1）低溫-低氣壓對產(chǎn)品的影響

A、對處在該環(huán)境中的設備帶來麻煩。例如，某些產(chǎn)品在低氣壓條件下可能影響密封性和可能造成泄漏。由于低溫的存在，會使液體凍結(jié)、材料收縮、變脆，使產(chǎn)品損壞的危險性增加。

B、燃燒速率伴隨著溫度和壓力的降低而降低。

C、低溫能補償由于低氣壓造成的液體沸點降低，液體易揮發(fā)等影響。

D、低溫能減少在低氣壓條件下電器和電子元器件過熱的傾向。

E、低溫能減少增塑劑和塑料在低氣壓條件下分解物的揮發(fā)。

2）高溫-低氣壓對產(chǎn)品的影響

A、在高溫-低氣壓環(huán)境條件下，空氣電介質(zhì)強度明顯降低，使電暈起始電壓和擊穿電壓明顯降低，從而使飛弧、表面放電或電暈放電的危險性增加。

B、在高溫-低氣壓環(huán)境條件下，降低了空氣熱傳導能力，從而加劇了產(chǎn)品的過熱。

C、高溫-低氣壓環(huán)境增加了流體和潤滑油等的揮發(fā)，從而增加了產(chǎn)品損壞的可能性和易燃氣體燃爆的危險性。

D、加速了增塑劑和塑料的揮發(fā)和分解，從而加速了產(chǎn)品的老化。

1）GJB 150.2A-2009 《軍用裝備實驗室環(huán)境試驗方法 第二部分 低氣壓（高度）試驗》

2）GJB 360B-2009《電子及電氣元件試驗方法 方法105低氣壓試驗》（等效美軍標MIL-STD-202F ）

3）GJB 548B-2005《微電子器件試驗方法和程序 方法1001 低氣壓（高空作業(yè)）》（等效美軍標MIL-STD-883D)

4）GB/T 2421-2008《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗 總則》

5）GB/T 2423.21-2008《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 試驗M低氣壓試驗方法》

6）GB/T 2423.25-2008《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 試驗Z/AM 低溫/低氣壓綜合試驗方法》

7）GB/T 2423.26-2008《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 試驗Z/BM 高溫/低氣壓綜合試驗方法》

8）GB/T 2423.27-2005《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 試驗Z/AMD 高溫/低氣壓綜合試驗訪求》

9）GB/T 2424.15-2008《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程》

10）MIL-STD-810F 《環(huán)境工程考慮與實驗室試驗 低氣壓（高度）試驗》

11） GB/T 1920-1980  標準大氣(30公里以下部分)（2015年10月已作廢）

12）IEC 60068-2-41（1976）《基本環(huán)境試驗規(guī)程 第二部分 試驗 試驗Z/BM 高溫/低氣壓試驗》