真空鍍膜技術(shù)是氣相物理沉積的方法之一，也叫真空電鍍。是在真空條件下，用蒸發(fā)器加熱鍍膜材料使之升華，蒸發(fā)粒子流直接射向基體，在基體表面沉積形成固體薄膜。

真空鍍膜的應(yīng)用廣泛，如真空鍍鋁，在塑料等基體上進(jìn)行真空鍍，再經(jīng)過不同顏色的染色處理，可以應(yīng)用于家具、工藝品、燈飾、鐘表、玩具、汽車燈具、反光鏡及柔軟包裝材料等產(chǎn)品制造中，裝飾效果十分出色。

真空鍍膜過程簡單來說就是電子在電場的作用下加速飛向基片的過程中與氬原子發(fā)生碰撞，電離出大量的氬離子和電子，電子飛向基片。氬離子在電場的作用下加速轟擊靶材，濺射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子(或分子)沉積在基片上成膜。

但在實(shí)際輝光放電直流濺射系統(tǒng)中，自持放電很難在低于1.3Pa的條件下維持，這是因?yàn)樵谶@種條件下沒有足夠的離化碰撞。因此在低于1.3～2.7Pa壓強(qiáng)下運(yùn)行的濺射系統(tǒng)提高離化碰撞就顯得尤為重要。提高離化碰撞的方法要么靠額外的電子源來提供，而不是靠陰極發(fā)射出來的二次電子;要么就是利用高頻放電裝置或者施加磁場的方式提高已有電子的離化效率。

事實(shí)上，真空鍍膜中二次電子在加速飛向基片的過程中受到磁場洛侖磁力的影響，被束縛在靠近靶面的等離子體區(qū)域內(nèi)，該區(qū)域內(nèi)等離子體密度很高，二次電子在磁場的作用下圍繞靶面作圓周運(yùn)動(dòng)，該電子的運(yùn)動(dòng)路徑很長，在運(yùn)動(dòng)過程中不斷的與氬原子發(fā)生碰撞電離出大量的氬離子轟擊靶材，經(jīng)過多次碰撞后電子的能量逐漸降低，擺脫磁力線的束縛，遠(yuǎn)離靶材，最終沉積在基片上。

真空鍍膜就是以磁場束縛而延長電子的運(yùn)動(dòng)路徑，改變電子的運(yùn)動(dòng)方向，提高工作氣體的電離率和有效利用電子的能量。電子的歸宿不僅僅是基片，真空室內(nèi)壁及靶源陽極也是電子歸宿，因?yàn)橐话慊c真空室及陽極在同一電勢。磁場與電場的交互作用(EXB drift)使單個(gè)電子軌跡呈三維螺旋狀，而不是僅僅在靶面圓周運(yùn)動(dòng)。

1、鍍覆材料廣泛：可作為真空鍍蒸發(fā)材料有幾十種，包括金屬、合金和非金屬。真空鍍膜加工還可以像多層電鍍一樣，加工出多層結(jié)構(gòu)的復(fù)合膜，滿足對(duì)涂層各種不同性能的需求。

2、真空鍍膜技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)不能通過電沉積方法形成鍍層的涂覆：如鋁、鈦、鋯等鍍層，甚至陶瓷和金剛石涂層，這是十分難能可貴的。

3、真空鍍膜性能優(yōu)良：真空鍍膜厚度遠(yuǎn)小于電鍍層，但涂層的耐摩擦和耐腐蝕性能良好，孔隙率低，而且無氫脆現(xiàn)象，相對(duì)電鍍加工而言可以節(jié)約大量金屬材料。

4、環(huán)境效益優(yōu)異：真空鍍膜加工設(shè)備簡單、占地面積小、生產(chǎn)環(huán)境優(yōu)雅潔凈，無污水排放，不會(huì)對(duì)環(huán)境和操作者造成危害。在注重環(huán)境保護(hù)和大力推行清潔生產(chǎn)的形勢下，真空鍍膜技術(shù)在許多方面可以取代電鍍加工。

一、真空蒸鍍法

真空蒸鍍是將裝有基片的真空室抽成真空，然后加熱被蒸發(fā)的鍍料，使其原子或分子從表面氣化逸出，形成蒸氣流，入射到基片表面，凝結(jié)形成固體薄膜的技術(shù)。

