顯微鏡測量晶粒間界面積較小即較大晶粒的材料

  根據載流子俘獲模型，這些結果是可以理解的。在低摻雜濃度下，高
電阻率是由于晶粒間界俘獲了大部分載流子所引起的.隨著摻雜濃度增加，
多數的俘獲態(tài)將被填滿.于是，晶粒間界俘獲載流子的能力將接近飽和。

當注入的劑量進一步增加時，晶粒間界勢壘將降低，正如所觀察到的那樣，
引起電阻率急驟地減小。摻雜濃度進一步墩加，將導致電阻率進一步降低，

接近單晶硅的電阻率。因為晶粒間界俘獲軟流子的數目限定了電導率，
所以對于晶粒間界面積較小即較大晶粒的材料，電阻率和臨界摻雜濃度
應較低。

  我們以前的工作,研究了LPCVD硅薄膜結構，指出在580℃下生長的LPCVD薄
膜開始是非晶態(tài)的，非常不穩(wěn)定，甚至在中等沮度下退火也要迅速結晶。

  退火樣晶的透射電子顯微照片顯示，開始呈非晶態(tài)的再結晶薄膜，同在
620℃下生長的開始呈多晶態(tài)作同樣退火的薄膜相比，有較大的晶粒.基于這個
事實和上述模型，不同類型薄膠電性能的差異，可以直接地同每類薄膜的晶粒
大小聯(lián)系起來.

(本文由上海光學儀器廠編輯整理提供, 未經允許禁止復制,轉載須注明網址http://www.sgaaa.com)