顯微鏡來觀測積體電路，解像力約為4微米

解像力由光點大小來決定。實際的顯微鏡系統(tǒng)，其實有一塑膠膜覆蓋在鏡片上，掃描的雷射光點愈小則塑膠膜的不良效應(yīng)愈顯著（光點愈小在膜中發(fā)散愈大，且能量愈小愈易被塑膠膜吸收），當(dāng)光點大小小至聲波波長的兩倍，則所覆蓋的塑膠膜再也無法反應(yīng)出聲波強度了。
反之，光點大則解像力差。最小的可用光點約為聲波波長的1.5倍，因此，解像力其實和第一類顯微鏡上一樣受限于聲波波長而非光波波長。對于同樣的操作頻率，第一類顯微鏡的解像力比第二類要好3～4倍。

第三類的顯微鏡，在發(fā)射器與接收器的安排上正和第二類相反。此類顯微鏡乃是用一雷射光或電子束來照射與掃描受測物以激發(fā)超聲波，在受測物背面貼一壓電換能器以接收所產(chǎn)生之超聲波。因此，這類顯微鏡和前兩類，在聲波的激發(fā)上大不相同。受測物因雷射或電子束照射而發(fā)熱，藉材料所謂的熱彈性特性，而產(chǎn)生彈性波，因此所顯示的影像其實是反應(yīng)材料的熱與彈性特性對光或電子的吸收系數(shù)，及波束在物體內(nèi)的發(fā)散特性，而非材料對聲波的穿透特性。

解像力則受限于電子束或雷射光束的大小，及波在受測物內(nèi)部發(fā)散及熱擴散的情形。受測物受雷射光或電子束的週期性照射，週期性的產(chǎn)生熱量而激發(fā)出熱波（thermal wave），其波長則決定于受測物的傳熱度、密度、比熱及激發(fā)的雷射光或電子束的頻率。在金屬中，若激發(fā)頻率由200KHz～200MHz，則對應(yīng)波長為5.0～0.2微米。在熱絕緣體中，則對應(yīng)波長由1.0～0.03微米。目前，用此顯微鏡來觀測積體電路，解像力約為4微米；若受測物為一薄膜，則解像力可高至0.1微米