上海伯東美國(guó) KRI 考夫曼離子源成功應(yīng)用于離子束拋光工藝 ( Ion Beam Figuring, IBF )
離子束拋光加工已逐漸成為光學(xué)零件表面超精加工常用的最后一道工藝, 離子源是離子束拋光機(jī)的核心部件. 上海伯東美國(guó) KRI 直流電源式考夫曼離子源 KDC 系列成功應(yīng)用于光學(xué)鍍膜離子束拋光機(jī) ( IBF Optical coating ) 及晶體硅片離子束拋光機(jī)  ( IBF Clrystalline ) 工藝.
考夫曼離子源通過控制離子的強(qiáng)度及濃度, 使拋光刻蝕速率更快更準(zhǔn)確, 拋光后的基材上獲得更平坦, 均勻性更高的薄膜表面. KDC 考夫曼離子源內(nèi)置型的設(shè)計(jì)更符合離子源于離子拋光機(jī)內(nèi)部的移動(dòng)運(yùn)行. 上海伯東是美國(guó) KRI 考夫曼離子源中國(guó)總代理.
KRI 離子源離子束拋光實(shí)際案例一:
1. 基材: 100 mm 光學(xué)鏡片
2. 離子源條件: Vb: 800 V ( 離子束電壓 ), Ib: 84 mA ( 離子束電流 ) , Va: -160 V ( 離子束加速電壓 ), Ar gas ( 氬氣 ).

KRI 離子源離子束拋光實(shí)際案例二:
1. 基材: 300 mm 晶體硅片
2. 離子源條件: Vb: 1000 V ( 離子束電壓 ), Ib: 69 mA ( 離子束電流 ), Va: -200 V ( 離子束加速電壓 ) Ar gas ( 氬氣 )