系統(tǒng)芯片晶體設(shè)計(jì)工藝技術(shù)故障測(cè)試顯微鏡

半導(dǎo)體工藝技術(shù)的不斷進(jìn)步使大型的和復(fù)雜的系統(tǒng)芯片的設(shè)計(jì)成為
可能。一方面，先進(jìn)工藝的使用有助于滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)關(guān)于計(jì)算
處理能力、速度、芯片尺寸和形狀系數(shù)的需求；另一方面，它也帶
來(lái)幾項(xiàng)測(cè)試的挑戰(zhàn)。這些測(cè)試挑戰(zhàn)中的一部分與測(cè)試數(shù)據(jù)容量和測(cè)
試模式大小有關(guān)，是由于芯片龐大的尺寸所造成的，其他的測(cè)試挑
戰(zhàn)是新出現(xiàn)的并且不易理解，其中一個(gè)關(guān)鍵的挑戰(zhàn)就是小延遲缺陷
的測(cè)試和診斷。如果小延遲缺陷發(fā)生在關(guān)鍵路徑上，則它們會(huì)引起
電路的即刻失效，而如果它們發(fā)生在非關(guān)鍵路徑上也會(huì)引起主要的
質(zhì)量問(wèn)題。需要重點(diǎn)強(qiáng)調(diào)的就是，小延遲缺陷并不是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中
新出現(xiàn)的一種現(xiàn)象，它們也存在于較老的工藝節(jié)點(diǎn)中。但是在先進(jìn)
的節(jié)點(diǎn)中，它們的重要性和對(duì)產(chǎn)品質(zhì)量的影響顯著增加。在現(xiàn)今的
數(shù)千兆赫級(jí)以及數(shù)百萬(wàn)級(jí)晶體管設(shè)計(jì)中，對(duì)小延遲缺陷的測(cè)試是在
產(chǎn)品很短的生命跨度期間確保產(chǎn)品質(zhì)量的關(guān)鍵所在。

  傳統(tǒng)的測(cè)試方法例如固定型故障測(cè)試以及過(guò)渡故障測(cè)試，它們
確實(shí)能夠?qū)Υ蟛糠秩毕莓a(chǎn)生很高的覆蓋率。但是在固定型故障測(cè)試
無(wú)法覆蓋小延遲缺陷的地方，過(guò)渡故障測(cè)試也無(wú)法鎖定并檢測(cè)所有
種類的小延遲缺陷。例如，在非常短的路徑上的小延遲缺陷很有可
能無(wú)法被傳統(tǒng)的過(guò)渡故障模式所檢測(cè)到，因?yàn)閭鹘y(tǒng)的過(guò)渡故障模式
通常沿著最簡(jiǎn)單的可測(cè)路徑而生成，這可能是最短的、中間長(zhǎng)度的
或是最長(zhǎng)的路徑。路徑延遲模式可以提供小延遲缺陷很好的覆蓋率
，但隨著設(shè)計(jì)復(fù)雜度的增加，它們也會(huì)遭受路徑數(shù)量的指數(shù)型增長(zhǎng)
。簡(jiǎn)言之，對(duì)小延遲缺陷的高質(zhì)量的測(cè)試需要特殊的(通常是專用
的)測(cè)試方法，這些方法可以分為三個(gè)基本類別：①時(shí)序敏感模式
生成；②超速測(cè)試；③基于模式／故障選擇的混合型技術(shù)。本書對(duì)
用于工業(yè)界的以及為測(cè)試小延遲缺陷而由學(xué)術(shù)界所提出的不同的測(cè)
試方法進(jìn)行了詳細(xì)的分析

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