芯片實(shí)驗(yàn)樣品剖析的步驟有哪些-封裝測量讀數(shù)顯微鏡

  芯片剖析實(shí)驗(yàn)是解剖分析一個(gè)集成電路實(shí)驗(yàn)樣品，按照一定的解
剖分析順序，對已有的集成電路樣品進(jìn)行觀察分析。

  一般剖析過程包括以下幾個(gè)方面：（1 ）開殼前的檢查；（2 ）

  打開封裝的管殼；（3 ）利用顯微鏡觀察芯片；（4 ）通過芯片
照片和顯微鏡觀察，識別集成電路中的元器件，提取出線路圖和邏輯
圖；（5 ）利用測量顯微鏡測量芯片尺寸；（6 ）測量集成電路中各
個(gè)元器件的參數(shù)；（7 ）測量芯片縱向結(jié)構(gòu)；（8 ）分析芯片結(jié)構(gòu)；
（9 ）

  寫出芯片的剖析報(bào)告

  打開封裝的管殼時(shí)不能損傷芯片，一般利用機(jī)械和化學(xué)兩種方法
開殼。金屬封裝的管殼一般先挫去管帽邊沿，然后再打開。陶瓷等非
金屬材料封裝的管殼一般先在沸騰的醋酸中浸泡5-10分鐘后，然后用
刀撬開管殼。

  化學(xué)法可以用熱硫酸溶去塑料封裝外殼，取出芯片。芯片取出后，
首先在照相顯微鏡下拍攝一張清楚的芯片顯微相。照片要具有較大反
差可以使用彩色照片以便進(jìn)行觀察分析。條件許可的情況下可以使用
視頻采集系統(tǒng)，采集到

  實(shí)驗(yàn)步驟

  （1 ）制備好的金屬一半導(dǎo)體肖特基勢壘二極管的實(shí)驗(yàn)樣品，先
用讀數(shù)顯微鏡測出金屬膜的面積，然后，連接好測試儀器。

  （2 ）測量肖特基勢壘二極管的正向電流一電壓特性。

  （3 ）測試金屬一半導(dǎo)體肖特基勢壘二極管的電容- 電壓關(guān)系。

  （4 ）利用上述兩種方法求出肖特基勢壘高度并進(jìn)行分析討論。

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