì)的寬光譜光源結(jié)合掃描單色儀的方式實(shí)現(xiàn)高光譜分辨的橢偏測(cè)量，儀器整體成本得到有效降低。
ESS03系列多入射角光譜橢偏儀尤其適合科研中的新品研發(fā)。 ESS03適合很大范圍的材料種類(lèi)，包括對(duì)介質(zhì)材料、聚合物、半導(dǎo)體、金屬等的實(shí)時(shí)和非實(shí)時(shí)檢測(cè)，光譜范圍覆蓋半導(dǎo)體地臨界點(diǎn)，這對(duì)于測(cè)量和控制合成的半導(dǎo)體合金成分非常有用。并且適合于較大的膜厚范圍（從次納米量級(jí)到10微米左右）。 ESS03可用于測(cè)量光面基底上的單層和多層納米薄膜的厚度、折射率n及消光系數(shù)k。應(yīng)用領(lǐng)域包括：微電子、半導(dǎo)體、集成電路、顯示技術(shù)、太陽(yáng)電池、光學(xué)薄膜、生命科學(xué)、化學(xué)、電化學(xué)、磁介質(zhì)存儲(chǔ)、平板顯示、聚合物及金屬表面處理等。 薄膜相關(guān)應(yīng)用涉及物理、化學(xué)、信息、環(huán)保等，典型應(yīng)用如：
半導(dǎo)體：如：介電薄膜、金屬薄膜、高分子、光刻膠、硅、PZT膜，激光二極管GaN和AlGaN、透明的電子器件等）； 平板顯示：TFT、OLED、等離子顯示板、柔性顯示板等； 功能性涂料：增透型、自清潔型、電致變色型、鏡面性光學(xué)涂層，以及高分子、油類(lèi)、Al2O3表面鍍層和處理等； 生物和化學(xué)工程：有機(jī)薄膜、LB膜、SAM膜、蛋白子分子層、薄膜吸附、表面改性處理、液體等。 節(jié)能環(huán)保領(lǐng)域：LOW-E玻璃等。 ESS03系列也可用于測(cè)量塊狀材料的折射率n和消光系數(shù)k。應(yīng)用領(lǐng)域包括：固體（金屬、半導(dǎo)體、介質(zhì)等），或液體（純凈物或混合物）。典型應(yīng)用包括：
品牌： 北京賽凡 型號(hào)： ES01 產(chǎn)地： 供應(yīng)商：北京賽凡光電儀器有限公司

