離子束刻蝕系統(tǒng) 離子束刻蝕系統(tǒng)也稱為離子銑，是指當(dāng)定向高能離子向固體靶撞擊時(shí),能量從入射離子轉(zhuǎn)移到固體表面原子上，如果固體表面原子間結(jié)合能低于入射離子能量時(shí)，固體表面原子就會(huì)被移開或從表面上被除掉。通常離子束刻蝕所用的離子來自惰性氣體。離子束最小直徑約10nm。目前聚焦離子束刻蝕的束斑可達(dá)100nm以下，最少的達(dá)到10nm，獲得最小線寬12nm的加工結(jié)果。 精品推薦
品牌： 美國(guó)AXIC 型號(hào)： PlasmaStar 100/100RIE 產(chǎn)地：美國(guó) 供應(yīng)商：武漢邁可諾科技有限公司

PlasmaSTAR?系列等離子處理系統(tǒng)適合處理所有的材料，擁有多種腔室和電極配置，可滿足不同的等離子工藝和基片尺寸。占地面積小，用于各種等離子工藝的模塊化腔室和電極配置。此外，觸摸屏計(jì)算機(jī)控制，多級(jí)程序控制和組件控制，操作簡(jiǎn)單。PlasmaSTAR?模塊化腔室和電極組件是該系統(tǒng)的獨(dú)特功能。 腔室材料是硬質(zhì)陽極氧化鋁， 有幾種不同的電極設(shè)計(jì)，包括用于反應(yīng)離子刻蝕（RIE）和平面處理的水冷平板電極，用于表面清洗或處理的交替多層托盤電極，用于最小化離子損傷的下游電極，和用于普通的圓柱形籠式電極。1、腔體尺寸：直徑≥200mm，深度≥280mm；2、腔體材質(zhì)：硬質(zhì)陽極氧化鋁矩形腔體；3、處理腔背面材質(zhì)：鋁；4、處理腔門：要求全自動(dòng)腔門；5、兩路工藝氣體，≥2路質(zhì)量流量控制器控制氣體流量，氣體輸入腔室?guī)蛄髟O(shè)計(jì)；6、射頻功率：0~600W連續(xù)可調(diào)，13.56MHz，自動(dòng)匹配，自然風(fēng)冷；7、配備RIE平面水冷平板電極；8、7英寸及以上顯示器、觸摸屏、圖形用戶界面；  9、程序控制：觸摸屏電腦控制，無線程序存儲(chǔ)；10、Windows操作系統(tǒng)，兼容Windows office軟件，USB接口，可進(jìn)行外部電腦遠(yuǎn)程控制的功能；11、狀態(tài)和出錯(cuò)信息提示，過程數(shù)據(jù)和出錯(cuò)信息存儲(chǔ)，可選擇自動(dòng)和手動(dòng)操作模式，過程數(shù)據(jù)可以導(dǎo)出，工藝參數(shù)以圖形方式呈現(xiàn)，可實(shí)時(shí)監(jiān)控，自動(dòng)實(shí)現(xiàn)泄露檢測(cè)；12、配套緊急急停按鈕（EMO)，配套電路斷路器，機(jī)械聯(lián)鎖（門傳感器）和真空聯(lián)鎖（壓力開關(guān)），通過軟件可進(jìn)行遠(yuǎn)程的真空聯(lián)鎖；13、典型的光刻膠刻蝕速率：80nm/min；14、典型工藝均勻性：≥±10%；

品牌： 美國(guó)AXIC 型號(hào)： PlasmaStar 200/200RIE 產(chǎn)地：美國(guó) 供應(yīng)商：武漢邁可諾科技有限公司

