晶圓制造樣品厚度、晶向、微粒數(shù)實(shí)驗(yàn)圖像顯微鏡
硅片的電阻率可從o.001 Ω·cm至20 000 Ω·cm不等。高電阻率
的硅有時(shí)可替代電介質(zhì)基片而用做絕緣基片。絕緣體上的硅晶圓片提供
了最佳的雙面加工途徑:在兩層硅中間的絕緣層(通常是二氧化硅)提供
了電絕緣,中間的氧化層可以作為停止層,這樣兩邊的硅可以獨(dú)立進(jìn)行
加工。薄層可以從硅晶圓片表面取下,轉(zhuǎn)移到另一塊基片表面,這塊基
片材料可為非硅材料。
硅片的直徑有3英寸①,100mm,125mm,150 mm,200 mm和300 mm
。除了尺寸,晶圓片的技術(shù)指標(biāo)還包含電阻率和摻雜類型、厚度及其誤
差、晶向、微粒數(shù)等。
晶圓片可以是單晶、多晶或無定形態(tài)。硅、石英、砷化鎵(GaAs)、
碳化硅(SiC)、鈮酸鋰(LiNb03)和藍(lán)寶石(業(yè)03)是單晶基片的例子。多
晶硅在太陽能電池的生產(chǎn)上具有廣泛的應(yīng)用,薄膜晶體管可在鋼基片上
制備。非晶基片也很普遍,如玻璃(金屬氧化物,如Na20與si02混合)、
熔融二氧化硅(si02與石英化學(xué)分子相同)和氧化鋁(鴿03);其中,氧化
鋁是通用的微波電路基片。塑料片也可用做基片。對(duì)于特殊的基片,必
須對(duì)其尺寸、純度、光潔度、熱穩(wěn)定性和機(jī)械強(qiáng)度等進(jìn)行評(píng)價(jià)。由于微
加工設(shè)備是從硅片工藝開發(fā)出來的,所以圓形基片比正方形和長(zhǎng)方形基
片更易適應(yīng)微加工工藝。