美國 KRI 霍爾離子源 Gridless eH 系列
美國 KRI 霍爾離子源 eH 系列緊湊設計,高電流低能量寬束型離子源,提供原子等級的細微加工能力, 霍爾離子源 eH 可以有效地以納米精度來處理薄膜及表面,多種型號滿足科研及工業(yè)、半導體應用?;魻栯x子源高電流提高鍍膜沉積速率,低能量減少離子轟擊損傷表面,寬束設計有效提高吞吐量和覆蓋沉積區(qū)。整體易操作,易維護。霍爾離子源 eH 提供一套完整的方案包含離子源、電子中和器、電源供應器、流量控制器 (MFC)等等可以直接整合在各類真空設備中,例如鍍膜機,load lock、濺射系統(tǒng)、卷繞鍍膜機等。
美國 KRI 霍爾離子源 eH 特性:
無柵極
高電流低能量
發(fā)散光束 45
可快速更換陽極模塊
可選 Cathode/Neutralize 中和器
美國 KRI 霍爾離子源 eH 主要應用:
輔助鍍膜 IBAD
濺鍍 蒸鍍 PC
表面改性、激活 SM
沉積 (DD)
離子蝕刻 LIBE
光學鍍膜
Biased target ion beam sputter deposition (BTIBSD)
Ion Beam Modification of Material Properties (IBM)
例如:
1. 離子輔助鍍膜及電子槍蒸鍍
2. 線上式磁控濺射及蒸鍍設備預清洗
3. 表面處理
4. 表面硬化層鍍膜
5. 磁控濺射輔助鍍膜
7. 偏壓離子束磁控濺射鍍膜
霍爾離子源 eH 技術參數(shù):
電話:+86-21-5046-3511
郵箱:ec@hakuto-vacuum.cn
地址:上海市浦東新區(qū)
新金橋路1888號36號樓7樓702室
201206
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