根據(jù)蒸發(fā)源的不同可以將真空蒸鍍分為電阻加熱蒸發(fā)源、電子束蒸發(fā)源、高頻感應(yīng)蒸發(fā)源及激光束蒸發(fā)源蒸鍍法。

1、電阻蒸發(fā)源是用低電壓大電流加熱燈絲和蒸發(fā)舟，利用電流的焦耳熱是鍍料熔化、蒸發(fā)或升華。這種方式結(jié)構(gòu)簡單，造價(jià)低廉，使用相當(dāng)普遍。采用真空蒸鍍法在純棉織物表面制備負(fù)載TiO2織物，紫外線透過率都比未負(fù)載的純棉織物的低，具有好的抗紫外線性能，制備TiO2薄膜時(shí)，膜層較均勻，當(dāng)在玻璃表面蒸鍍一層鉻鈦、鎳鈦合金等裝飾薄膜，裝飾效果，光學(xué)、耐磨、耐蝕性能良好。

2、電子束蒸發(fā)源利用燈絲發(fā)射的熱電子，經(jīng)加速陽極加速，獲得動(dòng)能轟擊處于陽極的蒸發(fā)材料，是蒸發(fā)材料加熱氣化，實(shí)現(xiàn)蒸發(fā)鍍膜。這種技術(shù)相對(duì)于蒸發(fā)鍍膜，可以制作高熔點(diǎn)和高純的薄膜，是高真空鍍鈦膜技術(shù)中是一種新穎的蒸鍍材料的熱源。

3、高頻感應(yīng)蒸發(fā)源是利用蒸發(fā)材料在高頻電磁場的感應(yīng)下產(chǎn)生強(qiáng)大的渦流損失和磁滯損失，從而將鍍料金屬蒸發(fā)的蒸鍍技術(shù)。這種技術(shù)比電子束蒸發(fā)源蒸發(fā)速率更大，且蒸發(fā)源的溫度均勻穩(wěn)定。

4、激光束蒸發(fā)源蒸鍍技術(shù)是一種比較理想的薄膜制備方法，利用激光器發(fā)出高能量的激光束，經(jīng)聚焦照射到鍍料上，使之受熱氣化。激光器可置于真空室外，避免了蒸發(fā)器對(duì)鍍材的污染，使膜層更純潔。同時(shí)聚焦后的激光束功率很高，可使鍍料達(dá)到極高的溫度，從而蒸發(fā)任何高熔點(diǎn)的材料，甚至可以使某些合金和化合物瞬時(shí)蒸發(fā)，從而獲得成分均勻的薄膜。

真空蒸鍍法具有設(shè)備簡單，節(jié)約金屬原材料，沉積Ti金屬及其氧化物、合金鍍層等，表面附著均勻，生產(chǎn)周期短，對(duì)環(huán)境友好，可大規(guī)模生產(chǎn)等突出優(yōu)點(diǎn)。

二、濺射鍍膜

濺射鍍膜是指在真空室中，利用荷能粒子轟擊靶表面，使靶材的原子或分子從表面發(fā)射出來，進(jìn)而在基片上沉積的技術(shù)。在濺射鍍鈦的實(shí)驗(yàn)中，電子、離子或中性粒子均可作為轟擊靶的荷能粒子，而由于離子在電場下易于加速并獲得較大動(dòng)能，所以一般是用Ar+作為轟擊粒子。

與傳統(tǒng)的蒸發(fā)鍍膜相比，濺射鍍膜可以在低溫、低損傷的條件下實(shí)現(xiàn)高速沉積、附著力較強(qiáng)、制取高熔點(diǎn)物質(zhì)的薄膜，在大面積連續(xù)基板上可以制取均勻的膜層。濺射鍍膜被稱為可以在任何基板上沉積任何材料的薄膜技術(shù)，因此應(yīng)用十分廣泛。

濺射鍍膜有很多種方式。按電極結(jié)構(gòu)、電極相對(duì)位置以及濺射的過程，可以分為二極濺射、三極或四極濺射、磁控濺射、對(duì)向靶濺射、和ECR濺射。除此之外還根據(jù)制作各種薄膜的要求改進(jìn)的濺射鍍膜技術(shù)。比較常用的有：

