俄歇電子能譜 俄歇電子能譜（簡(jiǎn)稱AES），是一種表面科學(xué)和材料科學(xué)的分析技術(shù)。因此技術(shù)主要借由俄歇效應(yīng)進(jìn)行分析而命名之。這種效應(yīng)系產(chǎn)生于受激發(fā)的原子的外層電子跳至低能階所放出的能量被其他外層電子吸收而使后者逃脫離開原子，這一連串事件稱為俄歇效應(yīng)，而逃脫出來(lái)的電子稱為俄歇電子。俄歇能譜儀包括電子光學(xué)系統(tǒng)、電子能量分析器、樣品安放系統(tǒng)、離子槍、超高真空系統(tǒng)。 精品推薦
品牌： 日本Ulvac-Phi 型號(hào)： PHI 710 產(chǎn)地：日本 供應(yīng)商：高德英特（北京）科技有限公司

??俄歇電子能譜儀（Auger Electron Spectrometer, AES）為微電子業(yè)常見的表面分析技術(shù)之一。原理是利用一電子束為激發(fā)源，使表面原子之內(nèi)層能級(jí)的電子游離出，原電子位置則會(huì)產(chǎn)生空穴，導(dǎo)致能量不穩(wěn)定，此時(shí)外層電子會(huì)填補(bǔ)產(chǎn)生之電洞，進(jìn)而釋放能量傳遞至外層能級(jí)電子，造成接受能量的電子被激發(fā)游離，游離的電子即為Auger電子。因其具有特定的動(dòng)能，所以能依據(jù)動(dòng)能的不同來(lái)判定材料表面的元素種類。PHI的710納米探針俄歇掃描提供高性能的俄歇（AES）頻譜分析，俄歇成像和濺射深度分析的復(fù)合材料包括：納米材料，催化劑，金屬和電子設(shè)備。維持基于PHI CMA的核心俄歇儀器性能，和響應(yīng)了用戶所要求以提高二次電子（SE）成像性能和高能量分辨率光譜。PHI同軸筒鏡分析器（CMA）采用和電子槍同軸的幾何設(shè)計(jì)，在保證了高靈敏度和寬角度地收集俄歇電子，這是納米分析技術(shù)的基礎(chǔ)。為了提高SE成像性能，使用閃爍計(jì)數(shù)器，提高圖像質(zhì)量，另配備手柄旋鈕操作再一次提高了易用性。在不用修改CMA和仍維持俄歇在納米分析的優(yōu)勢(shì)下，再添加了高能量分辨率光譜模式，使化學(xué)態(tài)分析的可能再大大的提高。總括來(lái)說(shuō)，PHI 710以優(yōu)越的俄歇納米探針從世界領(lǐng)先的俄歇表面分析儀器，提供了實(shí)用和成熟的技術(shù)，以滿足納米尺度所需要的廣泛實(shí)驗(yàn)與研發(fā)的用途。特點(diǎn)：l 同軸幾何設(shè)計(jì)和高靈敏度的俄歇電子譜：PHI 710的場(chǎng)發(fā)射電子源提供了一個(gè)高亮度而直徑小于6 nm的電子束以產(chǎn)生二次電子成像。PHI 710的同軸幾何使用了“同軸式分析器（CMA）”，保持高靈敏度的同時(shí)實(shí)現(xiàn)了寬角度的俄歇電子收集，即使樣品是表面平滑或復(fù)雜的形狀或高表面粗糙度，都可以確保迅速完成所有分析程序。l 高穩(wěn)定性成像平臺(tái)：隔音罩與振動(dòng)隔離器提供更穩(wěn)定的成像和分析。隔音罩可以很好地將低頻范圍從30Hz到50kHz屏蔽到20dB左右的聲壓水平（SPL），并降低溫度變化對(duì)SEM圖像漂移的影響。新的振動(dòng)隔離器也減少了地面振動(dòng)對(duì)掃描電鏡圖像和小面積分析的影響。??????l 增強(qiáng)的SE圖像用戶界面：PHI 710增強(qiáng)SE成像性能，使用閃爍計(jì)數(shù)器在儀器上從而提高圖像質(zhì)量，配備手柄旋鈕操作面更再次提高了使用的方便性。???l 新的高分辨率光譜模式：隨著PHI的新技術(shù)，能量分辨率可調(diào)從0.5%到0.05%。多種化學(xué)物質(zhì)的狀態(tài)可以更容易有效的被觀察出來(lái)。??l PHI SmartSoft-AES用戶界面：SmartSoft AES 是在 Windows 系統(tǒng)上運(yùn)行的PHI 710 控制軟件。軟件設(shè)置的AES分析操作流程顯示在屏幕上 ，即便是初學(xué)者也可以輕松掌握。為提高分析效率，該軟件能同時(shí)呈現(xiàn)實(shí)時(shí)測(cè)量位置，SEM圖、俄歇分布圖。應(yīng)用領(lǐng)域：l 半導(dǎo)體組件：缺陷分析、蝕刻／清潔殘余物分析、短路問(wèn)題分析、接觸污染物分析、接口擴(kuò)散現(xiàn)象分析、封裝問(wèn)題分析等、FIB組件分析l 顯示器組件：缺陷分析、蝕刻／清潔殘余物分析、短路問(wèn)題分析、接觸污染物分析、接口擴(kuò)散現(xiàn)象分析等l 磁性儲(chǔ)存組件：定義層、表面元素、接口擴(kuò)散分析、孔洞缺陷分析、表面污染物分析、磁頭缺陷分析、殘余物分析等l 玻璃及陶瓷材料：表面沉積物分析、清潔污染物分析、晶界分析等