PlasmaSTAR?模塊化腔室和電極組件是該系統(tǒng)的獨(dú)特功能。 腔室材料是硬質(zhì)陽極氧化鋁， 有幾種不同的電極設(shè)計(jì)，包括用于反應(yīng)離子刻蝕（RIE）和平面處理的水冷平板電極，用于表面清洗或處理的交替多層托盤電極，用于最小化離子損傷的下游電極，和用于普通的圓柱形籠式電極。型號(hào)： 反應(yīng)離子刻蝕機(jī)PlasmaStar 200/200RIE產(chǎn)地： 美國(guó)品牌： Axic環(huán)球供應(yīng)，本地服務(wù)！MYCRO專業(yè)為您提供實(shí)驗(yàn)室RIE反應(yīng)離子刻蝕機(jī)設(shè)備，全方位的技術(shù)服務(wù)及售后，MYCRO值得您的的信賴！技術(shù)規(guī)格：型號(hào)PlasmaStar  100PlasmaStar100RIEPlasmaStar 200PlasmaStar 200RIE艙體尺寸直徑254×深度356mm直徑200×深度280mm寬305×高305×深406mm寬305 ×高200×深406mm艙體材質(zhì)標(biāo)配為陽極氧化鋁艙體常用氣體空氣，氧氣，氫氣，氬氣，氮?dú)?，CF4，SF6等和其他混合氣體氣路控制標(biāo)配2路MFC，PlasmaStar  100最多可選配4路， 標(biāo)配2路MFC，PlasmaStar  200最多可選配5路；控制系統(tǒng)電阻觸摸屏操作界面程序控制PC觸屏控制，可編程序，無線存儲(chǔ)數(shù)據(jù)射頻頻率13.56 MHz射頻功率0~600W瓦之間距連續(xù)可調(diào)，自動(dòng)匹配0~1000W瓦之間距連續(xù)可調(diào)，自動(dòng)匹配電極設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)圓柱形籠式電極；標(biāo)準(zhǔn)圓柱形籠式電極；可選交替多層托盤電極；可選RIE平面處理水冷平板電極設(shè)備尺寸 寬800 x 深850 x 高525mm；寬1033 x 深850 x 高635mm；

品牌： 美國(guó)Chemcut 型號(hào)： Chemcut 2300 系列 產(chǎn)地：美國(guó) 供應(yīng)商：香港電子器材有限公司

產(chǎn)品簡(jiǎn)介 導(dǎo)線框架(QFN)和BGA背蝕刻和半蝕刻系統(tǒng) 鹼性蝕刻：?蝕刻速率：25 - 40 um / min，適用於厚銅(15um以上)蝕刻技術(shù)。?低側(cè)蝕。?金屬(鎳/金)鍍層無損壞。 酸性蝕刻： ?蝕刻速率：5-10微米/分鐘，適用於簿銅(15um以下)蝕刻技術(shù)。?高側(cè)蝕。?可能會(huì)損壞金屬(鎳/金)電鍍。 Chemcut 2300 系列小批量生產(chǎn)批量和原型系統(tǒng) Chemcut 2300 是一種緊湊，雙面，水平，傳送帶式，振蕩噴射處理系統(tǒng)系列，采用了與大型系統(tǒng)相同的成熟技術(shù)和質(zhì)量。 2300系列非常適用于實(shí)驗(yàn)室，原型和小批量印刷電路以及化學(xué)機(jī)械加工零件，儀表板和銘牌。 本系列濕法設(shè)備有多種配置，可用于銅和氯化鐵蝕刻，堿性氨蝕刻，抗蝕劑顯影，化學(xué)清洗和抗蝕劑剝離。該機(jī)器的特殊版本可用于專業(yè)處理，如使用氫氟酸和硝酸混合物進(jìn)行蝕刻以及高溫蝕刻（最高160°F，71°C）。 適用于：化學(xué)清洗鐵蝕刻銅蝕刻堿性蝕刻抗蝕劑顯影抗蝕剝離寬度15到20英寸18 X 24功能 應(yīng)用于： 原型商店小批量商店開發(fā)實(shí)驗(yàn)室研發(fā)部門大學(xué)特殊加工替代化學(xué)品研磨特殊合金減少?gòu)U物 濕式加工設(shè)備 CC8000 CC8000 設(shè)計(jì)用於加工半導(dǎo)體，IC (引線框架和IC基板)，高端HDI PCB / FPC，觸控和LCD顯示螢?zāi)?，太陽能和精密金屬零件。其?dú)特的噴涂架設(shè)計(jì)使其能夠達(dá)到更高水平的蝕刻品質(zhì)。自啟動(dòng)以來，已成交并安裝了700多個(gè)系統(tǒng)。晶圓圖案制作：?乾膜顯影?銅蝕刻?鈦/鎢蝕刻 晶圓Bumping濕法工藝：?光阻顯影：與Pad制作類似?光阻剝離：需要高噴灑壓力(30 - 40 bars)?種子層(UBM)蝕刻：使用噴灑或浸漬技術(shù)  