1、在Ar中混入反應(yīng)氣體如O2、N2、CH4、C2H2等，則可制得鈦的氧化物、氮化物、碳化物等化合物薄膜的反應(yīng)濺射。

2、在成膜的基板上施加直到500V的負(fù)電壓，使離子轟擊膜層的同時(shí)成膜，由此改善膜層致密性的偏壓濺射。

3、在射頻電壓下，利用電子和離子運(yùn)動(dòng)特征的不同，在靶表面感應(yīng)出負(fù)的直流脈沖，從而產(chǎn)生濺射的射頻濺射。這種技術(shù)最早由1965年IBM公司研制，對(duì)絕緣體也可以濺射鍍膜。

4、為了在更高的真空范圍內(nèi)提高濺射沉積速率，不是利用導(dǎo)入是氬氣，而是通過部分被濺射的原子(如Cu)自身變成離子，對(duì)靶產(chǎn)生濺射實(shí)現(xiàn)鍍膜的自濺射鍍膜技術(shù)。

5、在高真空下，利用離子源發(fā)出的離子束對(duì)靶濺射，實(shí)現(xiàn)薄膜沉積的離子束濺射。

其中由二極濺射發(fā)展而來的磁控濺射技術(shù)，解決了二極濺射鍍膜速度比蒸鍍慢得多、等離子體的離化率低和基片的熱效應(yīng)等明顯問題。磁控濺射是現(xiàn)在用于鈦膜材料的制備最為普遍的一種真空等離子體技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了在低溫、低損傷的條件下高速沉積。自2001年以來，廣大的科技研究者致力于這方面的研究，成果顯著。

在鋼材、鎳、鈾、金剛石表面鍍鈦金屬薄膜，大大提高了鋼材、鈾、金剛石等材料的耐腐蝕性能，使得使用領(lǐng)域更加廣泛;而鎂作為硬組織植入材料，在近年來投入臨床使用，當(dāng)在鎂表面鍍制一層鈦金屬薄膜，不僅加強(qiáng)了材料的耐蝕性，而且鈦生物體相容性好，比重小、毒性低、更易為人體所接受;在云母、硅片、玻璃等材料上鍍上鈦金屬薄膜，研究其對(duì)電磁波的反射、吸收、透射作用，對(duì)于高效太陽能吸收、電磁輻射、噪音屏蔽吸收和凈化等領(lǐng)域具有重要意義。

除此之外，磁控濺射作為一種非熱式鍍膜技術(shù)，主要應(yīng)用在化學(xué)氣相沉積(CVD)或金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)生長困難及不適用的鈦薄膜沉積，可以獲得大面積非常均勻的薄膜。包括歐姆接觸Ti金屬電極薄膜及可用于柵絕緣層或擴(kuò)散勢壘層的TiN、TiO2等介質(zhì)薄膜沉積。

在現(xiàn)代機(jī)械加工工業(yè)中，濺鍍包括Ti金屬、TiAl6V4合金、TiN、TiAlN、TiC、TiCN、TiAlOX、TiB2、等超硬材料，能有效的提高表面硬度、復(fù)合韌性、耐磨損性和抗高溫化學(xué)穩(wěn)定性能，從而大幅度地提高涂層產(chǎn)品的使用壽命，應(yīng)用越來越廣泛。

三、離子鍍

離子鍍最早是由D.M.Mattox在1963年提出的。在真空條件下，利用氣體放電使氣體或蒸發(fā)物質(zhì)離化，在氣體離子或蒸發(fā)物質(zhì)離子轟擊作用的同時(shí)，把蒸發(fā)物質(zhì)或其反應(yīng)物蒸鍍在基片上。

離子鍍是將輝光放電、等離子技術(shù)與真空蒸發(fā)鍍膜技術(shù)相結(jié)合的一門新型鍍膜技術(shù)。它兼具真空蒸鍍和濺射鍍膜的優(yōu)點(diǎn)，由于荷能粒子對(duì)基體表面的轟擊，可以使膜層附著力強(qiáng)，繞射性好，沉積速率高，對(duì)環(huán)境無污染等好處。

離子鍍的種類多種多樣，根據(jù)鍍料的氣化方式(電阻加熱、電子束加熱、等離子電子束加熱、多弧加熱、高頻感應(yīng)加熱等)、氣化分子或原子的離化和激發(fā)方式(輝光放電型、電子束型、熱電子型、等離子電子束型等)，以及不同的蒸發(fā)源與不同的電離方式、激發(fā)方式可以有很多種不同的組合方式。

