集成電路氧化膜的厚度計(jì)量中光學(xué)顯微鏡的應(yīng)用

使用不同的測(cè)試方法。集成電路具有很多的測(cè)試端點(diǎn)及測(cè)試項(xiàng)目，
而且要高精度地測(cè)試，故需使用集成電路自動(dòng)測(cè)試儀。在制造廠
商方面，采用了按測(cè)試項(xiàng)目的順序編制程序和程序容量大的高速
自動(dòng)測(cè)試儀。通過(guò)以上各種測(cè)試過(guò)程，可以評(píng)價(jià)所研究的集成電
路的優(yōu)缺點(diǎn)、設(shè)計(jì)和制造工藝的優(yōu)劣、電路結(jié)構(gòu)的合理性和適應(yīng)性
等等。

  首先，應(yīng)檢查所研究的集成電路的外觀(照片)以及外殼尺
寸，然后揭開(kāi)外殼的蓋子，以各種倍率拍攝集成電路芯片表面的
照片，描繪蒸發(fā)互連線以及各元件的圖形。此時(shí)，還要區(qū)分n型
部分和p型部分，然后觀察引線與壓焊點(diǎn)的連接方法以及引線的
材料與直徑。

  其次，要加熱以便從支架上取下芯片，測(cè)定此時(shí)的加熱溫度，
以判斷支架與芯片之間的粘結(jié)材料的性質(zhì)。對(duì)于外殼和引線等，
使用光譜分析法和化學(xué)分析法來(lái)推斷所采用的是何種物質(zhì)。為了
去掉芯片上蒸發(fā)的鋁互連線，要用NaOH加以溶解，以顯示出器
件圖形，再根據(jù)表面干涉條紋推斷氧化膜的厚度。接著，用金屬
膜覆蓋在芯片表面，用干涉顯微鏡求出表面起伏的分布，然后去
掉金屬膜，再用HF去掉Si02膜，使Si表面露出，再用干涉法
測(cè)量它的起伏狀態(tài)，據(jù)此確定氧化膜厚度的分布。在這一階段推
斷擴(kuò)散工藝的順序等。

  然而，在測(cè)得構(gòu)成集成電路的元件的電學(xué)特性后，必須去掉
鋁蒸發(fā)膜互連線。

  隨后再觀察構(gòu)成集成電路的電阻、電容、二極管、晶體管等
元器件的形狀、尺寸和斷面結(jié)構(gòu)，并畫(huà)出其圖形。

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