品牌： 荷蘭Trymax 型號(hào)： NEO200A 系列/NEO300A 系列/ NEO3400 產(chǎn)地：荷蘭 供應(yīng)商：香港電子器材有限公司

產(chǎn)品簡(jiǎn)介NEO200A 系列● Handling  - Dual Cassette  - 3 axis robot● Chammber Configurations  - RF only (13.56MHz)  - Microwave only (2.45GHz)  - Dual Source RF / MW  - DCP (13.56MHz)● 100 to 200mm compatibleNEO300A 系列● Handling  - Single Loadport (300mm)  - 3 axis robot● Chammber Configurations  - RF only (13.56MHz)  - Microwave only (2.45GHz)  - Dual Source RF / MW  - DCP (13.56MHz)● 200 to 300mm compatibleNEO3400 系列● Handling  - up to 4 Loadports (300mm)  - 4 axis robot with X-traverser● Chammber Configurations  - RF only (13.56MHz)  - Microwave only (2.45GHz)  - Dual Source RF / MW  - DCP (13.56MHz)● 200 to 300mm compatible

品牌： 美國(guó)KRI 型號(hào)： EH200 產(chǎn)地：美國(guó) 供應(yīng)商：伯東企業(yè)（上海）有限公司

上海伯東美國(guó)考夫曼霍爾離子源于離子刻蝕 (IBE) 應(yīng)用 Kaufman Robinson,Inc (KRi) End Hall 上海伯東為美國(guó)考夫曼公司離子源 離子槍 Kaufman Robinson, Inc (KRi) 大中華總代理.美國(guó)霍爾離子源 離子槍 EH200, EH400, EH1000, EH200, EH3000 系列不僅廣泛應(yīng)用于生產(chǎn)單位,且因離子抨擊能量強(qiáng), 蝕刻效率快, 可因應(yīng)多種基材特性,單次使用長(zhǎng)久, 耗材成本極低, 操作簡(jiǎn)易, 安裝簡(jiǎn)易, 所以美國(guó)考夫曼霍爾離子源目前廣泛應(yīng)用于許多蝕刻制程及基板前處理制程.客戶案例: 國(guó)內(nèi)某大學(xué)天文學(xué)系小尺寸刻蝕設(shè)備1. 系統(tǒng)功能: 對(duì)于 Fe, Se, Te , PCCO及多項(xiàng)材料刻蝕工藝.2. 樣品尺寸: 2硅芯片.3. 實(shí)際安裝:刻蝕設(shè)備: 小型刻蝕設(shè)備. 選用上海伯東美國(guó)考夫曼霍爾離子源 EH400HC離子源 EH400HC 安裝于刻蝕腔體內(nèi).離子源 EH400HC 控制單元操作 離子源 EH400HC 實(shí)際點(diǎn)燃 (氬氣) 對(duì)于 FeSeTe 刻蝕應(yīng)用, 離子源 EH400HC 條件: 110V/1.5A, 刻蝕速率 20 A/Sec對(duì)于 FeSeTe 刻蝕應(yīng)用, 離子源 EH400HC 條件: 110V/1.5A, 刻蝕速率 17 ?/Sec霍爾離子源 EH400HC 優(yōu)點(diǎn):- 高離子濃度 (High density), 低能量(Low energy) - 離子束涵蓋面積廣 (high ion beam sharp) - 鍍膜均勻性佳- 提高鍍膜品質(zhì)- 模塊化設(shè)計(jì), 保養(yǎng)快速方便- 增加光學(xué)膜后折射率 (Optical index) - 全自動(dòng)控制設(shè)計(jì), 超做簡(jiǎn)易- 低耗材成本,安裝簡(jiǎn)易 KRI離子源簡(jiǎn)介： 美國(guó)考夫曼公司 離子源 離子槍發(fā)明人 Dr. Kaufman 考夫曼博士將此專利授權(quán) VEECO 生產(chǎn).于1978年考夫曼博士在美國(guó)自行創(chuàng)立 Kaufman Robinson, Inc. (KRi) 美國(guó)考夫曼公司, 歷經(jīng)30年離子源 離子槍之改良及研發(fā)并取得多項(xiàng)專利,目前已在光學(xué)鍍膜 (Optical coating), IBAD (離子源助鍍), IBSD (離子濺鍍), IBE (離子刻蝕), DD(離子鍍膜)等等應(yīng)用大量使用.上海伯東為美國(guó)考夫曼公司離子源 離子槍 Kaufman Robinson, Inc (KRi) 中國(guó)總代理 上海伯東主要經(jīng)營(yíng)產(chǎn)品德國(guó) Pfeiffer渦輪分子泵, 干式真空泵, 羅茨真空泵, 旋片真空泵; 應(yīng)用于各種條件下的真空測(cè)量(真空計(jì), 真空規(guī)管);氦質(zhì)譜檢漏儀；質(zhì)譜分析儀；真空系統(tǒng)以及 Cryopump 冷凝泵/低溫泵, HVA 真空閥門, Polycold 冷凍機(jī)和美國(guó)KRIKaufman 考夫曼離子源離子槍 若您需要進(jìn)一步的了解詳細(xì)信息或討論, 請(qǐng)登錄我們網(wǎng)站: www.hakuto-vacuum.cn或與市場(chǎng)部門：孔生 聯(lián)系Tel: 86-21-5046-3511轉(zhuǎn)118Mobile: 86 150-2100-1343E-mail: ec@hakuto-vacuum.cn

