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球墨鑄鐵合金均質(zhì)結(jié)構(gòu)金相分析專業(yè)顯微鏡

3.51wt%C、2.49wt%Si之無合金鐵素體系球墨鑄鐵，以熱膨脹儀進行不同溫度與時間
之奧氏體化處理。主要在探討鐵素體系球墨鑄鐵之奧氏體變態(tài)機構(gòu)
，及均質(zhì)化與溫度對奧氏體變態(tài)機構(gòu)之影響，并比較球墨鑄鐵與鋼之奧氏體化反應
的差異及其原因。

經(jīng)均質(zhì)化處理后之球墨鑄鐵，其奧氏體優(yōu)先成核位置為球墨／鐵素體界面，
而在球墨周圍之奧氏體成長，主要是依靠碳原子的擴散進行，而未均質(zhì)化球墨鑄鐵的優(yōu)
先成核、成長位置，包括球墨／鐵素體界面與共晶胞晶界；而在共晶胞晶界奧氏體的成長，
則包括碳原子的上坡擴散。均質(zhì)化與未均質(zhì)化者，均可以Avrami方程式來表示奧氏體
的反應動力學。

在大部分的奧氏體變態(tài)過程中，均質(zhì)化的變態(tài)速率均大于未均質(zhì)化者 。
此外，實驗亦證實鐵素體系球墨鑄鐵的奧氏體化反應為碳原子擴散控制機構(gòu)；
而其反應過程可分為四個階段，即
(1)快速成核，(2)等方性奧氏體成長，(3)非等方性奧氏體成長，
(4)奧氏體碳含量增加至飽和碳含量為止。
對未均質(zhì)化者而言，在攝氏880～950度，碳原子擴散是以在奧氏體相中的體擴散
與鐵素體中的晶界擴散組合為主；在攝氏1000～1100度，則以在奧氏體相中的
體擴散為主。而此擴散形式的差異，應是造成高、
低溫區(qū)奧氏體化反應活化能差異的原因之一