激光濺射沉積系統(tǒng) 激光濺射沉積系統(tǒng)是一種利用激光對物體進行轟擊，然后將轟擊出來的物質(zhì)沉淀在不同的襯底上，得到沉淀或者薄膜的一種手段。激光濺射沉積系統(tǒng)四個階段：1、激光輻射與靶的相互作用；2、熔化物質(zhì)的動態(tài)；3、熔化物質(zhì)在基片的沉積；4、薄膜在基片表面的成核與生成。激光濺射沉積系統(tǒng)將在半導體薄膜、超晶格、超導、生物涂層等功能薄膜的制備方面發(fā)揮重要的作用。 精品推薦
品牌： 芬蘭Picosun 型號： PICOSUN? R-200 Advanced 產(chǎn)地：芬蘭 供應(yīng)商：北京正通遠恒科技有限公司

PICOSUN? R系列ALD產(chǎn)品能夠沉積高質(zhì)量薄膜，即使襯底結(jié)構(gòu)十分復(fù)雜，如多孔材料、高深寬比的溝槽或者納米顆粒, 沉積的薄膜均勻性也極其優(yōu)異。

品牌： 芬蘭Picosun 型號： PICOSUN? R-200 Standard 產(chǎn)地：芬蘭 供應(yīng)商：北京正通遠恒科技有限公司

Picosun功能強大、易更換的固、液、氣態(tài)前驅(qū)體輸運系統(tǒng)確?？梢栽诠杵矫婊?D復(fù)雜基片及所有納米尺度的特征器件上制備無顆粒的薄膜

品牌： 英國Hiden Analytical 型號： PLD MBE 產(chǎn)地：英國 供應(yīng)商：北京英格海德分析技術(shù)有限公司

產(chǎn)品簡介激光分子束外延鍍膜系統(tǒng)PLD MBE激光分子束外延鍍膜系統(tǒng)的主體是一個UHV激光分子束外延裝置。使用準分子激光進行基底加熱；脈沖激光做為幅照源。使用兩個組合的掩膜和一個掃描式的反射高能電子衍射（RHEED）設(shè)備，系統(tǒng)能同時制備很多樣品（250個/10mm2）。每個樣品都是原子級的控制，可以設(shè)置不同的生長條件。在UHV中使用激光輻照的組合的掩模和靶材。 這個組合膜沉積的概念，是由于使用分離的基底、小區(qū)域的掩模和每個樣品不同的生長參數(shù)導致的沉積條件的系統(tǒng)變化。最顯著的貢獻就是可以快速地篩選生長條件。功能特點精準層蔽控制原子層外延膜結(jié)構(gòu)或形態(tài)均勻或梯度的快速振蕩信號需依成膜條件和成膜品質(zhì)專業(yè)LabView提供全自動制程數(shù)字控制9項日本專利、3個國際專利技術(shù)參數(shù)激光加熱：            溫度 1000℃)高壓可操作：          ~133Pa6種靶材的公轉(zhuǎn)和自轉(zhuǎn)鍍膜腔真空度：        ~5e-9TorrLoad-Lock腔：         ~5e-7 Torr 可放置兩個樣品以及四個靶材全自動數(shù)字控制

品牌： 芬蘭Picosun 型號： PICOSUN? P-300 Pro 產(chǎn)地：芬蘭 供應(yīng)商：北京正通遠恒科技有限公司

PICOSUN? P系列量產(chǎn)ALD系統(tǒng)定義了高產(chǎn)量ALD的新時代。我們?nèi)詣踊⒄婵占号c產(chǎn)線兼容的P系列ALD確保了最大的產(chǎn)出效率，并且具有世界級的工藝純度和薄膜均勻性，甚至能完全滿足具有最嚴格要求的半導體行業(yè)標準。

品牌： 芬蘭Picosun 型號： PICOSUN? P-1000 Pro 產(chǎn)地：芬蘭 供應(yīng)商：北京正通遠恒科技有限公司

PICOSUN? P系列量產(chǎn)ALD系統(tǒng)定義了高產(chǎn)量ALD的新時代。我們?nèi)詣踊?、真空集群與產(chǎn)線兼容的P系列ALD確保了最大的產(chǎn)出效率，并且具有世界級的工藝純度和薄膜均勻性，甚至能完全滿足具有最嚴格要求的半導體行業(yè)標準。

品牌： 芬蘭Picosun 型號： PICOSUN? P-300 Advanced 產(chǎn)地：芬蘭 供應(yīng)商：北京正通遠恒科技有限公司

PICOSUN? P系列量產(chǎn)ALD系統(tǒng)定義了高產(chǎn)量ALD的新時代。我們?nèi)詣踊?、真空集群與產(chǎn)線兼容的P系列ALD確保了最大的產(chǎn)出效率，并且具有世界級的工藝純度和薄膜均勻性，甚至能完全滿足具有最嚴格要求的半導體行業(yè)標準。

品牌： 美國SVT Associates 型號： PLD-01/PLD-02 產(chǎn)地：美國 供應(yīng)商：美國SVTA公司中國辦事處

●SVT SMART（Scientific Materials and Applied Research Tool）脈沖激光沉積系統(tǒng)具有獨一無二的優(yōu)越性。它可以把激光燒蝕技術(shù)和我們所擁有的其他沉積技術(shù)（如RF源）集成于一臺設(shè)備上?？梢陨L各種可能的材料?！衽溆?個旋轉(zhuǎn)靶臺，實現(xiàn)多層薄膜結(jié)構(gòu)生長?！窨膳c準分子激光和Yag激光相連?！裨诰€監(jiān)控儀器做為可選件，為客戶提供高質(zhì)量的工藝信息反饋?！裱b載室不但可以裝取樣品，還可以與其他生長設(shè)備或分析設(shè)備相連。 應(yīng)用●多元素復(fù)合氧化物●高溫超導材料●磁性材料、金屬材料●低蒸汽壓材料●MEMS 基本系統(tǒng)腔室及真空泵 12’’ 快速門，250l/s 分子泵，全量程規(guī)沉積源 靶臺，6X1’’(25mm) 靶，可以水平旋轉(zhuǎn)，可Z方向移動樣品臺 1’’(25mm)大小，可加熱至800oC（1000oC可選），可水平旋轉(zhuǎn)，可Z方向移動在線工藝監(jiān)控 石英晶振沉積速率監(jiān)控儀自動化自動化裝置： 控制樣品溫度和旋轉(zhuǎn) 靶臺的位置控制 靶臺旋轉(zhuǎn) 氣體控制 速率及厚度計算（利用QCM輸出） 激光束掃描（可選） 激光束屏蔽控制 自動泵抽和充氣 差分泵抽結(jié)構(gòu) RHEED分析（可選） 裝載室壓強監(jiān)控（可選）主要特點RF射頻等離子源(氧,氮)升級高真空增加進樣室升級為Laser-MBE （L-MBE）系統(tǒng)自動軟件控制 提供更潔凈的薄膜生長環(huán)境,完美的溫度控制解決方案.

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