磁隨機存儲器（Magnetic random access memory，MRAM）是一種利用讀取磁阻大小為原理的新型非易失性（Non-Volatile）隨機存儲器，與其他存儲技術相比，MRAM在速度、面積、寫入次數(shù)和功耗方面能夠達到較好的折中，被業(yè)界認為是構(gòu)建下一代非易失性緩存和主存的潛在存取器件之一。因此，近些年來MRAM引起了不少科研機構(gòu)和企業(yè)的關注，相應的高端測試設備需求也隨之增加，而Hprobe公司生產(chǎn)的IBEX-300晶圓級超快三維磁場探針臺為一個不錯的選擇。

IBEX-300晶圓級超快三維磁場探針臺

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與傳統(tǒng)的探針臺相比，IBEX-300是專門用于晶圓片在磁場下的表征和測試的儀器。它基于專利技術的三維磁場發(fā)生裝置來進行超快的磁阻測試，整個測試過程全自動完成，可以根據(jù)用戶的測試需要來自定義測試程序，為磁性器件（傳感器和存儲器）的開發(fā)、工藝和生產(chǎn)帶來了完整的測試解決方案。

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?主要應用方向：

磁性隧道結(jié)

磁隨機存取存儲器

集成磁傳感器(Hall, GMR, TMR)

智能傳感器?

?主要測試模式：

開路/短路 測試

AC/DC I-V, R-V 測試

AC/DC 擊穿電壓測試

讀/寫脈沖測試

R-H 角度/幅值 回線測試

誤碼率測試

器件循環(huán)和穩(wěn)定性測試

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三維磁場發(fā)生裝置

超快磁場掃描

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三維磁場發(fā)生裝置可以實現(xiàn)各磁場空間軸的獨立驅(qū)動，也可以控制磁場在任意空間方向，以及產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)磁場等。磁場的掃描采樣速率可由靜態(tài)磁場控制到幅值超過10,000步/秒。

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測試程序界面

良率測試結(jié)果示意圖

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目前Hprobe公司已經(jīng)向全球多個半導體工廠交付了IBEX-300三維磁場探針臺，同時面向客戶開放部分樣品測試。