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T-SERS表面增強(qiáng)拉曼基板使用新穎的納米雕刻技術(shù)，藉由等離子體在近場(chǎng)金屬納米結(jié)構(gòu)的交互作用，增強(qiáng)待測(cè)目標(biāo)的拉曼信號(hào)。

T-SERS表面增強(qiáng)拉曼芯片 

自然界里的分子與細(xì)胞都有拉曼光譜指紋，但是其信號(hào)微弱;納米表面增強(qiáng)基板可將拉曼光譜信號(hào)增強(qiáng)數(shù)百萬(wàn)倍以上的強(qiáng)度，解決光譜分析上的困難。

T-SERS表面增強(qiáng)拉曼基板使用新穎的納米雕刻技術(shù)，藉由等離子體在近場(chǎng)金屬納米結(jié)構(gòu)的交互作用，增強(qiáng)待測(cè)目標(biāo)的拉曼信號(hào)。

氣相沉積納米雕刻技術(shù) PVD
納米雕刻技術(shù)屬于一種物理氣相真空鍍膜方式，使用電子槍系統(tǒng)將粒狀固態(tài)金屬靶材溶化并以磁場(chǎng)轟擊轉(zhuǎn)換成氣態(tài)分子，在基板上成長(zhǎng)納米孔隙結(jié)構(gòu);借著調(diào)整基板載臺(tái)的方向與鍍膜參數(shù)可以控制納米結(jié)構(gòu)的尺寸與外型。此鍍膜技術(shù)具有大面積、高均勻度之特點(diǎn)。表面增強(qiáng)拉曼基板使用常見(jiàn)的金屬材料(如金、銀、銅等)，做為激發(fā)廣波長(zhǎng)范圍的納米等離子體結(jié)構(gòu)，可有效的增強(qiáng)待測(cè)分子或細(xì)胞的拉曼信號(hào)。

主要特性

（1）適用于寬波段拉曼激發(fā)范圍(532nm到 785nm,  選配：1064nm)（2）高靈敏度檢測(cè),一千萬(wàn)倍表面增強(qiáng)拉曼信號(hào)(大多數(shù)吸附表面待測(cè)分子)（3）高表面結(jié)構(gòu)均勻度與良好拉曼信號(hào)重復(fù)性（4）優(yōu)秀的品質(zhì)和性價(jià)比

應(yīng)用場(chǎng)景

（1）植物病毒檢驗(yàn)（2）食品安全（3）農(nóng)作物農(nóng)藥殘留檢驗(yàn)（4）環(huán)境污染監(jiān)測(cè)（5）藥物成份分析（6）細(xì)胞、病毒偵測(cè)（7）水污染偵測(cè)（8）科學(xué)辨識(shí) 

其他公司的產(chǎn)品，結(jié)構(gòu)分布不均勻，Q-SERS產(chǎn)品

具有非常致密均勻的納米涂層。采用PVD納米鍍膜。

 

測(cè)試數(shù)據(jù)

 

 

以上圖譜采用拉曼量測(cè)設(shè)備: Micro Raman System (Ramboss-500i)

 

以上圖譜采用拉曼量測(cè)設(shè)備: Jobin Yvon (LabRAM HR)

 

 

詳細(xì)參數(shù)

有效區(qū)域

標(biāo)準(zhǔn)尺寸： 2.2 x 2.2mm2
定制尺寸：3 x 3mm2  ,4 x 4mm2 金屬鍍膜/硅芯片

基板

載玻片(75mm x 25mm x2mm)

金屬材料

銀

制程方式

物理氣相沉積
Glancing angle technology(GLAD)/PVD

表面結(jié)構(gòu)

Nano-pillars 納米柱陣列

適合激發(fā)波長(zhǎng)/量測(cè)條件

標(biāo)準(zhǔn) ：532nm, 633nm, and 785 nm
選配：1064nm, Spot size 5
10X物鏡倍率;濕式量測(cè)(建議)
power density: 2mW/10 m2

增強(qiáng)倍率

10,000,000 (大多數(shù)可吸附表面之待測(cè)分子)@Rh6G

產(chǎn)品代碼

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*驗(yàn)證碼:  = 請(qǐng)輸入計(jì)算結(jié)果（填寫阿拉伯?dāng)?shù)字），如：三加四=7