ES01是針對(duì)科研和工業(yè)環(huán)境中薄膜測(cè)量推出的高精度全自動(dòng)光譜橢偏儀，系列儀器的波長(zhǎng)范圍覆蓋紫外、可見(jiàn)到紅外。 ES01系列光譜橢偏儀用于測(cè)量單層和多層納米薄膜的層構(gòu)參數(shù)（如，厚度）和物理參數(shù)（如，折射率n、消光系數(shù)k），也可用于測(cè)量塊狀材料的折射率n和消光系數(shù)k。 ES01系列光譜橢偏儀適合于對(duì)樣品進(jìn)行實(shí)時(shí)和非實(shí)時(shí)檢測(cè)。 特點(diǎn)：
國(guó)際先進(jìn)的采樣方法、高穩(wěn)定的核心器件、高質(zhì)量的設(shè)計(jì)和制造工藝實(shí)現(xiàn)并保證了能夠測(cè)量原子層量級(jí)的納米薄膜，膜厚精度達(dá)到0.05nm。
快速橢偏采樣方法、高信噪比的信號(hào)探測(cè)、自動(dòng)化的測(cè)量軟件，在保證高精度和準(zhǔn)確度的同時(shí)，10秒內(nèi)快速完成一次全光譜橢偏測(cè)量。
對(duì)于常規(guī)操作，只需鼠標(biāo)點(diǎn)擊一個(gè)按鈕即可完成復(fù)雜的測(cè)量、建模、擬合和分析過(guò)程，豐富的模型庫(kù)和材料庫(kù)也同時(shí)方便了用戶的高級(jí)操作需求。
ES01U適合于很大范圍的材料種類(lèi)，包括對(duì)介質(zhì)材料、聚合物、半導(dǎo)體、金屬等的實(shí)時(shí)和非實(shí)時(shí)檢測(cè)，光譜范圍覆蓋半導(dǎo)體的臨界點(diǎn)，這對(duì)于測(cè)量和控制合成的半導(dǎo)體合金成分非常有用。并且適合于較大的膜厚范圍（從次納米量級(jí)到10微米左右）。
ES01系列可用于測(cè)量光面基底上的單層和多層納米薄膜的厚度、折射率n及消光系數(shù)k。應(yīng)用領(lǐng)域包括：微電子、半導(dǎo)體、集成電路、顯示技術(shù)、太陽(yáng)電池、光學(xué)薄膜、生命科學(xué)、化學(xué)、電化學(xué)、磁介質(zhì)存儲(chǔ)、平板顯示、聚合物及金屬表面處理等。典型應(yīng)用如：
半導(dǎo)體：如：介電薄膜、金屬薄膜、高分子、光刻膠、硅、PZT膜，激光二極管GaN和AlGaN、透明的電子器件等）； 平板顯示：TFT、OLED、等離子顯示板、柔性顯示板等； 功能性涂料：增透型、自清潔型、電致變色型、鏡面性光學(xué)涂層，以及高分子、油類(lèi)、Al2O3表面鍍層和處理等； 生物和化學(xué)工程：有機(jī)薄膜、LB膜、SAM膜、蛋白子分子層、薄膜吸附、表面改性處理、液體等。
ES01系列也可用于測(cè)量塊狀材料的折射率n和消光系數(shù)k。應(yīng)用領(lǐng)域包括：固體（金屬、半導(dǎo)體、介質(zhì)等），或液體（純凈物或混合物）。典型應(yīng)用包括：
品牌： 北京賽凡 型號(hào)： EMPro 產(chǎn)地： 供應(yīng)商：北京賽凡光電儀器有限公司

EMPro是針對(duì)高端研發(fā)和質(zhì)量控制領(lǐng)域推出的極致型多入射角激光橢偏儀。 EMPro可在單入射角度或多入射角度下進(jìn)行高精度、高準(zhǔn)確性測(cè)量?？捎糜跍y(cè)量單層或多層納米薄膜樣品的膜層厚度、折射率n和消光系數(shù)k；也可用于同時(shí)測(cè)量塊狀材料的折射率n和消光系數(shù)k；亦可用于實(shí)時(shí)測(cè)量快速變化的納米薄膜動(dòng)態(tài)生長(zhǎng)中膜層的厚度、折射率n和消光系數(shù)k。多入射角度設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了納米薄膜的絕對(duì)厚度測(cè)量。 EMPro采用了量拓科技多項(xiàng)專(zhuān)利技術(shù)。 特點(diǎn)：
EMPro適合于高精度要求的科研和工業(yè)產(chǎn)品環(huán)境中的新品研發(fā)或質(zhì)量控制。EMPro可用于測(cè)量單層或多層納米薄膜層構(gòu)樣品的薄膜厚度、折射率n及消光系數(shù)k；可用于同時(shí)測(cè)量塊狀材料的折射率n和消光系數(shù)k；可用于實(shí)時(shí)測(cè)量快速變化的納米薄膜的厚度、折射率n和消光系數(shù)k。EMPro可應(yīng)用的納米薄膜領(lǐng)域包括：微電子、半導(dǎo)體、集成電路、顯示技術(shù)、太陽(yáng)電池、光學(xué)薄膜、生命科學(xué)、化學(xué)、電化學(xué)、磁介質(zhì)存儲(chǔ)、平板顯示、聚合物及金屬表面處理等?？蓱?yīng)用的塊狀材料領(lǐng)域包括：固體（金屬、半導(dǎo)體、介質(zhì)等），或液體（純凈物或混合物）。
品牌： 法國(guó)HORIBA JY 型號(hào)： UVISEL 產(chǎn)地：法國(guó) 供應(yīng)商：上海巨納科技有限公司

