研究各種各樣的材料，并進(jìn)行結(jié)構(gòu)和成份表征，是目前對掃描電鏡的主流應(yīng)用要求。FEI Quanta FEG系列靈活、通用，足以應(yīng)對當(dāng)今人們廣博的研究方向這一挑戰(zhàn)?！胺治鋈魏螛悠?，得到所有數(shù)據(jù)”，在Quanta FEG上可得到表面像和成份像，并可輔以多種附件來確定材料的性質(zhì)和元素組成。

一、 主要優(yōu)點(diǎn)

1） 世界上唯一具有環(huán)境掃描技術(shù)的高分辨場發(fā)射掃描電鏡

2） 在各種操作模式下分析導(dǎo)電和不導(dǎo)電樣品，得到二次電子像和背散射電子像

3） 最大程度降低樣品制備要求:低真空/環(huán)境真空技術(shù)使得不導(dǎo)電樣品和/或含水樣品不經(jīng)導(dǎo)電處理即可直接成像和分析，樣品表面無電荷累積現(xiàn)象

4） 專利的“穿過透鏡”的壓差真空系統(tǒng)，對導(dǎo)電和不導(dǎo)電樣品都可進(jìn)行EDS/EBSD分析，不管是在高真空模式或在低真空模式。穩(wěn)定的大束流(最大 200 nA)確保能譜及EBSD分析工作的快速、準(zhǔn)確

5） 電鏡可作為一個(gè)微觀實(shí)驗(yàn)室。安裝特殊的原位樣品臺后，在從- 165 °C到1500 °C溫度范圍內(nèi)，對多種樣品保持其原始狀態(tài)下進(jìn)行動態(tài)原位分析

6） 對導(dǎo)電樣品，可選用減速模式得到表面和成份信息

7） 直觀、簡便易用的軟件，即使電鏡新手也能輕易上手

二、 典型應(yīng)用

1、納米表征

1）金屬及合金, 氧化/腐蝕, 斷口, 焊點(diǎn), 拋光斷面, 磁性及超導(dǎo)材料

2）陶瓷, 復(fù)合材料, 塑料

3）薄膜/涂層地質(zhì)樣品斷面, 礦物

4）軟物質(zhì): 聚合物, 藥品, 過濾膜, 凝膠, 生物組織, 木材

5）顆粒, 多孔材料, 纖維

2、原位過程分析

1）增濕/去濕

2）浸潤行為/接觸角分析

3）氧化/腐蝕

4）拉伸 (伴隨加熱或冷卻)

5）結(jié)晶/相變

3、納米原型制備

1）電子束曝光 (EBL)

2）電子束誘導(dǎo)沉積(EBID)

三、主要參數(shù)

1、電子光學(xué)

1）高分辨肖特基場發(fā)射電子槍

2）優(yōu)化的高亮度、大束流鏡筒

3）45°錐度物鏡極靴，及“穿過透鏡”的壓差真空系統(tǒng)，加熱式物鏡光闌

4）加速電壓: 200 V - 30 kV

5）束流: 最大200 nA并連續(xù)可調(diào)

6）放大倍數(shù): 6 x 1,000,000 x (四幅圖像顯示)

2、分辨率

1）高真空

30 kV下0.8 nm (STEM)*

30 kV下1.0 nm (SE)

30 kV下2.5 nm (BSE)*

1 kV下3.0 nm (SE)

2）高真空下減速模式*

1 kV下3.0 nm (BSE)*

1 kV下2.3 nm (ICD)*

200 V下3.1 nm (ICD)*

3）低真空

30 kV下1.4 nm (SE)

30 kV下 2.5 nm (BSE)

3 kV下3.0 nm (SE)

4）環(huán)境真空 (ESEM)

30 kV下1.4 nm (SE)

3、檢測器

1）E-T二次電子探頭

2）大視場低真空氣體二次電子探頭 (LFD)

3）氣體二次電子探頭 (GSED)

4）樣品室紅外CCD相機(jī)

5）高靈敏度、低電壓固體背散射探頭*

6）氣體背散射探頭*

7）四分固體背散射探頭*

8）閃爍體型背散射探頭/CLD*

9）vCD (低電壓、高襯度探頭)*

10）鏡筒內(nèi)探頭(ICD)，用于減速模式下二次電子檢測*

11）電子束流檢測器*

12）分析型氣體背散射探頭 (GAD)*

13）STEM探頭*

14）Nav-Cam 光學(xué)相機(jī)彩色成像，用于樣品導(dǎo)航*

15）陰極熒光探測器*

16）能譜*

17）波譜*

18）EBSD*

19）極靴底部安裝四環(huán)分隔式定向型背散射電子探頭 (DBS)*

4、真空系統(tǒng)

1）1個(gè) 250 l/s 渦輪分子泵, 2個(gè)機(jī)械泵

2）專利的“穿過透鏡”的壓差真空系統(tǒng)

3）電子束在氣體區(qū)域的行程：10 mm或2 mm

4）可升級成無油機(jī)械泵

5）2個(gè)離子泵

6）樣品室真空度 (高真空模式) 6e-4 Pa

7）樣品室真空度(低真空模式) 10 to 130 Pa

8）樣品室真空度(環(huán)境真空模式) 10 to 4000 Pa

9）典型換樣時(shí)間: 高真空模式≤ 150秒；低真空及環(huán)境真空模式≤ 270秒 (FEI標(biāo)準(zhǔn)測試程序)

5、樣品室

1）左右內(nèi)徑284 mm

2）10 mm分析工作距離

3）8個(gè)探測器 / 附件接口

4）EDS采集角: 35°

6、樣品臺

1）X/Y = 100 mm

2）Z = 60 mm

3）Z向間隙75mm

4）傾斜：- 5° - + 70°

5）連續(xù)旋轉(zhuǎn)360°

6）重復(fù)精度: 2 μm (X/Y方向)

7）偽全對中樣品臺

7、樣品座

1）多樣品座

2）單樣品座

3）通用樣品座套件*

4）適用于硅片或其它特殊要求的樣品座*

8、圖像處理器

1）最大6144 x 4096像素

2）圖像文件格式：TIFF (8,16 or 24 bit), BMP or JPEG

3）單窗口或四窗口圖像顯示

4）四活動窗口

5）實(shí)時(shí)或靜態(tài)按彩色或按灰度等級信號混合

6）256 幀平均或積分

7）數(shù)字動畫記錄 (.avi格式)

8）直方圖及圖像測量軟件

9）DCFI (漂移補(bǔ)償積分)

9、支持軟件

1）SmartSCAN 智能掃描技術(shù)

2）蒙太奇圖像導(dǎo)航

3）軟件溫度控制

4）FEI動畫生成工具