品牌： 美國(guó)KRI 型號(hào)： RFICP40 產(chǎn)地：美國(guó) 供應(yīng)商：伯東企業(yè)（上海）有限公司

上海伯東美國(guó)考夫曼離子源離子槍成功應(yīng)用于離子刻蝕 (IBE) 上海伯東美國(guó)考夫曼離子源 離子槍 Kaufman Robinson, Inc (KRi) RFICP 成功應(yīng)用于離子刻蝕 (IBE).上海伯東是美國(guó)考夫曼大中國(guó)區(qū)總代理,Kaufman Robinson, Inc 美國(guó)考夫曼公司離子源 離子槍 RFCIP系列已廣泛應(yīng)用于離子刻蝕 (IBE) 工藝. 考夫曼離子源具有高離子濃度 (High beam currents) 及低離子能量 (Low beam energies). 此兩個(gè)特殊條件對(duì)于刻蝕效率及刻蝕中避免傷害到工件表面材質(zhì)可以達(dá)到優(yōu)化. 并且可以依客戶之工件尺寸選擇所對(duì)應(yīng)之型號(hào): RFICP40, RFICP100, RFICP140, RFICP200, RFICP300. 上海伯東主要經(jīng)營(yíng)產(chǎn)品德國(guó) Pfeiffer渦輪分子泵, 干式真空泵, 羅茨真空泵, 旋片真空泵; 應(yīng)用于各種條件下的真空測(cè)量(真空計(jì), 真空規(guī)管);氦質(zhì)譜檢漏儀；質(zhì)譜分析儀；真空系統(tǒng)以及 Cryopump 冷凝泵/低溫泵, HVA 真空閥門, Polycold 冷凍機(jī)和美國(guó)KRIKaufman 考夫曼離子源離子槍 若您需要進(jìn)一步的了解詳細(xì)信息或討論, 請(qǐng)登錄我們網(wǎng)站: www.hakuto-vacuum.cn或與市場(chǎng)部門：孔生 聯(lián)系Tel: 86-21-5046-3511轉(zhuǎn)118Mobile: 86 150-2100-1343E-mail: ec@hakuto-vacuum.cn

