試驗目的：考核微電路在高能粒子輻照環(huán)境下的工作能力。高能粒子進入微電路會使微觀結構發(fā)生變化產生缺陷或產生附加電荷或電流。從而導致微電路參數退化、發(fā)生鎖定、電路翻轉或產生浪涌電流引起燒毀失效。輻照超過某一界限會使微電路產生永久性損傷。

（陽光模擬輻照試驗箱）

試驗條件：微電路的輻照試驗主要有中子輻照和 射線輻照兩大類。又分總劑量輻照試驗和劑量率輻照試驗。劑量率輻照試驗都是以脈沖的形式對披試微電路進行輻照的。在試驗中要依據不同的微電路和不同的試驗目的嚴格控制輻照的劑量串和總劑量。否則會由于輻照超過界限而損壞樣品或得不到要尋求的閩值。輻照試驗要有防止人體損傷的安全措施。