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閃存芯片

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放大字體  縮小字體    發(fā)布日期:2019-08-31  來源:儀器信息網(wǎng)  作者:Mr liao  瀏覽次數(shù):502
核心提示:稍微熟悉電腦、手機(jī)等電子產(chǎn)品的人經(jīng)常會聽說內(nèi)存/內(nèi)存條、閃存、閃存顆粒,那么什么是閃存,什么又是內(nèi)存呢?我們常說的閃存,就是一個內(nèi)含閃存芯片的存儲器。其實閃存只是一個籠統(tǒng)的稱呼,準(zhǔn)確地說它是非易失隨機(jī)訪問存儲器(NVRAM)的俗稱。特點是斷電后數(shù)據(jù)不消失,因此可以作為外部存儲器使用;而所謂的內(nèi)存,是指揮發(fā)性存儲器,分為SRAMD和RAM這兩類,其中常說的內(nèi)存主要指DRAM,也就是我們熟悉的DDR、DDR2、SDR、EDO等等。目前主板上的BIOS大多使用Flash Memory制造,翻譯成中文就是 閃動的

稍微熟悉電腦、手機(jī)等電子產(chǎn)品的人經(jīng)常會聽說內(nèi)存/內(nèi)存條、閃存、閃存顆粒,那么什么是閃存,什么又是內(nèi)存呢?


我們常說的閃存,就是一個內(nèi)含閃存芯片的存儲器。其實閃存只是一個籠統(tǒng)的稱呼,準(zhǔn)確地說它是非易失隨機(jī)訪問存儲器(NVRAM)的俗稱。特點是斷電后數(shù)據(jù)不消失,因此可以作為外部存儲器使用;而所謂的內(nèi)存,是指揮發(fā)性存儲器,分為SRAMD和RAM這兩類,其中常說的內(nèi)存主要指DRAM,也就是我們熟悉的DDR、DDR2、SDR、EDO等等。


目前主板上的BIOS大多使用Flash Memory制造,翻譯成中文就是 閃動的存儲器 ,通常把它稱作 快閃存儲器 ,簡稱 閃存 芯片。 閃存盤是一種移動存儲產(chǎn)品,可用于存儲任何格式數(shù)據(jù)文件便于隨身攜帶,是個人的“數(shù)據(jù)移動中心”。 閃存盤采用閃存存儲介質(zhì)(Flash Memory)和通用串行總線(USB)接口,具有便于攜帶、容量較大、輕巧精致、使用方便、安全可靠、時尚潮流等特征,是大家理想的便攜存儲工具。


電腦主板上的閃存芯片


閃存與內(nèi)存區(qū)分


許多人把閃存和內(nèi)存混為一體,而且很多時候大家都會把閃存卡叫做內(nèi)存卡!實際上是兩個概念,內(nèi)存應(yīng)該是RAM,一般不會太大256M、512M、1G、2G,閃存是指ROM,現(xiàn)在采用FLASH芯片所以叫閃存,而且閃存式可以用閃存卡擴(kuò)充的!


閃存是處理運(yùn)行數(shù)據(jù)的儲存器!內(nèi)存是存儲個人文件的儲存器!


內(nèi)存是直接與CPU 溝通的存儲器,所有的程序都在內(nèi)存中運(yùn)行,雖然CPU中也有緩存,但是一樓的說了,緩存其實也是一種速度極快的內(nèi)存,它存儲著CPU最最常用的指令。按照一樓的說法,內(nèi)存也是一種概念,所以內(nèi)存有各種:SDRam,DDRRam,DDR2Ram,早期的還有EDORam,他們的通電時可以保相存里的的數(shù)據(jù)狀態(tài),斷電就全部丟失,但是速度都很快。都是內(nèi)存


閃存分類


閃存芯片也有不同類型,其中主要分為NOR型和NAND型兩大類。


NOR型與NAND型閃存的區(qū)別很大,打個比方說,NOR型閃存更像內(nèi)存,有獨立的地址線和數(shù)據(jù)線,但價格比較貴,容量比較??;而NAND型更像硬盤,地址線和數(shù)據(jù)線是共用的I/O線,類似硬盤的所有信息都通過一條硬盤線傳送一般,而且NAND型與NOR型閃存相比,成本要低一些,而容量大得多。因此,NOR型閃存比較適合頻繁隨機(jī)讀寫的場合,通常用于存儲程序代碼并直接在閃存內(nèi)運(yùn)行,手機(jī)就是使用NOR型閃存的大戶,所以手機(jī)的“內(nèi)存”容量通常不大;NAND型閃存主要用來存儲資料,我們常用的閃存產(chǎn)品,如閃存盤、數(shù)碼存儲卡都是用NAND型閃存。


國內(nèi)閃存相關(guān)上市公司、概念股


閃存概念股包括:


紫光股份(000938)、

同方國芯(002049)、

長電科技(600584)、

太極實業(yè)(600667).

