LED封裝外觀檢測顯微鏡-封裝技術常識

封裝技術

覆晶(Flip Chip)接合封裝技術中，一個焊錫凸塊往往包含不同的金屬化墊層
(Under Bump metallization, UBM)結構。

而焊錫接點與金屬墊層的反應則直接會影響到接到的機械性質(zhì)以及電性。

同時隨著無鉛焊錫的采用，與焊錫反應較為和緩的Ni金屬墊層也逐漸成為關注的焦點。

電鍍Ni與無電鍍Ni與焊錫接點的回焊以及時效之反應．由于電鍍Ni為結晶結構，
而無電鍍Ni雖為非晶質(zhì)結構，卻會在反應之過程中形成一層柱狀之Ni3P，
而相對的加快了反應之速度。而由其兩種金屬墊層與錫鉛以及無鉛焊錫之反應，
可以明確得到電鍍Ni確實大大的減緩了介面反應的速率，

相對降低界金屬化合物Spalling的可能性。同時，隨著可攜式電子產(chǎn)品微小化的
趨勢，覆晶封裝焊錫接點也須隨之縮小，
因此焊錫接點所承載的電流密度逐漸提高，在高電流密度的影響下，
覆晶封裝焊錫接點因電遷移產(chǎn)生可靠度的議題受到重視。

此外，導線所產(chǎn)生的焦耳熱效應嚴重影響焊錫接點內(nèi)部的溫度分布，
因為溫度差產(chǎn)生的溫度梯度產(chǎn)生熱遷移的破壞，熱遷移的破壞也越來越受到注目