品牌： 日本Ulvac-Phi 型號(hào)： PHI 4700 產(chǎn)地：日本 供應(yīng)商：高德英特（北京）科技有限公司

??在開發(fā)新材料及薄膜制程上，為了有助于了解材料組成間的相互作用及解決工藝流程的問(wèn)題，材料組成或薄膜迭層的深度分析是非常重要的。PHI 4700使用了AES分析技術(shù)為基礎(chǔ)，搭配靈敏度半球型能量分析器、10 kV LaB6掃瞄式電子槍、5 kV浮動(dòng)柱狀式Ar離子槍及高精密度自動(dòng)樣品座。針對(duì)例行性的俄歇縱深分析、微區(qū)域的故障分析，提供了全自動(dòng)與及高經(jīng)濟(jì)效益的解決方法。PHI 4700是建基于Ulvac-Phi公司的高性能PHI 700Xi俄歇掃描納米探針。它提供了高度自動(dòng)化，低成本、高效益的方案進(jìn)行例行俄歇深度分析和微米范圍的故障分析。 PHI 4700可以輕易的配備上互聯(lián)網(wǎng)的設(shè)備，以供遠(yuǎn)程操作或監(jiān)控之用。優(yōu)點(diǎn)：l 量化薄膜的成分l 層的厚度測(cè)量l 檢測(cè)相互擴(kuò)散層l 微米范圍多點(diǎn)分析基本規(guī)格：l 全自動(dòng)多樣品縱深分析：PHI 4700薄膜分析儀在微小區(qū)域之縱深分析擁有絕佳的經(jīng)濟(jì)效益，可在SEM上特定微米等級(jí)之微小區(qū)域快速進(jìn)行深度分析。圖2顯示長(zhǎng)年使用的移動(dòng)電話鍍金電極正常與變色兩個(gè)樣品之縱深分析結(jié)果，兩者材質(zhì)皆為鍍金之錫磷合金。從電極二（變色電極）可看到金屬錫擴(kuò)散到鍍金膜上，因?yàn)榻缑娴母g而產(chǎn)生氧及錫導(dǎo)致電極變色。???????l 靈敏度半球型能量分析器：PHI 4700半球形能量分析器和高傳輸輸入透鏡可提供最高的靈敏度和大幅縮短樣品分析時(shí)間。除此之外，具有全自動(dòng)的量測(cè)功能，此裝置可在短時(shí)間內(nèi)測(cè)量多個(gè)樣品。 點(diǎn)選屏幕上軟件所顯示的樣品座，可以記錄欲量測(cè)的位置，對(duì)產(chǎn)品與工藝流程管理上之?dāng)?shù)據(jù)搜集可進(jìn)行個(gè)別分析。??????l 10 kV LaB6掃瞄式電子槍：PHI的06-220電子槍是基于一個(gè)以LaB6為電子源燈絲以提供穩(wěn)定且長(zhǎng)壽命電子槍的工具，主要在氬氣濺射薄膜時(shí)進(jìn)行深度分析。06-220電子槍還可以：產(chǎn)生二次電子成像，俄歇測(cè)繪和多點(diǎn)分析。在加速電壓調(diào)節(jié)從0.2至10千伏。電子束的最小尺寸可保證小于80納米。l 浮動(dòng)柱狀式Ar離子槍：PHI的FIG- 5B浮動(dòng)柱狀式Ar離子槍:提供離子由5伏到5千伏。大電流高能量離子束被用于厚膜，低能量離子束（250-500 V）用于超薄膜。浮動(dòng)柱狀式，確保高蝕刻率與低加速電壓。物理彎曲柱會(huì)阻止高能量的中性原子，從而改善了濺射坑形狀和減少對(duì)鄰近地區(qū)的濺射。l 五軸電動(dòng)樣品臺(tái)和Zalar方位旋轉(zhuǎn)：PHI 15-680精密樣品臺(tái)提供5軸樣品傳送：X，Y，Z，旋轉(zhuǎn)和傾斜。所有軸都設(shè)有馬達(dá)及軟件控制，以方便就多個(gè)樣品進(jìn)行的自動(dòng)縱深分析。樣品臺(tái)提供Zalar（方位角）旋轉(zhuǎn)的縱深剖析，利用旋轉(zhuǎn)來(lái)降低樣品在一個(gè)固定位置上的擇優(yōu)濺射，以優(yōu)化縱深分析。l PHI SmartSoft用戶界面：PHI SmartSoft是一個(gè)被認(rèn)同為方便用者使用的操作儀器軟件。軟件透過(guò)任務(wù)導(dǎo)向和卷標(biāo)橫跨頂部的顯示指導(dǎo)用戶從輸入樣品，定義分析點(diǎn)，并設(shè)定分析。多個(gè)分析點(diǎn)的定義和最理想樣品的定位是由一個(gè)強(qiáng)大的“自動(dòng)Z軸定位”功能所提供。預(yù)存多樣的操作設(shè)定，可讓新手能夠快速，方便使用。??????可選用配備：l 熱/冷樣品座l 樣品真空傳送管（Sample Transfer vessel）應(yīng)用領(lǐng)域：l 半導(dǎo)體薄膜產(chǎn)業(yè)l 微電子封裝產(chǎn)業(yè)l 無(wú)機(jī)光電產(chǎn)業(yè)

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