總體來說比較常用的有：直流放電二極型、多陰極型、活性反應(yīng)蒸鍍(ARE)、空心陰極放電離子鍍(HCD)、射頻放電離子鍍(RFIP)、增強(qiáng)的ARE型、低壓等離子型離子鍍(LP-PD)、電場蒸發(fā)、感應(yīng)加熱離子鍍、多弧離子鍍、電弧放電型高真空離子鍍、離化團(tuán)束鍍等。

由于離子鍍膜層具有非常優(yōu)良的性能，所以越來越受到人們的重視，特別是離子鍍TiN、TiC在工具、模具的超硬鍍膜、裝飾鍍膜等領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛，并將占據(jù)越來越重要的地位。

在鐘表行業(yè)，因?yàn)殁仧o毒無污染，與人體皮膚接觸，不會(huì)引起過敏等不良反應(yīng)，在表帶上沉積一層鈦膜還能起到表面裝飾的作用，可以做成金黃、黑色、灰色、紅棕色、橙色等很多種顏色，增加美觀效果。

在機(jī)加工刀具方面，鍍制的TiN、TiC以其硬度高、耐磨性好，不粘刀等特性，使得刀具的使用壽命可提高3～10倍，生產(chǎn)效率也大大提高。

在固體潤滑膜方面，最新研制的多相納米復(fù)合膜TiN-MoS2/Ti及TiN-MoS2/WSe2，這類薄膜具有摩擦系數(shù)低，摩擦噪聲小，抗潮濕氧化能力較高，高低溫性能好，抗粉塵磨損能力較強(qiáng)及磨損壽命較長等特點(diǎn)，被廣泛運(yùn)用于車輛零部件上。

與此同時(shí)，離子鍍鈦也在航空航天，光學(xué)器件等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛，收效顯著。

四、分子束外延

分子束外延(MBE)是一中很特殊的真空鍍膜工藝，是在10-8Pa的超高真空條件下，將薄膜的諸組分元素的分子束流，在嚴(yán)格的監(jiān)控之下，直接噴射到襯底表面。

MBE的突出優(yōu)點(diǎn)在于能生長極薄的單晶膜層，并且能精確地控制膜厚和組分與摻雜適于制作微波，光電和多層結(jié)構(gòu)器件，從而為制作集成光學(xué)和超大規(guī)模集成電路提供了有力手段。利用反應(yīng)分子束外延法制備TiO2薄膜時(shí)，不需要考慮中間的化學(xué)反應(yīng)，又不受質(zhì)量傳輸?shù)挠绊?，并且利用開閉擋板(快門)來實(shí)現(xiàn)對(duì)生長和中斷的瞬時(shí)控制，因此膜的組分和摻雜濃度可隨著源的變化而迅速調(diào)整。MBE的襯底溫度最低，因此有減少自摻雜的優(yōu)點(diǎn)。

五、化學(xué)氣相沉積

化學(xué)氣相沉積是一種化學(xué)生長方法，簡稱CVD(Chemical Vapor Deposition)技術(shù)。這種方法是把含有構(gòu)成薄膜元素的一種或幾種化合物的單質(zhì)氣體供給基片，利用加熱、等離子體、紫外光乃至激光等能源，借助氣相作用或在基片表面的化學(xué)反應(yīng)(熱分解或化學(xué)合成)生成要求的薄膜。

真空鍍鈦的CVD法中最常用的就是等離子體化學(xué)氣相沉積(PCVD)。利用低溫等離子體作能量源，樣品置于低氣壓下輝光放電的陰極上，利用輝光放電(或另加發(fā)熱體)使樣品升溫到預(yù)定的溫度，然后通入適量的反應(yīng)氣體，氣體經(jīng)一系列化學(xué)反應(yīng)和等離子體反應(yīng)，在樣品表面形成固態(tài)薄膜。

在等離子化學(xué)氣相沉積法中，等離子體中電子溫度高達(dá)104K，電子與氣相分子的碰撞可以促進(jìn)氣體分子的分解、化合、激發(fā)和電離過程，生成活性很高的各種化學(xué)基團(tuán)，產(chǎn)生大量反應(yīng)活性物種而使整個(gè)反應(yīng)體系卻保持較低溫度。

