??? 隨著信息、電子和電力工業(yè)的快速的發(fā)展，以低成本生產(chǎn)具有高介電常數(shù)損耗的材料成為當前關注的熱點，高介電常數(shù)材料無論是在電力工程，還是在微電子行業(yè)都具有十分重要的作用，研究高介電常數(shù)材料的結構與性能，對其介電機理、壓敏機理和晶界效應的探討具有深遠意義。

????(InNb)0.1Ti0.9O2陶瓷不僅具有高介電系數(shù)，同時具有較小的介電損耗，是一種極具應用前景的巨介電材料。這種優(yōu)異的介電性質(zhì)的產(chǎn)生機理尚處于研究階段，單晶樣品是分析材料本征性質(zhì)的有利武器。由于介電測試對于樣品尺寸的特殊要求，為更真實地反應樣品的介電性質(zhì)，獲得大尺寸、高質(zhì)量的?(InNb)0.1Ti0.9O2單晶變得尤為重要。

浮區(qū)法單晶爐高效鍍金雙瓣對焦

??? 哈爾濱工業(yè)大學宋永利等人利用光學浮區(qū)法，通過對生長條件(氣氛、氣壓、流量、生長速率)的控制，最終獲得了大尺寸(4mm直徑、30mm長)的單晶樣品。該單晶樣品的制備使用的是Quantum Design公司推出的光學浮區(qū)法單晶爐。這款高性能單晶爐采用鍍金雙面鏡、高反射曲面設計，最高溫度超過2000℃；系統(tǒng)采用高效冷卻節(jié)能設計（無需額外冷卻系統(tǒng)），穩(wěn)定的電源輸出保證了燈絲的高精度恒定加熱功率，可制備高質(zhì)量的單晶。

光學浮區(qū)法單晶爐? 型號：IRF01-001-00?

??? 浮區(qū)法的主要優(yōu)點是不需要坩堝，故加熱不受坩堝熔點限制，因此可以生長熔點極高材料；生長出的晶體沿軸向有較小的組分不均勻性，在生長過程中容易觀察等。浮區(qū)法晶體生長過程中，熔區(qū)的穩(wěn)定是靠表面張力與重力的平衡來保持，因此，材料要有較大的表面張力和較小的熔態(tài)密度，故浮區(qū)法對加熱技術和機械傳動裝置的要求都比較嚴格。

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高精度光學浮區(qū)法單晶爐?