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磁控濺射鍍膜機 NSC-3500（A）全自動磁控濺射系統(tǒng)
NSC-3500（A）全自動磁控濺射系統(tǒng)概述：帶有水冷或者加熱(可加熱到700度)功能，可達到6旋轉(zhuǎn)平臺，支持到3個偏軸平面磁控管。系統(tǒng)配套渦輪分子泵，極限真空可達10-7Torr，15分鐘內(nèi)可以達到10-6Torr的真空。通過調(diào)整磁控管與基片之間的距離，可以獲得想要的均勻度和沉積速度。NSC-3500（A）帶有14”立方形不銹鋼腔體，3個2”
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2025-01-23 |
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光學(xué)鍍膜機 NOC-4000光學(xué)鍍膜系統(tǒng) 那諾-馬斯特
NOC-4000光學(xué)鍍膜系統(tǒng)概述：NANO-MASTER NOC-4000光學(xué)涂覆系統(tǒng)提供先進的技術(shù)，在一個腔體中實現(xiàn)原子級清洗和光學(xué)樣片拋光，然后把樣片傳送到第二級腔體中對同一樣片進行表面涂覆，整個過程不間斷真空。系統(tǒng)的設(shè)計也可以支持其中任一個腔體的單獨使用，同時具備各自的自動上/下載片功能。NOC-4000光學(xué)鍍膜系統(tǒng)應(yīng)用：光學(xué)涂
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2025-01-23 |
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NMC-4000（A）全自動PAMOCVD系統(tǒng)
NMC-4000（A）全自動PAMOCVD系統(tǒng)概述：NANO-MASTER針對InGaN及AlGaN沉積工藝所研發(fā)的臺式等離子輔助金屬有機化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)(PA-MOCVD),該系統(tǒng)具有5個鼓泡裝置(各帶獨立的冷卻槽)、加熱的氣體管路、950度樣品臺三個氣體環(huán)、淋浴式氣體分布的RF射頻等離子源以及工藝終端的N2沖洗、250l/sec渦輪分子泵及無油真空泵(5 x 10-7T
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2025-01-23 |
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等離子體刻蝕 NRE-4000型RIE-PE刻蝕機
NRE-4000型RIE-PE刻蝕機概述：NRE-4000是一款獨立式PE刻蝕RIE刻蝕一體機，配套有淋浴頭氣體分布裝置以及水冷RF樣品.具有不銹鋼柜子以及13的上蓋式圓柱形鋁腔,便于晶圓片裝載.腔體有兩個端口：一個帶有2的視窗,另一個空置用于診斷.該系統(tǒng)可以支持至大到12的晶圓片。腔體為超凈設(shè)計，并且根據(jù)配套的真空泵可以達到10-6Torr 或
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2025-01-23 |
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NLD-4000（A）全自動原子層沉積系統(tǒng)
NLD-4000(A)全自動原子層沉積系統(tǒng)概述：原子層沉積是一項沉積薄膜的重要技術(shù)，具有廣泛的應(yīng)用。ALD原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠超過其它沉積技術(shù)。由于前驅(qū)體流量的隨意性不會帶來影響，所以在ALD原子層沉積中有序、自限制的表面反應(yīng)將會帶來非統(tǒng)計的沉積。這使得ALD
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2025-01-23 |
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離子束刻蝕 NIE-4000IBE離子束刻蝕系統(tǒng)
NIE-4000IBE離子束刻蝕系統(tǒng)概述：如銅和金等金屬不含揮發(fā)性化合物，這些金屬的刻蝕無法在RIE系統(tǒng)中完成。然而通過加速的Ar離子進行物理刻蝕則是可能的。通常情況下，樣品表面采用厚膠作為掩模層，刻蝕期間富有能量的離子流會使得基片和光刻膠過熱。除非可以找到有效的方式消除熱量，否則光刻膠將變得非常難以去除。NANO-MAS
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2025-01-23 |
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離子束刻蝕機 NIE-4000（A）全自動IBE離子束刻蝕
NIE-4000（A）全自動IBE離子束刻蝕產(chǎn)品概述：如銅和金等金屬不含揮發(fā)性化合物，這些金屬的刻蝕無法在RIE系統(tǒng)中完成。然而通過加速的Ar離子進行物理刻蝕則是可能的。通常情況下，樣品表面采用厚膠作為掩模層，刻蝕期間富有能量的離子流會使得基片和光刻膠過熱。除非可以找到有效的方式消除熱量，否則光刻膠將變得非常難以去
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2025-01-23 |
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ICP刻蝕 NRE-4000（ICPM）ICP刻蝕機
NRE-4000（ICPM）ICP刻蝕機概述：是帶ICP等離子源和偏壓樣品臺的高速刻蝕系統(tǒng)，系統(tǒng)可以達到高速率、低損傷、高深寬比的刻蝕效果?？蓪崿F(xiàn)范圍廣泛的刻蝕工藝，包括刻蝕III-V化合物（如GaAs，InP，GaN，InSb）、II-VI化合物、介質(zhì)材料、玻璃、石英、金屬，以及硅和硅的化合物（如SiO2、Si3N4、SiC、SiGe）等。NRE-4000（ICPM
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2025-01-23 |
產(chǎn)品分類
