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電子元件及電晶體尺寸快速測量工具顯微鏡

了解決電晶體尺寸快速微縮的問題，研發(fā)新穎的半導(dǎo)體材料通道技術(shù)成
為矚目的發(fā)展技術(shù)，利用三五族半導(dǎo)體當(dāng)通道材料可以比矽擁有更快速度以及更
高功率元件的應(yīng)用。在這研究中，我們利用高解析電子顯微鏡以及Ｘ光繞射能分
析成長的三五族半導(dǎo)體上的高介電閘極氧化薄膜之微結(jié)構(gòu)。

氧化鋁/氧化鎵與氧化釓混合氧化物成長于砷化銦鎵/砷化鎵組合的異質(zhì)結(jié)
構(gòu)，觀察經(jīng)過快速高溫退火至850℃后之結(jié)構(gòu)。發(fā)現(xiàn)砷化銦鎵/砷化鎵的界面尚未
釋放應(yīng)力具有很高的熱穩(wěn)定性，以及很好的電子元件特性，這對于未來自我對準(zhǔn)
式反轉(zhuǎn)通道增強型的金氧半場效電晶體的制備非常重要