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產品簡介 靜壓式液位計采用高精度硅壓阻式隔離膜充油芯體作為信號測量元件, 根據(jù)被測液體的壓強、密度、液位三者的數(shù)學模型關系，通過液位傳感器把與液位深度成正比的液位壓力測量出來，并經過信號處理電路轉換成標準信號輸出，專用導氣電纜，先進的工藝密封技術和可靠的專用放大電路及精密的溫度補償技術， 使得產品具有精度高、體積小，防滲漏性能好的特點。
詳細介紹

靜壓式液位計使用廣泛且認可度較高是時下較為流行的一種液位顯示儀表-凌

 

產品表述介紹：

靜壓式液位計采用高精度硅壓阻式隔離膜充油芯體作為信號測量元件, 根據(jù)被測液體的壓強、密度、液位三者的數(shù)學模型關系，通過液位傳感器把與液位深度成正比的液位壓力測量出來，并經過信號處理電路轉換成標準信號輸出，專用導氣電纜，先進的工藝密封技術和可靠的專用放大電路及精密的溫度補償技術， 使得產品具有精度高、體積小，防滲漏性能好的特點。

投入式液位變送器（投入式液位計）適用于石油化工、冶金、電力、制藥、供排水、環(huán)保等系統(tǒng)和行業(yè)的各種介質的液位測量。精巧的結構，簡單的調校和靈活的安裝方式為用戶輕松地使用提供了方便。4～20mA、 0～5v、 0～10mA等標準信號輸出方式由用戶根據(jù)需要任選。投入式液位計的不銹鋼傳感器帶有可伸長的聚亞安酯外殼材料的電纜線，該投入式液位計可選擇帶有重錨的傳感器，這種投入式液位計應用在有波動或急流的液體環(huán)境中。

 

產品結構原理介紹：

靜壓液位變送器傳感器是經過丈量由液位產生的靜壓力來肯定液位高度的。液體靜壓力用公式P=Po+рgh表示，其中：Po為液面上部大氣壓，р為被測液體密度，H為液體高度，g為重力加速度（常數(shù)）。當Po堅持不變時，則壓力取決于密度和液位兩個變量。當液體密度為一定值時，液位將與壓力成線性關系。這一壓力作用在變送器擴散硅壓力傳感器的感壓面上，經過傳感器的壓阻效應，將液柱壓力轉換成電壓信號。這一信號經放大直接轉換成4~20mA。若液面上部大氣壓發(fā)作變化，壓力傳感器將遭到好像液位變化一樣的影響。YW-136采用了通心透氣電纜設計辦法，將外界大氣壓導入傳感器感壓面的另一側。

 

產品性能參數(shù)介紹：

電源電壓：24VDC，
外殼材質：304不銹鋼，
介質溫度：-40-65℃，
環(huán)境溫度：-40-85℃，
靈活度：2.0mV/V，
過載壓力：150%FS，
絕緣電阻：100M /100VDC，
零點溫度漂移： 0.02%FS/℃。

當傳感器投入到被測液體中某一深度時，傳感器迎液面受到的壓力公式為： = .g.H + Po式中：
P： 液位計迎液面所受壓力
： 被測液體密度
g： 重力加速度（標定時按照9.8015）
Po：液面上大氣壓
H： 傳感器投入液體的深度
同時，通過導氣不銹鋼將液體的壓力引入到傳感器的正壓腔，再將液面上的大氣壓Po與傳感器的負壓腔相連，以抵消傳感器背面的Po，使傳感器測得壓力為： .g.H，顯然,通過測取壓力P，可以得到液位深度。常見使用地點和現(xiàn)場工況使用介紹，A、水箱水位、油箱油位、水槽（油槽）的液位測量；B、水井、水塔、河流、水庫、蓄水池等的水位測量；C、污水處理設備、海洋水位、地下水監(jiān)測。

 

液位計性能使用介紹：

1、靈敏度高，擴散硅敏感電阻的靈敏因子比金屬應變片高50~80倍，它的滿量程信號輸出在80-120mv左右。對接口電路適配性好，由于它輸入激勵電壓低，輸出信號大，且無機械動件損耗，因而分辨率極高。
2、精度高，擴散硅壓力傳感器的感受、敏感轉換和檢測三位一體，無機械動件連接轉換環(huán)節(jié)，所以重復性和遲滯誤差很小。由于硅材料的剛性好，形傳感器的線性也非常好。因此綜合表態(tài)精度很高。
3、可靠性高，擴散硅敏感膜片的彈性形變量在微應變數(shù)量級，膜片zui大位移量在來微米數(shù)量級，且無機械磨損，無疲勞，無老化。平均無故障時間長，性能穩(wěn)定，可靠性高抗沖擊、防雷擊設計；激光調阻溫度補償，零點、量程可現(xiàn)場調節(jié)；范圍寬抗腐蝕，適于多種介質；過載及抗干擾能力強，性能穩(wěn)定。
4、頻響高，由于敏感膜片硅材料的本身固有頻率高，一般在50KC。制造過程采用了集成工藝，膜片的有效面積可以很小，配以剛性結構前置安裝特殊設計，使傳感器頻率響應很高，使用帶寬可達零頻至100千赫茲。
5、溫度性能好，隨著集成工藝技術進步，擴散硅敏感膜的四個電阻一致性得到進一步提高，原始的手工補償已被激光調阻、計算機自動修整技術所替代，傳感器的零位和靈敏度溫度系數(shù)已達10-5/℃數(shù)量級，工作溫度也大幅度提高。
6、抗電擊穿性能好，由于采用了特殊材料和裝配工藝，擴散硅傳感器不但可以做到130℃正常使用，在強磁場、高電壓擊穿試驗中可抗擊1500V/AC電壓的沖擊。

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