紫外碳化硅SiC光電探測(cè)器（190nm-400nm）

一、JEA系列單獨(dú)封裝探測(cè)器：

1、JEA系列SiC探測(cè)（可選擇耐高溫至150℃）

Detector Model Number

Active area

(mm2)

Spectral range

(nm)

Reverse voltage

(V)

Peak wavelength  (nm)

Spectral responsivity

(A/W)

Dark current

(fA)

Capacitance

(pF)

Fieldof view (FOV) degree

Typ

Max

JEA0.1

JEA0.1I

（TO39/ TO39i）

0.365*0.365

210-355

20

265

0.16

0.18

10

30

+/-40

JEA0.1S

JEA0.1ISZ

（TO18/ TO18i）

0.365*0.365

210-355

20

265

0.16

0.18

10

30

+/-27

JEA0.1SS

JEA0.1ISSZ

(TO52/ TO52i）

0.365*0.365

210-355

20

265

0.16

0.18

10

30

+/-40

JEA0.25

JEA0.25I

（TO39/ TO39i）

0. 55*0. 55

205-355

10

265

0.16

0.18

10

75

+/-45

JEA0.25S

JEA0.25ISZ

（TO18/ TO18i）

0. 55*0. 55

205-355

10

265

0.16

0.18

10

75

+/-35

JEA0.25SS

JEA0.25ISSZ

（TO52/ TO52i）

0. 55*0. 55

205-355

10

265

0.16

0.18

10

75

+/-40

JEA2

JEA2I

(TO-39/ TO39i)

1,415x1,415

215-355

20

265

0.13

0.15

200

400

+/-45

JEA2S

JEA2ISZ

(TO-18/ TO18i )

1,415x1,415

215-355

20

265

0.13

0.15

200

400

+/-35

JEA2SS

JEA2ISSZ

(TO-52/ TO52i )

1,415x1,415

215-355

20

265

0.13

0.15

200

400

+/-40

JEA5

 (TO-39 )

2,525

215-360

20

270

0.14

0.16

500

1000

/

JQC 5

(TO-39)

4 *1.25

( 0.2mm)

215-360

20

270

0.14

/

100

250

/

注：以上探測(cè)器的工作溫度是-45℃至100儲(chǔ)存溫度是-40℃至100℃，焊接溫度是260℃。

紫外碳化硅SiC光電探測(cè)器（190nm-400nm）

二、JEA系列帶濾光片的SiC探測(cè)器：

Detector Model Number

Active area

(mm2)

Spectral range

(nm)

Reverse voltage

(V)

Peak wavelength (nm)

Spectral responsivity

(A/W)

Typ

Dark current

(fA)

Capacita-nce

(pF)

Height of package H

（mm）

Fieldof view (FOV) degree

JEA0.1C

(TO5)

0,365x0,365

225-280

10

265

0.18

10

30

4.5

+/-45

JEA0,1BC (TO5)

228-322

275

0.19

4.5

+/-45

JEA 0.1B

(TO5)

265-322

300

0.12

6.8

+/-45

JEA 0.1C-S

(TO18)

0,365x0,365

220-280

265

0.18

10

30

5.2

+/-25

JEA0,1BC-S(TO18)

228-322

275

0.19

+/-25

JEA 0.1B-S

(TO18)

265-322

300

0.12

+/-25

JEA1C

(TO)

1*1

225-280

265

0.18

10

30

4.5

+/-45

JEA1BC

(TO)

228-322

275

0.19

4.5

+/-45

JEA1B

(TO)

265-322

300

0.12

6.8

+/-45

JEA2C

(TO)

1.415*1.415

225-280

265

0.18

200

400

4.5

+/-45

JEA2BC

(TO)

228-322

275

0.19

4.5

+/-45

JEA2B

(TO)

265-322

300

0.12

6.8

+/-45

注：以下探測(cè)器的工作溫度是-25℃至70℃，儲(chǔ)存溫度是-40℃至100℃，焊接溫度是260℃。

注：反向電壓是20V。

紫外碳化硅SiC光電探測(cè)器（190nm-400nm）