一、需求目的：1、熱達(dá)標(biāo)；2、故障少 1KJ[ jS ]
二、細(xì)化需求，怎么評(píng)估樣品：1、設(shè)計(jì)方面；2、測(cè)試方面 ): r IR
三、具體到芯片設(shè)計(jì)有哪些需要關(guān)注： MW=rX tE
1、頂層設(shè)計(jì) k\ZU% ^J
2、仿真 Ppx4#j
3、熱設(shè)計(jì)及功耗 B ~BX[
4、資源利用、速率與工藝 - QpQ7q1
5、覆蓋率要求 ytV4qU82G
6、 t~Ic{%bdA
四、具體到測(cè)試有哪些需要關(guān)注： SW HiiF@
1、可測(cè)試性設(shè)計(jì) W=,]#Z+M;
2、常規(guī)測(cè)試：晶圓級(jí)、芯片級(jí) 8Z 0@-8vi
3、可靠性測(cè)試 c{jTCkzq
4、故障與測(cè)試關(guān)系 K=dG-
+B~}
5、 W@~a#~1O
+V#dJ[,8;.
測(cè)試有效性保證； |Lc.XxBkc
設(shè)計(jì)保證？測(cè)試保證？篩選？可靠性？  x![ut  
設(shè)計(jì)指標(biāo)？來(lái)源工藝水平，模塊水平，覆蓋率 cn rBY
h`}I3Ao
晶圓測(cè)試：接觸測(cè)試、功耗測(cè)試、輸入漏電測(cè)試、輸出電平測(cè)試、全面的功能測(cè)試、全面的動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試、   模擬信號(hào)參數(shù)測(cè)試。 Nh6!h%
晶圓的工藝參數(shù)監(jiān)測(cè)dice， Vj[,o Vt$
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Ul|htB 1:
芯片測(cè)試：ATE測(cè)試項(xiàng)目來(lái)源，邊界掃描 `L.nj6F
=8DS~J{
  a!;K+wL
故障種類： :n oZ p:a
缺陷種類： 0|(6q=QK
針對(duì)性測(cè)試： fc%C!^7
~Ecx f4nX
性能功能測(cè)試的依據(jù)，可測(cè)試性設(shè)計(jì)：掃描路徑法scan path、內(nèi)建自測(cè)法BIST-built in self-test YKa9]Q
|PLWF[+t8
t;lK=m|
芯片資源、速率、功耗與特征尺寸的關(guān)系； szy2 ~hm
仿真與誤差， {z8wFL\
n 預(yù)研階段 Vc  +|^
n 頂層設(shè)計(jì)階段 !Ee e~
n 模塊設(shè)計(jì)階段 e`% D[-
n 模塊實(shí)現(xiàn)階段 Bv}nG|
n 子系統(tǒng)仿真階段 oh 0}Gc8
n 系統(tǒng)仿真,綜合和版面設(shè)計(jì)前門(mén)級(jí)仿真階段 r6}-EYq=
n 后端版面設(shè)計(jì) LLwC*)#
n 測(cè)試矢量準(zhǔn)備 *djtO
n 后端仿真 mB*; 
n 生產(chǎn) eo4v[V
n 硅片測(cè)試 N1 9 c
頂層設(shè)計(jì)： @Y+9 )?
n 書(shū)寫(xiě)功能需求說(shuō)明 _MUSXB
n 頂層結(jié)構(gòu)必備項(xiàng) 7J\8JR =
n 分析必選項(xiàng)-需要考慮技術(shù)靈活性、資源需求及開(kāi)發(fā)周期 !Bb^M3iA  
n 完成頂層結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)說(shuō)明 -2y X`1Y
n 確定關(guān)鍵的模塊（盡早開(kāi)始） ~6Hi 
w
n 確定需要的第三方IP模塊 W/ C$T4
n 選擇開(kāi)發(fā)組成員 IsB=G-s
n 確定新的開(kāi)發(fā)工具 6ieP` bct
n 確定開(kāi)發(fā)流程/路線 3y:cPTM5
n 討論風(fēng)險(xiǎn) GhY MO6Q4
n 預(yù)計(jì)硅片面積、輸入/輸出引腳數(shù)  開(kāi)銷(xiāo)和功耗 AJ85[~(lX
n 國(guó)軟檢測(cè) 芯片失效分析中心