芯片老化試驗(yàn)對(duì)于芯片測(cè)試非常重要，但是需要注意哪些要點(diǎn)呢？根據(jù)以往的經(jīng)驗(yàn)，工程師可以思考和豐富您的芯片老化測(cè)試方案：

　　目前最先進(jìn)的老化類型是TDBI（testduringburn-in老化試驗(yàn))。每個(gè)芯片都采用全功能測(cè)試模式和全響應(yīng)監(jiān)控。其優(yōu)點(diǎn)是能夠確定設(shè)備或接觸問(wèn)題的準(zhǔn)確故障時(shí)間和特性。減少老化泄漏，回收未暴露在老化電壓下的芯片。每個(gè)芯片的單獨(dú)監(jiān)控限制了老化板上可以施加壓力的部件數(shù)量，所需的設(shè)備使老化通常非常昂貴。

　　前一篇文章提到，IC測(cè)試已經(jīng)融入到集成電路制造的整個(gè)過(guò)程中，而不僅僅是一個(gè)單一的過(guò)程IC包裝后進(jìn)行。原因是設(shè)計(jì)、制造甚至測(cè)試本身都可能導(dǎo)致芯片產(chǎn)品失效。老化成本分析和經(jīng)濟(jì)不經(jīng)濟(jì)。例如，汽車規(guī)則芯片涉及駕駛安全、更嚴(yán)格的測(cè)試、更長(zhǎng)的使用壽命和更嚴(yán)格的測(cè)試環(huán)境。

　　IC老化測(cè)試項(xiàng)目多，老化測(cè)試要求參差不齊（多在國(guó)家老化測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)范圍內(nèi)）。必須提到最常見的老化測(cè)試HAST芯片高溫工作壽命試驗(yàn)HTOL，最近很多客戶都在問(wèn)：HAST和HTOL有什么區(qū)別？HAST怎么做測(cè)試？HTOL測(cè)試？什么是？IC老化測(cè)試？國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)老化測(cè)試？老化測(cè)試要做哪些項(xiàng)目？IC如何對(duì)芯片進(jìn)行老化測(cè)試？如何選擇老化測(cè)試座？

　　以上大部分問(wèn)題都是以前寫過(guò)的，可以閱讀以前的文章，也可以參考鴻毅電子信息文章中的詳細(xì)介紹。

　　IC老化測(cè)試座socket芯片上有老化板I/O隨著芯片數(shù)量的增加、芯片功能的多樣性和測(cè)試數(shù)量的增加，芯片老化測(cè)試板也有更多的層和設(shè)計(jì)要求，因此老化測(cè)試的成本將會(huì)更高。這就是為什么使用老化測(cè)試的公司不愿意更換老化板，而且成本太高；長(zhǎng)期消費(fèi)成本IC老化測(cè)試座。