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半導(dǎo)體模塊全參數(shù)測(cè)試設(shè)備
EN-3020C系統(tǒng)是專為測(cè)試IGBT而設(shè)計(jì)。能夠真實(shí)準(zhǔn)確測(cè)試出IGBT與二極管的靜態(tài)參數(shù)：其測(cè)試范圍如下：l柵極-發(fā)射極漏電流測(cè)試單元 VGES、IGESl柵極-發(fā)射極閾值電壓測(cè)試單元 Vge（th）l門極-發(fā)射極間電壓測(cè)試單元 VCES、ICESl集電極-發(fā)射極飽和電壓測(cè)試單元 Vge（sat）、ICl二極管壓降測(cè)試單元 VF、IFl二極管反向擊穿電壓測(cè)試單
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2019-06-13 |
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絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管測(cè)試儀
現(xiàn)今IGBT（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管）已成為大功率元件的主流，在市場(chǎng)上居于主導(dǎo)地位。由于科技進(jìn)步，電力電子裝置對(duì)輕薄短小及高性能之要求 ,帶動(dòng)MOSFET及IGBT的發(fā)展，尤其應(yīng)用于電氣設(shè)備、光電、航天、鐵路、電力轉(zhuǎn)換....等領(lǐng)域，使半導(dǎo)體開發(fā)技術(shù)人員在市場(chǎng)需求下，對(duì)大功率元件的發(fā)展技術(shù)，持續(xù)在突破。半導(dǎo)體元件除了本身
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2019-06-13 |
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半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀
EN-3020C IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)是一款針對(duì)IGBT和二極管的各種靜態(tài)參數(shù)而研制的智能測(cè)試系統(tǒng)。系統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)功率源為2000V/1500A。本系統(tǒng)適合各大研究院所做元器件檢驗(yàn)，元件進(jìn)廠檢測(cè)篩選以及在線開發(fā)器件做生產(chǎn)測(cè)試。系統(tǒng)可擴(kuò)展性強(qiáng)，通過(guò)選件可以提高電壓、電流的測(cè)試能力和增加測(cè)試品種范圍。自動(dòng)快速測(cè)試可以滿足用戶大生產(chǎn)需
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2019-06-13 |
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功率模塊測(cè)試設(shè)備
測(cè)試范圍EN-3020C系統(tǒng)是專為測(cè)試IGBT而設(shè)計(jì)。能夠真實(shí)準(zhǔn)確測(cè)試出IGBT與二極管的靜態(tài)參數(shù)：其測(cè)試范圍如下：l柵極-發(fā)射極漏電流測(cè)試單元 VGES、IGESl柵極-發(fā)射極閾值電壓測(cè)試單元 Vge（th）l門極-發(fā)射極間電壓測(cè)試單元 VCES、ICESl集電極-發(fā)射極飽和電壓測(cè)試單元 Vge（sat）、ICl二極管壓降測(cè)試單元 VF、IFl二極管反向擊穿電
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2019-06-13 |
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IGBT測(cè)試儀
現(xiàn)今IGBT（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管）已成為大功率元件的主流，在市場(chǎng)上居于主導(dǎo)地位。由于科技進(jìn)步，電力電子裝置對(duì)輕薄短小及高性能之要求 ,帶動(dòng)MOSFET及IGBT的發(fā)展，尤其應(yīng)用于電氣設(shè)備、光電、航天、鐵路、電力轉(zhuǎn)換....等領(lǐng)域，使半導(dǎo)體開發(fā)技術(shù)人員在市場(chǎng)需求下，對(duì)大功率元件的發(fā)展技術(shù)，持續(xù)在突破。半導(dǎo)體元件除了本身
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2019-06-06 |
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功率器件測(cè)試儀
l針對(duì) IGBT 的各種靜態(tài)參數(shù)而研制的智能測(cè)試系統(tǒng)l大功率（電壓2000V，電流1500A）l自動(dòng)化程度高（按照操作人員設(shè)定的程序自動(dòng)工作）l計(jì)算機(jī)記錄測(cè)試結(jié)果，測(cè)試結(jié)果可轉(zhuǎn)化為文本或 EXCEL 格式存儲(chǔ)l采用品牌工控機(jī)，具有抗電磁干擾能力強(qiáng)，排風(fēng)量大等特點(diǎn)l測(cè)試方法靈活（可完美測(cè)試器件以及單個(gè)單元和多單元的模塊測(cè)試）l安全
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2019-06-06 |
產(chǎn)品分類