UVISEL2是一款完全革新的全自動(dòng)光譜型橢偏儀。繼承并發(fā)展了經(jīng)典機(jī)型UVISEL的高準(zhǔn)確性、高靈敏度和高穩(wěn)定性等技術(shù)特點(diǎn)的同時(shí)，配備革新的可視系統(tǒng)，多達(dá)8個(gè)尺寸微光斑選項(xiàng)，最小達(dá)35×85μm2，適用于所有薄膜材料研究領(lǐng)域。是目前市場(chǎng)上獨(dú)一無(wú)二的機(jī)型。產(chǎn)品特點(diǎn)：完全自動(dòng)化設(shè)計(jì)，自動(dòng)對(duì)焦、校正全新光路、電路設(shè)計(jì)，測(cè)量精度更高，速度更快50KHz高頻PEM相調(diào)制技術(shù)，測(cè)量光路中無(wú)運(yùn)動(dòng)部件雙光柵光譜儀系統(tǒng)，雜散光抑制水平高8個(gè)尺寸微光斑，專(zhuān)利可視技術(shù)自動(dòng)平臺(tái)樣品掃描成像技術(shù)參數(shù)：光譜范圍：190-2100 nm8種光斑尺寸: 最小35 X 85 um探測(cè)器：3個(gè)獨(dú)立探測(cè)器，分別優(yōu)化紫外，可見(jiàn)和近紅外自動(dòng)樣品臺(tái)尺寸：200mm X 200mm；XYZ方向自動(dòng)調(diào)節(jié); Z軸高度 35mm樣品水平度自動(dòng)調(diào)整自動(dòng)量角器：變角范圍35°- 90°，全自動(dòng)調(diào)整，最小步長(zhǎng)0.01°SWNT單壁碳管厚度為3.1?的Graphene/c-Si與單晶硅基底自然氧化層測(cè)試圖譜對(duì)比

品牌： 法國(guó)HORIBA JY 型號(hào)： Auto SE 產(chǎn)地：法國(guó) 供應(yīng)商：上海巨納科技有限公司

新型的全自動(dòng)薄膜測(cè)量分析工具，工業(yè)化設(shè)計(jì)，操作簡(jiǎn)單，可在幾秒鐘內(nèi)完成全自動(dòng)測(cè)量和分析，并輸出分析報(bào)告。是用于快速薄膜測(cè)量和器件質(zhì)量控制理想的解決方案。產(chǎn)品特點(diǎn)：完全自動(dòng)化設(shè)計(jì)，一鍵式操作，直接報(bào)告輸出液晶調(diào)制技術(shù)，測(cè)量光路中無(wú)運(yùn)動(dòng)部件CCD探測(cè)系統(tǒng)，快速全譜輸出多個(gè)微光斑尺寸選擇，專(zhuān)利可視技術(shù)封閉式樣品倉(cāng)技術(shù)參數(shù)：光譜范圍：450-1000 nm多種微光斑自動(dòng)選擇專(zhuān)利光斑可視技術(shù)，可觀測(cè)任何樣品表面CCD探測(cè)器自動(dòng)樣品臺(tái)尺寸：200mmX200mmXYZ方向自動(dòng)調(diào)節(jié); Z軸高度 35mm70度角入射

品牌： 法國(guó)HORIBA JY 型號(hào)： UVISEL 2 產(chǎn)地：法國(guó) 供應(yīng)商：北京國(guó)嘉恒業(yè)科學(xué)儀器有限公司

UVISEL2是一款完全革新的全自動(dòng)光譜型橢偏儀。繼承并發(fā)展了經(jīng)典機(jī)型UVISEL的高準(zhǔn)確性、高靈敏度和高穩(wěn)定性等技術(shù)特點(diǎn)的同時(shí)，配備革新的可視系統(tǒng)，多達(dá)8個(gè)尺寸微光斑選項(xiàng)，最小達(dá)35×85μm2，適用于所有薄膜材料研究領(lǐng)域。是目前市場(chǎng)上獨(dú)一無(wú)二的機(jī)型。技術(shù)參數(shù)：光譜范圍：190-2100 nm8種光斑尺寸: 最小35 X 85 um探測(cè)器：3個(gè)獨(dú)立探測(cè)器，分別優(yōu)化紫外，可見(jiàn)和近紅外自動(dòng)樣品臺(tái)尺寸：200mm X 200mm；XYZ方向自動(dòng)調(diào)節(jié); Z軸高度 35mm樣品水平度自動(dòng)調(diào)整自動(dòng)量角器：變角范圍35°- 90°，全自動(dòng)調(diào)整，最小步長(zhǎng)0.01°主要特點(diǎn)：完全自動(dòng)化設(shè)計(jì)，自動(dòng)對(duì)焦、校正全新光路、電路設(shè)計(jì)，測(cè)量精度更高，速度更快50KHz高頻PEM相調(diào)制技術(shù)，測(cè)量光路中無(wú)運(yùn)動(dòng)部件雙光柵光譜儀系統(tǒng)，雜散光抑制水平高8個(gè)尺寸微光斑，專(zhuān)利可視技術(shù)自動(dòng)平臺(tái)樣品掃描成像

