晶體多晶層淀積外延層電子工業(yè)加工檢測顯微鏡

外延生長
  外延生長就是在基片上淀積一層外延層，此外延層的化學成分
或雜質(zhì)含量不同于基片，不過仍保留著原基片的晶相結(jié)構(gòu)。要獲得
符合器件要求的外延層，外延設(shè)備必須能夠精確控制各種參數(shù)，這
就是說，在將硅化合物引入反應(yīng)器時，必須嚴格控制溫度分布、攜
帶氣流、雜質(zhì)氣流和濃度?？刂坪眠@些參數(shù)，含硅化合物在加熱的
基片表面上產(chǎn)生熱分解，淀積一層單晶硅外延層。淀積層摻雜量的
精確控制是通過對引入氣流中雜質(zhì)類型和濃度的控制來實現(xiàn)的。這
樣生長的外延層，其雜質(zhì)分布是均勻的，不同于擴散過程產(chǎn)生的雜
質(zhì)濃度分布。外延生長的參數(shù)有：外延層電阻率、外延層厚度以及
晶體的完整度。外延晶體內(nèi)不能有缺陷，否則會嚴重影響以后的加
工。外延層缺陷之一是小斑點。這些小斑點是由于無規(guī)則的核化引
起的，高出外延層的整體，會給光刻工序造成困難。不過，對某些
結(jié)構(gòu)來說，多晶層淀積就可以了，一般用于非半導(dǎo)體基片，如淀積
在二氧化硅上。多晶材料可以在外延生長期間用來提供掩蔽，因為
它的腐蝕率與單晶外延材料不同。外延層最常見的用途是給集成電
路的制造提供一個襯底。如果外延層具有合適的厚度和電阻率，以
后它就成為晶體管的集電區(qū)。

  如果晶體管要求一個低飽和電阻，那末，就需要一個電導(dǎo)較高
的集電區(qū)。解決的辦法有兩個：一種方法是淀積二次外延層，第一
次的雜質(zhì)濃度應(yīng)高于第二次，一般具有一個類似于標準功能塊器件
所要求的摻雜量。另一種方法是在擴散之后再淀積一層外延層；擴
散方法還有利于在要求高電導(dǎo)率的特定圖形上作選擇性擴散。

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