電子顯微鏡的應(yīng)用技術(shù)-微細(xì)圖形的氧化層厚度

  對亞微米技術(shù)的需求來自持續(xù)不斷地要求改進(jìn)微電子技術(shù)
的壓力。目前的光學(xué)方法巳達(dá)到極限。日趨復(fù)雜的電子系統(tǒng)不
斷把存貯器和邏輯電路推向更高的水平。人們正設(shè)法在成本、
速度、集成度和功耗方面作進(jìn)一步的改進(jìn)。

在微波領(lǐng)域，看來砷化鎵器件可提供更優(yōu)良的性能。在名
目繁多的微波產(chǎn)品中，硅器件仍然有很廣的應(yīng)用范圍。
  對硅技術(shù)及其局限性進(jìn)行討論是有益的。硅加工技術(shù)顯然
仍將取得進(jìn)展。電子束制版的問世看來是硅技術(shù)發(fā)展史上的又
一個(gè)里程碑。

為了使亞微米技術(shù)的成本一效果更佳，必須克服現(xiàn)有的一些
技術(shù)局限性。因?yàn)榧呻娐返难谀３叽鐪p小了，所以產(chǎn)生了新
的尺寸減小、問題。掩模尺寸的減小與加工能力的提高相輔相
成。、任何實(shí)用靜硅集成電路都需要幾塊掩模，因此，隨著尺寸
的減小，掩模對準(zhǔn)變得越來越關(guān)鍵了。

在工藝加工方面有多種選擇方案，這些方案對亞微米系統(tǒng)
的性能可產(chǎn)生顯著的影響。各種自對準(zhǔn)技術(shù)已在光學(xué)尺寸中使
用了多年。其中的一些技術(shù)將適用于亞微米工藝。人們還可以
改變有關(guān)擴(kuò)散的掩蔽技術(shù)。采用微細(xì)圖形的氧化物源就不再需
要掩蔽用的特定的氧化層厚度。

  隨著尺寸的日益減小，理論研究顯示了基本的局限性。目
前大部分半導(dǎo)體理論建立在關(guān)于空穴和電子的統(tǒng)計(jì)概率的基礎(chǔ)
上。由于尺寸越來越小，特殊分布的統(tǒng)計(jì)概率就減小了。盡管
這最終將使亞微米技術(shù)產(chǎn)生局限性，但對0．5微米尺寸來說還
是不成閩題的。最后，重要的是確切地找出這些局限性是什么，
但是在目前，實(shí)際生產(chǎn)中的問題已經(jīng)存在。

由于尺寸極小，已無法用常規(guī)光學(xué)方法在硅片上刻蝕集成
電路圖形。這種微細(xì)尺寸使光學(xué)檢查手段一籌莫展。為替代可
見光，人們用X射線和電子束制作半導(dǎo)體晶片上的圖形。

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