品牌： 法國(guó)HORIBA JY 型號(hào)： In-situ series 產(chǎn)地：法國(guó) 供應(yīng)商：北京國(guó)嘉恒業(yè)科學(xué)儀器有限公司

儀器介紹：在鍍膜或刻蝕的過(guò)程中，實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)樣品膜的膜厚以及光學(xué)常數(shù)（n,k）變化。技術(shù)參數(shù)：可實(shí)現(xiàn)快速、實(shí)時(shí)在線監(jiān)測(cè)樣品膜層變化主要特點(diǎn)：將激發(fā)和探測(cè)頭引入生產(chǎn)設(shè)備，可實(shí)現(xiàn): 動(dòng)態(tài)模式:實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)膜厚變化 光譜模式：監(jiān)測(cè)薄膜的界面和組分

品牌： 法國(guó)HORIBA JY 型號(hào)： Auto SE 產(chǎn)地：法國(guó) 供應(yīng)商：北京國(guó)嘉恒業(yè)科學(xué)儀器有限公司

新型的全自動(dòng)薄膜測(cè)量分析工具，工業(yè)化設(shè)計(jì)，操作簡(jiǎn)單，可在幾秒鐘內(nèi)完成全自動(dòng)測(cè)量和分析，并輸出分析報(bào)告。是用于快速薄膜測(cè)量和器件質(zhì)量控制理想的解決方案。技術(shù)參數(shù)：光譜范圍：450-1000 nm多種微光斑自動(dòng)選擇專(zhuān)利光斑可視技術(shù)，可觀測(cè)任何樣品表面CCD探測(cè)器自動(dòng)樣品臺(tái)尺寸：200mmX200mm；XYZ方向自動(dòng)調(diào)節(jié); Z軸高度 35mm70度角入射主要特點(diǎn)：完全自動(dòng)化設(shè)計(jì)，一鍵式操作，直接報(bào)告輸出液晶調(diào)制技術(shù)，測(cè)量光路中無(wú)運(yùn)動(dòng)部件CCD探測(cè)系統(tǒng)，快速全譜輸出多個(gè)微光斑尺寸選擇，專(zhuān)利可視技術(shù)封閉式樣品倉(cāng)

品牌： 法國(guó)HORIBA JY 型號(hào)： Auto SE 產(chǎn)地：法國(guó) 供應(yīng)商：天津東方科捷科技有限公司

創(chuàng)新點(diǎn)◎獨(dú)一無(wú)二的光斑可視系統(tǒng)（專(zhuān)利技術(shù)):AutoSE集成了獨(dú)一無(wú)二的MyAutoView光斑可視系統(tǒng)（專(zhuān)利技術(shù)），該系統(tǒng)配備在標(biāo)準(zhǔn)橢圓偏振光譜儀中,允許操作者全程觀測(cè)樣品光斑，以確保各種類(lèi)型的樣品都能在完全正確的位置，以合適的光斑尺寸進(jìn)行測(cè)量。解決了現(xiàn)有測(cè)量技術(shù)中的“盲測(cè)”難題?！蛞绘I式操作，大大提高工作效率。◎共焦微光斑技術(shù)：提供8種不同光斑尺寸的自動(dòng)選擇?！蛉詣?dòng)智能診斷及故障處理：大大減輕了設(shè)備的維護(hù)負(fù)擔(dān)。 儀器簡(jiǎn)介：新型的全自動(dòng)薄膜測(cè)量分析工具，工業(yè)化設(shè)計(jì)，操作簡(jiǎn)單，可在幾秒鐘內(nèi)完成全自動(dòng)測(cè)量和分析，并輸出分析報(bào)告。是用于快速薄膜測(cè)量和器件質(zhì)量控制理想的解決方案。技術(shù)參數(shù)：光譜范圍：450-1000nm多種微光斑自動(dòng)選擇專(zhuān)利光斑可視技術(shù)，可觀測(cè)任何樣品表面CCD探測(cè)器自動(dòng)樣品臺(tái)尺寸：200mmX200mm；XYZ方向自動(dòng)調(diào)節(jié);Z軸高度 35mm70度角入射主要特點(diǎn)：完全自動(dòng)化設(shè)計(jì)，一鍵式操作，直接報(bào)告輸出液晶調(diào)制技術(shù)，測(cè)量光路中無(wú)運(yùn)動(dòng)部件CCD探測(cè)系統(tǒng)，快速全譜輸出多個(gè)微光斑尺寸選擇，專(zhuān)利可視技術(shù)封閉式樣品倉(cāng)