而普通的CVD法沉積溫度高(一般為1100℃)，當(dāng)在鋼材表面沉積氮化鈦薄膜時(shí)，由于溫度很高，致使膜層與基體間常有脆性相出現(xiàn)，致使刀具的切削壽命降低。利用直流等離子化學(xué)氣相沉積法，在硬質(zhì)臺(tái)金上沉積TiN膜結(jié)構(gòu)與性能均勻。

1、底漆

目前除了PET等少數(shù)幾種塑料材料不需要表面涂裝外，大多數(shù)塑料尤其是塊狀工程塑料在真空鍍膜之前均需進(jìn)行底涂預(yù)處理。底涂預(yù)處理是真空鍍膜前處理的一種，可有效提高鍍層的附著力、平整度等性能，如等離子處理改善了鍍層與基材的附著力。

底涂處于基材和真空鍍層之間，其作用主要有：

①通過底涂封閉基材，防止真空鍍膜時(shí)基材中的揮發(fā)性雜質(zhì)逸出，影響鍍膜質(zhì)量;

②塑料表面較粗糙，底涂預(yù)處理后，可通過涂層獲得光滑平整的鏡面效果;

③在薄膜材料上預(yù)涂底漆可進(jìn)一步加強(qiáng)薄膜的阻隔性;

④ 預(yù)涂底漆有利于獲得更厚的真空鍍層，展現(xiàn)出更高的反射效果和力學(xué)性能;

⑤某些表面極性較低的基材如PP等與鍍層的附著力較差，通過底漆可獲得較好的鍍層附著性;

⑥對(duì)某些耐熱性較差的塑料基材，底涂可以起到一定的熱緩沖作用，保護(hù)基材免遭熱致形變。

由于底漆位于基材和鍍膜的中間，其性能應(yīng)當(dāng)滿足基材和真空鍍層兩方面的要求，具體包括以下幾個(gè)方面：

①與塑料基材、真空鍍層均有較好的粘附性，這是作為真空鍍膜底漆應(yīng)具備的最基本性能;

②應(yīng)具有良好的流平性，這是決定真空鍍層是否具有高光澤和鏡面效果的關(guān)鍵;

③不應(yīng)含有揮發(fā)性小分子，主要是指殘留單體、揮發(fā)性添加劑、揮發(fā)性雜質(zhì)和高沸點(diǎn)溶劑等，其在真空升溫環(huán)境下會(huì)逐漸逸出，從多方面破壞鍍膜質(zhì)量和性能;

④應(yīng)具有一定的耐熱性，其熱膨脹性要和真空鍍層的熱脹冷縮性能相適應(yīng)，抗熱形變和熱分解性能應(yīng)滿足真空鍍膜工藝的要求;

⑤對(duì)于柔性基材，底涂應(yīng)具有足夠的柔韌性，否則易造成鍍層連帶開裂，甚至崩脫。

2、面漆

真空鍍層通常較薄(不超過0.2 μm)，耐磨性等力學(xué)性能較差。面漆不僅起到保護(hù)鍍層的作用，還可賦予真空鍍膜制品良好的硬度、耐磨性等力學(xué)性能。面漆的主要性能要求包括：

①對(duì)鍍層有較高的附著力，這是涂層起保護(hù)作用的基礎(chǔ);

②應(yīng)具有足夠的耐磨性，以保護(hù)極薄的真空鍍層免受機(jī)械擦傷;

③具有較高的阻隔性，即本身要具有較好的耐水、耐腐蝕性及耐候性，阻止氧氣等對(duì)鍍膜有腐蝕性的物質(zhì)直接接觸真空鍍層，保護(hù)鍍層免受腐蝕;

④面漆組成本身不能含有可能腐蝕鍍層的組分或雜質(zhì);

⑤對(duì)于需要突出光亮度的真空鍍膜場合，面漆也應(yīng)保證有較高的透明性和表面光澤。

某些真空鍍膜工藝無需面漆，如鍍膜材料為鉻、不銹鋼時(shí)，其鍍層耐腐蝕性好、硬度高且耐劃傷性強(qiáng)，因此對(duì)制品性能要求不高時(shí)，可不必涂裝面漆。

1、蒸鍍工藝方式的選擇

熱電阻蒸鍍與電子束蒸鍍是最為常見的蒸發(fā)鍍膜方式，其中熱電阻蒸鍍的原理是通過電流加熱蒸發(fā)蒸發(fā)舟上的原料，而電子束蒸鍍的原理是通過電子束加熱蒸發(fā)水冷坩堝上的原料。

