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10000V!銦釔電壓集成電路打穿電阻創(chuàng)紀(jì)錄

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放大字體  縮小字體    發(fā)布日期:2021-06-12  來(lái)源:儀器網(wǎng)  作者:Mr liao  瀏覽次數(shù):53
核心提示:近日,美國(guó)弗吉尼亞理工大學(xué)電力電子技術(shù)中心(CPES)和蘇州晶湛半導(dǎo)體團(tuán)隊(duì)合作攻關(guān),通過(guò)采用蘇州晶湛新型多溝道AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)外延片,以及運(yùn)用pGaN降低表面場(chǎng)技術(shù)(p- GaN reduced surface field (RE

近日,美國(guó)弗吉尼亞理工大學(xué)電力電子技術(shù)中心(CPES)和蘇州晶湛半導(dǎo)體團(tuán)隊(duì)合作攻關(guān),通過(guò)采用蘇州晶湛新型多溝道AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)外延片,以及運(yùn)用pGaN降低表面場(chǎng)技術(shù)(p- GaN reduced surface field (RESURF)制備的肖特基勢(shì)壘二極管(SBD),成功實(shí)現(xiàn)了超過(guò)10kV的超高擊穿電壓。這是迄今為止氮化鎵功率器件報(bào)道實(shí)現(xiàn)的最高擊穿電壓值。相關(guān)研究成果已于2021年6月發(fā)表于IEEE Electron Device Letters期刊。

圖1:多溝道AlGaN/GaN SBD器件結(jié)構(gòu)圖

(引用自IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, VOL. 42, NO. 6, JUNE 2021)

實(shí)現(xiàn)這一新型器件所采用的氮化鎵外延材料結(jié)構(gòu)包括20nm p+GaN/350nm p-GaN?帽層以及23nm Al0.25Ga0.75N/100nm GaN本征層的5個(gè)溝道。該外延結(jié)構(gòu)由蘇州晶湛團(tuán)隊(duì)通過(guò)MOCVD方法在4吋藍(lán)寶石襯底上單次連續(xù)外延實(shí)現(xiàn),無(wú)需二次外延?;诖送庋咏Y(jié)構(gòu)開(kāi)發(fā)的氮化鎵器件結(jié)構(gòu)如圖1所示,在刻蝕工藝中,通過(guò)僅保留2微米的p-GaN場(chǎng)板結(jié)構(gòu)(或稱(chēng)為降低表面場(chǎng)(RESURF)結(jié)構(gòu)),能夠顯著降低峰值電場(chǎng)。在此基礎(chǔ)上制備的多溝道氮化鎵肖特基勢(shì)壘二極管(SBD),在實(shí)現(xiàn)10kV的超高擊穿電壓的同時(shí),巴利加優(yōu)值(Baliga’s figure of merit, FOM)高達(dá)2.8?,而39?的低導(dǎo)通電阻率,也遠(yuǎn)低于同樣10kV耐壓的?SiC?結(jié)型肖特基勢(shì)壘二極管。多溝道氮化鎵器件由于采用廉價(jià)的藍(lán)寶石襯底以及水平器件結(jié)構(gòu),其制備成本也遠(yuǎn)低于采用昂貴SiC襯底制備的SiC二極管。

創(chuàng)新性的多溝道設(shè)計(jì)可以突破單溝道氮化鎵器件的理論極限,進(jìn)一步降低開(kāi)態(tài)電阻和系統(tǒng)損耗,并能實(shí)現(xiàn)超高擊穿電壓,大大拓展GaN器件在高壓電力電子應(yīng)用中的前景。在“碳達(dá)峰+碳中和”的歷史性能源變革背景下,氮化鎵電力電子器件在電動(dòng)汽車(chē)、充電樁,可再生能源發(fā)電,工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器,電網(wǎng)和軌道交通等高壓應(yīng)用領(lǐng)域具有廣闊的潛力。蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司已于近日發(fā)布了面向中高壓電力電子和射頻應(yīng)用的硅基,碳化硅基以及藍(lán)寶石基的新型多溝道AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)外延片全系列產(chǎn)品,歡迎海內(nèi)外新老客戶(hù)與我們洽商合作,共同推動(dòng)氮化鎵電力電子技術(shù)和應(yīng)用的新發(fā)展!

 
關(guān)鍵詞: 結(jié)構(gòu) GaN 器件 溝道 氮化
 
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