品牌： 美國(guó)KRI 型號(hào)： eh 產(chǎn)地：美國(guó) 供應(yīng)商：伯東企業(yè)（上海）有限公司

上海伯東授權(quán)代理 Kaufman Robinson, Inc (KRi) 美國(guó)考夫曼離子束與等離子源產(chǎn)品上海伯東為 Kaufman Robinson, Inc (KRi) 美國(guó)考夫曼公司大中華總代理. 離子源發(fā)明人 Dr. Kaufman 考夫曼博士將此專利授權(quán) VEECO 生產(chǎn). 于1978年考夫曼博士在美國(guó)自行創(chuàng)立 Kaufman Robinson, Inc. (KRi) 公司并歷經(jīng)30年離子源之改良及研發(fā)并取得多項(xiàng)專利,KRI產(chǎn)品融合的一系列等離子技術(shù)提供了獨(dú)一無二的操作與運(yùn)行方式。這些技術(shù)使離子源與供電產(chǎn)品能夠被正確的應(yīng)用以便達(dá)到流程目標(biāo)。此類技術(shù)基本上可以被分為幾個(gè)類別：無柵式端部霍爾(eh)離子源 eH系列離子源可輸出高離子流和低能源束。離子流達(dá)到高速運(yùn)行需求的同時(shí)低能源束能夠減少對(duì)設(shè)備外表面與內(nèi)表面的傷害。有柵極射頻感應(yīng)耦合等離子體(RFICP)離子源 RFICP系列離子源可以在無燈絲的情況下提供高密度離子流.從離子流中提取的離子束能夠被精確的控制以便提供設(shè)定的形狀,電流密度以及離子能。有柵極KDC離子源 KDC系列離子源是根據(jù)典型的考夫曼離子源加強(qiáng)設(shè)計(jì)的。傳統(tǒng)的離子源工藝使其能夠輸出高質(zhì)、穩(wěn)定的離子束。電源與控制器 我們的電源與控制器操作不同種類的離子、等離子以及電子源。這些產(chǎn)品能夠?yàn)榈入x子流程中的動(dòng)荷作用輸出平穩(wěn)、連續(xù)的電源。電子源與離子源中和器 這些電子源低能量、高電流源。它們一般應(yīng)用于中和劑或陰極材料，以便控制離子源與等離子源的產(chǎn)量。PTIBEAMTM離子透鏡 我們的離子束源采用耐融金屬或石墨的多孔徑網(wǎng)格。這些網(wǎng)格或是平的，或是中凹的，它們與多孔模式一同控制離子軌跡。離子軌跡的聚集產(chǎn)生了離子束，離子電流的分布塑造了該離子束的形狀特征。上海伯東 主要經(jīng)營(yíng)產(chǎn)品 德國(guó) Pfeiffer 渦輪分子泵, 干式真空泵, 羅茨真空泵, 旋片真空泵; 應(yīng)用于各種條件下的 真空測(cè)量(真空計(jì), 真空規(guī)管); 氦質(zhì)譜檢漏儀；質(zhì)譜分析儀；真空系統(tǒng)以及 Cryopump 冷凝泵/低溫泵, HVA 真空閥門, Polycold 冷凍機(jī)和美國(guó)KRI Kaufman考夫曼離子源（離子槍）。若您需要進(jìn)一步的了解詳細(xì)信息或討論, 請(qǐng)登錄我們網(wǎng)站: www.hakuto-vacuum.cn或與市場(chǎng)部門：孔生 聯(lián)系Tel: 86-21-5046-3511轉(zhuǎn)118Mobile: 86 150-2100-1343E-mail: ec@hakuto-vacuum.cn

