近日，德國SciDre高溫高壓光學(xué)浮區(qū)法單晶爐（HKZ系列）分別在中國科學(xué)院固體物理研究所和南昌大學(xué)順利完成了安裝調(diào)試。

光學(xué)浮區(qū)法單晶生長工藝具有無需坩堝、無污染、生長快速、易于實時觀察晶體生長狀態(tài)等諸多優(yōu)點，有利于縮短晶體的研究周期并加快難以生長晶體的研究進展，非常適合晶體生長研究，近年來備受關(guān)注，現(xiàn)已被廣泛應(yīng)用于各種超導(dǎo)材料、介電和磁性材料以及其它各種氧化物及金屬間化合物的單晶生長。?

圖1：現(xiàn)場安裝培訓(xùn)?

圖2：現(xiàn)場安裝培訓(xùn)?

目前，高熔點、易揮發(fā)性材料的浮區(qū)法單晶生長是一大棘手問題，德國SciDre公司推出的HKZ系列高溫高壓光學(xué)浮區(qū)法單晶爐成功地克服了這一技術(shù)難題。HKZ可提供最高達3000℃以上的生長溫度，晶體生長腔最大壓力可達300bar。HKZ的誕生進一步優(yōu)化了光學(xué)浮區(qū)法單晶爐的生長工藝條件，使得高熔點、易揮發(fā)性材料的單晶生長成為了可能。

圖3：德國SciDre公司HKZ系列高溫高壓光學(xué)浮區(qū)法單晶爐

德國SciDre公司HKZ系列高溫高壓光學(xué)浮區(qū)法單晶爐技術(shù)特色：
◆? 能夠同時實現(xiàn)最高壓力300bar大氣壓（選配）和最高溫度>3000℃（選配）；
◆? 能夠分別獨立控制不同氣體的流速和流量，能夠?qū)崿F(xiàn)樣品生長的氣體定速定量混合反應(yīng)；
◆? 在保持燈泡輸出功率恒定的情況下，采用調(diào)節(jié)光闌（shutter）的方式對熔區(qū)進行控溫，從而能夠有效延長燈泡使用壽命；
◆? 能夠針對不同溫度需求采用不同功率的燈泡，從而對燈泡進行有效利用，最大化燈泡使用效率和壽命；

◆? 擁有豐富的功能選件可進行選擇和拓展，包括專利熔區(qū)紅外測溫選件、最高1×10-5mbar的高級真空選件、實現(xiàn)氧含量達10-12PPM的氣體除雜選件、對長成的單晶可提供高壓氧環(huán)境退火裝置選件。

圖4：德國SciDre公司HKZ系列高溫高壓光學(xué)浮區(qū)法單晶爐原理示意圖?

Quantum Design 團隊在中國科學(xué)院固體物理研究所和南昌大學(xué)進行的德國SciDre高溫高壓光學(xué)浮區(qū)法單晶爐（HKZ系列）的安裝調(diào)試工作受到了客戶和制造商的一致好評。我們也祝愿廣大Quantum Design用戶科研順利！