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硅晶太陽能芯片電極涂布檢測金相顯微鏡廠商

電極涂布補償過程誤差分析
硅晶太陽能芯片兩次電極涂布過程中，有許多因素可造成兩次電
極的錯位，但并不是所有因素都能在本研究中討論。本研究主要以對
位誤差的改善為主，以下四項誤差為擬探討的項目：
實驗室開發(fā)之誤差補償軟體之運算精度；
(b)硅晶太陽能芯片涂布機臺涂布時產(chǎn)生之誤差；
(c)誤差補償軟體座標系統(tǒng)轉(zhuǎn)換成涂布機臺座標系統(tǒng)之誤差；
(d)單次電極涂布區(qū)域?qū)π酒吔缪a正及兩次電極涂布輪廓對位補正。其
他可造成兩次涂布之誤差，非本研究所能掌控的因素，
包括：(a)電極涂布機臺涂布網(wǎng)版之品質(zhì)、外型及偏移程度；
(b)電極涂布時銀膠之黏稠程度及品質(zhì)；
(c)電極涂布機臺旋轉(zhuǎn)臺之旋轉(zhuǎn)角度及圓心；
(d)對位CCD(Charge coupled device)分辨率所造成的對位誤差