品牌： 法國(guó)HORIBA JY 型號(hào)： UVISEL 產(chǎn)地：法國(guó) 供應(yīng)商：天津東方科捷科技有限公司

儀器簡(jiǎn)介： 20多年技術(shù)積累和發(fā)展的結(jié)晶,是一款高準(zhǔn)確性、高靈敏度、高穩(wěn)定性的經(jīng)典橢偏機(jī)型。即使在透明的基底上也能對(duì)超薄膜進(jìn)行最精確的測(cè)量。采用PEM相位調(diào)制技術(shù)，與機(jī)械旋轉(zhuǎn)部件技術(shù)相比,能提供更好的穩(wěn)定性和信噪比。技術(shù)參數(shù)：可選光譜范圍： * UVISEL Extended Range(190nm -2100 nm) * UVISEL NIR (250 nm -2100 nm ) * UVISEL VIS (210 nm -880 nm ) * UVISEL FUV(190 nm -880 nm ) * UVISEL VUV(142 nm -880 nm ) *多種實(shí)用微光斑尺寸選項(xiàng) *探測(cè)器：分別針對(duì)紫外，可見(jiàn)和近紅外提供優(yōu)化的PMT和IGA探測(cè)器 *自動(dòng)樣品臺(tái)尺寸：多種樣品臺(tái)可選 *自動(dòng)量角器：變角范圍35° - 90°，全自動(dòng)調(diào)整，最小步長(zhǎng)0.01°主要特點(diǎn)： *50KHz 高頻PEM 相調(diào)制技術(shù)，測(cè)量光路中無(wú)運(yùn)動(dòng)部件 *具備超薄膜所需的測(cè)量精度，超厚膜所需的高光譜分辨率 *具有毫秒級(jí)超快動(dòng)態(tài)采集模式，可用于在線實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè) *自動(dòng)平臺(tái)樣品掃描成像、變溫臺(tái)、電化學(xué)反應(yīng)池、液體池、密封池等多種附件 *配置靈活

品牌： 日本堀場(chǎng) 型號(hào)： Auto SE 產(chǎn)地：法國(guó) 供應(yīng)商：廈門(mén)通創(chuàng)檢測(cè)技術(shù)有限公司