熱電阻蒸鍍的優(yōu)點(diǎn)在于設(shè)備簡單、價(jià)格低、可靠性較高，對(duì)原料預(yù)熱充分，不容易導(dǎo)致化合物原料分解，其缺點(diǎn)在于能達(dá)到的溫度不高，加熱器使用壽命不長。

電子束蒸鍍的優(yōu)點(diǎn)在于能達(dá)到的溫度更高，蒸發(fā)速度快，但缺點(diǎn)是難以有效控制電流，容易導(dǎo)致低熔點(diǎn)材料快速蒸發(fā)，且電子束能量多被水冷系統(tǒng)帶走，熱效率低，電子束轟擊還容易造成化合物原料的分解，坩堝存在污染原料的可能性，另外會(huì)產(chǎn)生對(duì)人體有害的X射線。

因此在具體的真空鍍膜生產(chǎn)工作中，我們可以根據(jù)以上分析來選擇適宜的蒸發(fā)鍍設(shè)備和工藝方式，例如MgF2的熔點(diǎn)只有1261℃，考慮到熔點(diǎn)低如選用電子束蒸鍍很難控制預(yù)蒸鍍時(shí)間和電流，容易蒸鍍不均勻且產(chǎn)生殘留原料，原料也易受坩堝的污染。因而更適合使用熱電阻蒸鍍的方式，可以調(diào)節(jié)電流來充分預(yù)蒸鍍，先消除原料中的雜質(zhì)，避免直接蒸鍍原料受熱不均導(dǎo)致的噴濺，進(jìn)而能夠保證蒸鍍的穩(wěn)定性和均勻性。

2、蒸鍍時(shí)間與溫度的控制

蒸發(fā)鍍的實(shí)際工作經(jīng)驗(yàn)告訴我們，原料充足情況下鍍膜厚度與蒸鍍時(shí)間呈線性關(guān)系，這表明高真空情況下蒸鍍速率比較均勻。而基片的溫度，通常對(duì)鍍膜厚度影響不大，其原因在于高真空環(huán)境下分子間碰撞很小，蒸發(fā)分子遇基片表面迅速凝結(jié)。因此如MgF2原料的蒸鍍基片溫度通常保持60℃即可。

3、原料狀態(tài)的影響

不同的原料狀態(tài)可能會(huì)對(duì)蒸鍍過程造成較大的影響。實(shí)驗(yàn)研究成果表明：

在蒸鍍條件一致的前提下，粉末狀的原料狀態(tài)結(jié)構(gòu)松散，原料內(nèi)的水與空氣較多，實(shí)際蒸鍍前應(yīng)充分溶解原料，原料質(zhì)量損失相對(duì)較大，光照度較差;多晶顆粒的原料狀態(tài)由于生產(chǎn)過程已經(jīng)除氣脫水，結(jié)構(gòu)均勻致密，實(shí)際蒸鍍前原料質(zhì)量損失相對(duì)較小，光照度較好。

實(shí)際蒸鍍中我們發(fā)現(xiàn)，單晶原料蒸鍍的薄膜組成形式為大分子團(tuán)，冷卻后形成大顆粒柱狀結(jié)構(gòu)，薄膜結(jié)構(gòu)疏松，耐磨性差，而多晶原料薄膜為小分子沉積，更適宜于用作蒸鍍原料。

4、蒸發(fā)源與基片間距的影響

蒸發(fā)源與基片間距會(huì)對(duì)薄膜均勻性等造成一定影響，根據(jù)實(shí)際鍍膜經(jīng)驗(yàn)，蒸發(fā)源與基片間距較小的情況下，薄膜厚度相對(duì)更大，均勻性也相對(duì)更好。因此在實(shí)際鍍膜生產(chǎn)中，我們需要考慮如何合理調(diào)整蒸發(fā)源與基片的間距，確保各區(qū)域的基片與蒸發(fā)源間距最佳。

綜上所述，不同方式的蒸鍍工藝，不同蒸鍍時(shí)間，不同原料狀態(tài)，以及蒸發(fā)源與基片間距，都會(huì)對(duì)蒸鍍質(zhì)量帶來一定影響。因此需要在蒸鍍過程中選取最為適合的原料和工藝方式。