深科技 (000021) 

朗科科技(300042)


閃存芯片生產(chǎn)廠商爭奪3D NAND制高點


現(xiàn)在全球各大閃存芯片廠商正在加緊量產(chǎn)3D NAND,這也是全球閃存芯片廠商必爭的制高點。美光、東芝/西部數(shù)據(jù)(WD SanDisk)、SK海力士,甚至英特爾也加入到3D NAND。


國產(chǎn)閃存芯片發(fā)展現(xiàn)狀


過去三年是固態(tài)硬盤發(fā)展的黃金時期,國產(chǎn)SSD品牌因為技術(shù)壁壘、品牌熟知度等問題無法和一線品牌抗衡。但今天各大Flash原廠由于發(fā)力3D Flash技術(shù),導(dǎo)致閃存顆粒嚴(yán)重缺貨,價格自然也水漲船高,所以消費者受價格因素影響不得不選擇此類不良固態(tài)硬盤。現(xiàn)在,中國這樣的SSD品牌高達(dá)上百個,亂象叢生。


僅靠貼片、造假,沒有自主產(chǎn)權(quán),這樣的國產(chǎn)SSD品牌能走多遠(yuǎn)?我們不得而知。但有一點可以確定,廉價、劣質(zhì)的國產(chǎn)SSD進(jìn)一步的降低了消費者對“國產(chǎn)SSD”的信任,這是一種竭澤而漁的商業(yè)模式。


當(dāng)然,在亂象之中,還是有亮點的。


手機(jī)閃存芯片將用上國產(chǎn)!


2018年4月,紫光集團(tuán)披露了一個振奮人心的好消息:長江存儲的3D NAND閃存已經(jīng)獲得第一筆訂單,總計10776顆芯片,將用于8GB USD存儲卡產(chǎn)品。

紫光集團(tuán)董事長兼長江存儲董事長趙偉國在發(fā)言中強(qiáng)調(diào),國家存儲器基地項目是中國集成電路閃存芯片產(chǎn)業(yè)規(guī)模化發(fā)展“零”的突破,相當(dāng)于中國科技領(lǐng)域的航空母艦。今年底,基地就將實現(xiàn)國產(chǎn)3D閃存的小規(guī)模量產(chǎn),用不了多久就能看到基于國產(chǎn)閃存的智能手機(jī)、SSD固態(tài)硬盤。真是振奮人心


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中國閃存芯片布局


我們先看一下中國有哪些正在崛起的存儲供應(yīng)商。


在IC Insights副總裁Brian Matas早期的報告中我們看到,現(xiàn)在中國存儲領(lǐng)域有三個主要的競爭者,分別是:

(1)合肥SKT項目,預(yù)估在2017年底建造一個DRMA FAB

(2)2016年7月,紫光集團(tuán)收購了武漢新芯,并建立了一個叫長江存儲的合資公司。這個12寸晶圓廠將聚焦在3D NAND Flash的生產(chǎn),至于具體的量產(chǎn)時間,還沒有披露

(3)福建晉華項目,準(zhǔn)備打造DRAM Fab,預(yù)估在2018年第三季度量產(chǎn)


對于長江存儲來說,首先要做的事就是從三星西安這些公司挖角晶圓廠操作工人。之后可以從三星和SK海力士挖一些高級的工程師。再看能夠從美光和東芝獲取一些相關(guān)的技術(shù)信息。這是紫光解決問題的方法之一。


上個世紀(jì)90年代,三星花費重金從日本招聘DRAM工程師。當(dāng)時那些工程師可以保留白天的工作,而可以在晚上或者周末為三星服務(wù)。通過這些兼職工作,工程師們能獲得高額的報酬。就是通過這種方式,三星逐漸發(fā)展其了其DRAM產(chǎn)業(yè)。


而二十多年后的今日,韓國受到了當(dāng)初日本的對待。雖然中國并沒有韓國當(dāng)初那么瘋狂,但沒有什么方法可以組織長江存儲招聘來自西安三星的工程師。


閃存芯片價格,2018年或?qū)②呌诜€(wěn)定


由于數(shù)據(jù)中心和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備對閃存存芯片的需求不斷上升,使得科技公司2017年在半導(dǎo)體方面的支出上漲了17%,但由于需求放緩,今年這個熱門市場可能也會有所降溫。


IHS表示,去年全球芯片支出高達(dá)2920億美元,因供應(yīng)商努力滿足對DRAM和NAND閃存的新需求。IHS表示,去年內(nèi)存芯片短缺的問題要歸咎于數(shù)據(jù)中心運(yùn)營商,后者選擇了全閃存存儲讓客戶能夠更快地訪問大數(shù)據(jù)。


但是,這個行業(yè)今年可能會放緩。IHS表示,預(yù)計閃存芯片價格趨穩(wěn),支出將恢復(fù)至個位數(shù)增長。IHS預(yù)測:“如果今年這些內(nèi)存組件的供需平衡關(guān)系重新建立起來,那么價格可能會回到正常化?!?/p>


這一預(yù)測與另一家分析公司Gartner最近的一份報告相符。因為中國芯片制造商將在今年增加內(nèi)存的產(chǎn)量。


 
關(guān)鍵詞: 三星 閃存 芯片 內(nèi)存 存儲器
 
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