全自動(dòng)化 高集成度 可視化光斑一鍵式全自動(dòng)快速橢偏儀 Auto SE新型的全自動(dòng)薄膜測(cè)量分析工具。采用工業(yè)化設(shè)計(jì)，操作簡(jiǎn)單，可在幾秒鐘內(nèi)完成全自動(dòng)測(cè)量和分析，并輸出分析報(bào)告。是用于快速薄膜測(cè)量和器件質(zhì)量控制理想的解決方案。1主要特點(diǎn)1. 液晶調(diào)制技術(shù)，無(wú)機(jī)械轉(zhuǎn)動(dòng)部件，重復(fù)性，信噪比高2. 專(zhuān)利技術(shù)成像系技術(shù)，所有樣品均可成像，對(duì)于透明樣品,自動(dòng)去除樣品的背反射信號(hào),使得數(shù)據(jù)分析更簡(jiǎn)單.3. 反射式微光斑，覆蓋全譜段，利于非均勻樣品圖案化樣品測(cè)試4. 全自動(dòng)集成度高，安裝維護(hù)簡(jiǎn)便5. 一鍵式操作軟件，快速簡(jiǎn)單6. 自動(dòng)MAPPING掃描，分析樣品鍍膜均勻性2技術(shù)參數(shù)1. 光譜范圍：450-1000 nm2. 多種微光斑自動(dòng)選擇3. 專(zhuān)利光斑可視技術(shù)，可觀測(cè)任何樣品表面4. 自動(dòng)樣品臺(tái)尺寸：200mmX200mm；XYZ方向自動(dòng)調(diào)節(jié); Z軸高度 35mm5. 70度角入射6. CCD探測(cè)器 相關(guān)推薦橢圓偏振光譜入門(mén)手冊(cè)測(cè)量膜厚、光學(xué)常數(shù)的強(qiáng)大工具您可了解：1. 橢圓偏振光譜的概念及應(yīng)用領(lǐng)域2. 適用的樣品及可獲取的信息3. 常見(jiàn)的橢偏儀類(lèi)型及優(yōu)勢(shì)分析4. 測(cè)量、數(shù)據(jù)分析時(shí)的常見(jiàn)問(wèn)題復(fù)制鏈接至新瀏覽器打開(kāi)下載入門(mén)手冊(cè)：http://www.horiba.com/cn/scientific/download-cn/1/

品牌： 日本堀場(chǎng) 型號(hào)： UVISEL 產(chǎn)地：法國(guó) 供應(yīng)商：廈門(mén)通創(chuàng)檢測(cè)技術(shù)有限公司

儀器簡(jiǎn)介： 20多年技術(shù)積累和發(fā)展的結(jié)晶,是一款高準(zhǔn)確性、高靈敏度、高穩(wěn)定性的經(jīng)典橢偏機(jī)型。即使在透明的基底上也能對(duì)超薄膜進(jìn)行最精確的測(cè)量。采用PEM相位調(diào)制技術(shù)，與機(jī)械旋轉(zhuǎn)部件技術(shù)相比,能提供更好的穩(wěn)定性和信噪比。技術(shù)參數(shù)：可選光譜范圍： * UVISEL Extended Range(190nm -2100 nm) * UVISEL NIR (250 nm -2100 nm ) * UVISEL VIS (210 nm -880 nm ) * UVISEL FUV(190 nm -880 nm ) * UVISEL VUV(142 nm -880 nm ) *多種實(shí)用微光斑尺寸選項(xiàng) *探測(cè)器：分別針對(duì)紫外，可見(jiàn)和近紅外提供優(yōu)化的PMT和IGA探測(cè)器 *自動(dòng)樣品臺(tái)尺寸：多種樣品臺(tái)可選 *自動(dòng)量角器：變角范圍35° - 90°，全自動(dòng)調(diào)整，最小步長(zhǎng)0.01°主要特點(diǎn)： *50KHz 高頻PEM 相調(diào)制技術(shù)，測(cè)量光路中無(wú)運(yùn)動(dòng)部件 *具備超薄膜所需的測(cè)量精度，超厚膜所需的高光譜分辨率 *具有毫秒級(jí)超快動(dòng)態(tài)采集模式，可用于在線實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè) *自動(dòng)平臺(tái)樣品掃描成像、變溫臺(tái)、電化學(xué)反應(yīng)池、液體池、密封池等多種附件 *配置靈活

品牌： 英國(guó)NDC 型號(hào)： Ultrascan 1012 產(chǎn)地：美國(guó) 供應(yīng)商：NDC Technologies Inc.

