分子束外延 MBE-8
上海伯東代理鎧柏科技分子束外延設(shè)備 MBE-8 可以成長三寸以下的樣品, 樣品溫度可以加到 900 攝氏度, 如果是兩寸以下的樣品可以到 1100 攝氏度. 可以裝置 8個束源爐, 最大容量 40cc. 配備晶振, 束流監(jiān)控器, 高能電子槍以及監(jiān)控軟件. 可以裝置固體源, 氣體源 / ALD閥, 等離子增強(qiáng)型束源爐 ( plasma cell ) 及我們特制的電子回旋共振束源爐 ( ECR plasma cell ). 可裝電子槍 E-beam.
此腔體是用 SUS316 不銹鋼制作, 真空可到 2 10-10 torr, 使用上海伯東德國 Pfeiffer HiPace 700 分子泵.內(nèi)部有全罩式液態(tài)氮冷罩, 可提供非常大的抽氣效率. 分子束外延設(shè)備在長二維材料以及拓?fù)洳牧? 氧化物方面都有不錯的性能. 如: III-V 族, II-VI 族, Si / SiGe, 金屬與金屬氧化物 (因為我們有獨步全球的激光加熱器, 可到 2英寸), 以及 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, AlGaInN, CIGS, OLED 等.
分子束外延 MBE-8 主要參數(shù)
Cylindrical SS316L electro-polished chamber with Liquid N2 Cryopanel
~2E-10 Torr base Pressure
UHV pumps and gauges
3-in substrate size
4-axes sample manipulator (XYZ, and Rotation)
SiC heating element with sample heating temperature: 900 C
2-12 slots for effusion cells, gas source, vavle crackers, and/or plasma source
Standard RHEED system (real-time epitaxy monitoring)
Beam flux monitor
Mask system with z-motion
Pressure control system: upstream and downstream
FBBeam System Control Software
分子束外延設(shè)備優(yōu)勢
清潔基體表面, 無氧層
外延 ( 原子層 ) 沉積
沉積薄膜均勻性好, 純度高
金屬種子, 半導(dǎo)體材料和摻雜劑的原位沉積

精確控制熱蒸發(fā)
使用 RHEED 系統(tǒng)進(jìn)行現(xiàn)場涂層監(jiān)測
沉積薄膜的超豎琴 XRD 圖譜