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FEI Talos F200系列 場發(fā)射透射電子顯微鏡融合了出色的高分辨率掃描/透射電子顯微鏡 (STEM) 和 TEM 成像功能與行業(yè)L先的能量色散 X 射線光譜儀 (EDS) 信號檢測功能及基于成分測繪的三維化學表征功能。Talos F200X 可在所有維度 (1D-4D) 下實現(xiàn)Z快速、Z精確的 EDS 分析,以及Z好且支持快速導航的動態(tài)顯微鏡 HRTEM 成像。 【詳細說明】
FEI Talos F200系列 場發(fā)射透射電子顯微鏡融合了出色的高分辨率掃描/透射電子顯微鏡 (STEM) 和 TEM 成像功能與行業(yè)ling先的能量色散 X 射線光譜儀 (EDS) 信號檢測功能及基于成分測繪的三維化學表征功能。Talos F200X 可在所有維度 (1D-4D) 下實現(xiàn)zui快速、zui精確的 EDS 分析,以及zui好且支持快速導航的動態(tài)顯微鏡 HRTEM 成像。
FEI Talos F200系列 場發(fā)射透射電子顯微鏡可以實現(xiàn)zui快速、zui準確且量化的多維納米材料表征。 FEI Talos F200S 200 kV STEM 融合了快速、多通道、高分辨率 STEM 成像和精確成分分析,可以支持各種動態(tài)顯微鏡應用。FEI Talos 的創(chuàng)新功能可提高通量、精度與易用性,非常適于學院、政府和工業(yè)研究環(huán)境中的高級研究與分析。
是FEI公司新一代場發(fā)射低溫透射電鏡,配有場發(fā)射電子槍;樣品臺可傾轉(zhuǎn)zui大角度70度; 恒功率模式的物鏡保證成像的高穩(wěn)定性;點分辨率可達0.3nm,信息分辨極限可達0.15nm。
基本參數(shù)
Talos F200S
總束電流: 150nA
探針電流:1nA@1nm探針(200 kV)
EDS系統(tǒng):2 SDD無窗設計,shutter保護
能量分辨率: 136 eV,對Mn-Kalpha和10kcps(輸出)
快速EDS:像素駐留時間低至10 us
Talos F200X
明場X-FEG:1.8 109 A/cm2 srad(@200kV)
總束電流: 50nA
探針電流:2nA@1nm探針(200 kV);0.4 nA@0.31nm探針
EDS系統(tǒng):2 SDD無窗設計,shutter保護
能量分辨率: 136 eV,對Mn-Kalpha和10kcps(輸出)
快速EDS:像素駐留時間低至10 us 除了這些基本特性外,本中心的Talos還裝備:
1 Ceta 4K*4K 相機;
2 用于STEM模式的環(huán)形暗場探頭(HAADF)以及BF/DF探頭;
3 Gatan 626冷凍傳輸樣品桿,單傾樣品桿以及三維重構(gòu)樣品桿;
4 單顆粒技術(shù)自動化數(shù)據(jù)收集系統(tǒng)EPU和電子斷層掃描技術(shù)自動化數(shù)據(jù)收集軟件Xplore3D。
Talos可以滿足冷凍單顆粒技術(shù)、冷凍電子斷層掃描技術(shù)、STEM電子斷層掃描技術(shù)的數(shù)據(jù)收集需求,如:
1. 進行液氮溫度的冷凍樣品數(shù)據(jù)收集;
2. 可進行單顆粒樣品數(shù)據(jù)收集;
*驗證碼: = 請輸入計算結(jié)果(填寫阿拉伯數(shù)字),如:三加四=7