UltraScan壁厚和同心度測(cè)量系統(tǒng)Beta LaserMike開(kāi)發(fā)的UltraScan系統(tǒng)可以實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品壁厚和同心度的在線精確測(cè)量，同時(shí)該系統(tǒng)也可以用于測(cè)量產(chǎn)品的直徑和橢圓度。采用超聲波技術(shù)，UltraScan系統(tǒng)能夠在生產(chǎn)過(guò)程中實(shí)現(xiàn)高速、非接觸式的測(cè)量。根據(jù)不同的應(yīng)用場(chǎng)合，UltraScan測(cè)量系統(tǒng)采用固定式和可調(diào)節(jié)的傳感器距離模式測(cè)量各種不同產(chǎn)品的直徑和壁厚尺寸。上述各種模式都支持多個(gè)傳感器測(cè)量，并且能夠測(cè)量多層的直徑和壁厚尺寸。應(yīng)用領(lǐng)域：電線、電纜、醫(yī)療管、及其他管材、線繩等檢測(cè)項(xiàng)目：壁厚、偏心、內(nèi)徑、外徑以下技術(shù)信息說(shuō)明了各種類(lèi)型UltraScan系統(tǒng)的相關(guān)性能數(shù)據(jù)。為滿足您特殊的應(yīng)用需求，如需特定產(chǎn)品的詳細(xì)信息，請(qǐng)參考我們提供的數(shù)據(jù)表。 軟管應(yīng)用外徑范圍： 0.25 - 63毫米（即0.01 - 2.5英寸）測(cè)量精度： 壁厚：±0.001毫米（即±0.000040英寸），同心度：±0.01％。掃描速率： 2000次/秒傳感器數(shù)量： 最多支持8個(gè)管材應(yīng)用外徑范圍： 7.5 - 660毫米（即0.0.30 - 26.0）測(cè)量精度：壁厚：±0.001毫米（即±0.000040英寸），同心度：±0.01％。掃描速率： 2000次/秒傳感器數(shù)量： 最多支持8個(gè)

品牌： 型號(hào)： SpecEl-2000-VIS 產(chǎn)地：美國(guó) 供應(yīng)商：杭州譜鐳光電技術(shù)有限公司

SpecEl-2000-VIS橢偏儀通過(guò)測(cè)量基底反射的偏振光，進(jìn)而測(cè)量薄膜厚度及材料不同波長(zhǎng)處的折射率。波長(zhǎng)范圍200-900nm。SpecEl通過(guò)PC控制來(lái)實(shí)現(xiàn)折射率，吸光率及膜厚的測(cè)量。 集成的精確測(cè)量系統(tǒng)SpecEl由一個(gè)集成的光源，一個(gè)光譜儀及兩個(gè)成70°的偏光器構(gòu)成，并配有一個(gè)32位操作系統(tǒng)的PC.該橢偏儀可測(cè)量0.1nm-5um厚的單膜，分辨率0.1nm，測(cè)量時(shí)間5-15秒，并且折射率測(cè)量可達(dá)0.005%。 配置說(shuō)明 波長(zhǎng)范圍: 380-780 nm (標(biāo)準(zhǔn)) 或450-900 nm (可選) 光學(xué)分辨率: 4.0 nm FWHM 測(cè)量精度: 厚度0.1 nm ; 折射率 0.005% 入射角: 70° 膜厚: 單透明膜1-5000 nm 光點(diǎn)尺寸: 2 mm x 4 mm (標(biāo)準(zhǔn)) 或 200 m x 400 m (可選) 采樣時(shí)間: 3-15s (最小) 動(dòng)態(tài)記錄: 3 seconds 機(jī)械公差 (height): +/- 1.5 mm, 角度 +/- 1.0° 膜層數(shù): 至多32層 參考: 不用

橢偏儀/橢圓偏振儀 儀器網(wǎng)橢偏儀/橢圓偏振儀產(chǎn)品導(dǎo)購(gòu)專(zhuān)場(chǎng)為您提供橢偏儀/橢圓偏振儀功能原理、規(guī)格型號(hào)、性能參數(shù)、產(chǎn)品價(jià)格、詳細(xì)產(chǎn)品圖片以及廠商聯(lián)系方式等實(shí)用信息，您可以通過(guò)設(shè)置不同查詢條件，選擇滿足您實(shí)際需求的橢偏儀/橢圓偏振儀產(chǎn)品，同時(shí)橢偏儀/橢圓偏振儀產(chǎn)品導(dǎo)購(gòu)專(zhuān)場(chǎng)還為您提供精品優(yōu)選橢偏儀/橢圓偏振儀產(chǎn)品和橢偏儀/橢圓偏振儀相關(guān)技術(shù)資料、解決方案、招標(biāo)采購(gòu)等綜合信息。