品牌： 美國(guó)KRI 型號(hào)： 考夫曼離子源 產(chǎn)地：美國(guó) 供應(yīng)商：伯東企業(yè)（上海）有限公司

伯東公司是美國(guó)考夫曼公司 Kuafman Robinson,Inc（KRI) 中國(guó)總代理. KRI 考夫曼公司是由離子源發(fā)明人 Dr.Kaufman 考夫曼博士于 1978年在美國(guó)創(chuàng)立. KRI 考夫曼離子源歷經(jīng) 30 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng)專利, 受到各領(lǐng)域的肯定. KRI 離子源離子槍系列產(chǎn)品融合一系列等離子技術(shù),提供了獨(dú)一無二的操作與運(yùn)行方式。KRI 離子源主要分為以下幾類：無柵式端部霍爾離子源 eh eH 系列離子源離子槍可輸出高離子流和低能源束。離子流達(dá)到高速運(yùn)行需求的同時(shí)低能源束能夠減少對(duì)設(shè)備外表面與內(nèi)表面的傷害。有柵極射頻感應(yīng)耦合等離子體離子源 RFICP RFICP 系列離子源可以在無燈絲的情況下提供高密度離子流.從離子流中提取的離子束能夠被精確的控制以便提供設(shè)定的形狀,電流密度以及離子能。有柵極離子源 KDC KDC 系列離子源離子槍是根據(jù)典型的考夫曼離子源加強(qiáng)設(shè)計(jì)的。傳統(tǒng)的離子源工藝使其能夠輸出高質(zhì)、穩(wěn)定的離子束。電源與控制器 我們的電源與控制器操作不同種類的離子、等離子以及電子源。這些產(chǎn)品能夠?yàn)榈入x子流程中的動(dòng)荷作用輸出平穩(wěn)、連續(xù)的電源。電子源與離子源離子槍中和器 這些電子源低能量、高電流源。它們一般應(yīng)用于中和劑或陰極材料，以便控制離子源與等離子源的產(chǎn)量。PTIBEAMTM 離子透鏡 我們的離子束源采用耐融金屬或石墨的多孔徑網(wǎng)格。這些網(wǎng)格或是平的，或是中凹的，它們與多孔模式一同控制離子軌跡。離子軌跡的聚集產(chǎn)生了離子束，離子電流的分布塑造了該離子束的形狀特征。KRI 考夫曼離子源 EH1010F , EH1020F …系列廣泛用于鍍膜之前處理 (ISSP) 及離子輔助鍍膜 (IBAD)且有助于提高光學(xué)成膜之沉淀速率, 附著度, 可靠度, 增加折射率, 穿透率等. KRI 考夫曼離子源整體設(shè)計(jì)低耗材, 安裝簡(jiǎn)易, 維護(hù)簡(jiǎn)單廣泛應(yīng)用在生產(chǎn)企業(yè)和科研單位KRI 考夫曼離子源 EH1010F, EH1020F, EH3050F, EH5050F…系列, 目前被廣泛應(yīng)用于 AR, IR, 分光鏡, 光學(xué)蒸鍍鍍膜制程, 多層膜光學(xué)鍍膜制程, 低溫度膜制, PVD 制程, 材料分析等等… KRI 考夫曼離子源 EH1020F 蒸鍍制程設(shè)備應(yīng)用 伯東公司主要經(jīng)營(yíng)產(chǎn)品德國(guó) Pfeiffer渦輪分子泵, 干式真空泵, 羅茨真空泵, 旋片真空泵; 應(yīng)用于各種條件下的真空測(cè)量(真空計(jì), 真空規(guī)管);氦質(zhì)譜檢漏儀；質(zhì)譜分析儀；真空系統(tǒng)以及 Cryopump 冷凝泵/低溫泵, HVA 真空閥門, Polycold 冷凍機(jī)和美國(guó)KRIKaufman 考夫曼離子源離子槍 若您需要進(jìn)一步的了解詳細(xì)信息，請(qǐng)與我們聯(lián)系：www.hakuto-vacuum.cn TEL： 86 (021) 50463511轉(zhuǎn)106 FAX： 86 (021) 50461490 Email: ec@hakuto-vacuum.cn

品牌： 英國(guó)Quorum 型號(hào)： Ｋ1050Ｘ 產(chǎn)地：英國(guó) 供應(yīng)商：南京覃思科技有限公司

K1050X等離子處理單元由固態(tài)射頻發(fā)生器結(jié)合調(diào)諧電路組成，同時(shí)兩種處理氣體流量針閥監(jiān)控，全部或部分通氣口控制。 它的腔室為圓柱形，樣品裝載為抽屜式抽拉系統(tǒng)，方便使用。 真空系統(tǒng)為旋轉(zhuǎn)機(jī)械泵或可選用膜片泵作為前級(jí)真空的渦輪分子泵。 在真空裝載端口及SEM/TEM中特殊的清潔應(yīng)用時(shí)，可方便更換抽屜式抽拉系統(tǒng)。 此系統(tǒng)通常使用氧及氬的混合氣體，氧去除有機(jī)物質(zhì)（碳?xì)浠衔铮瑲鍖?duì)樣品表面進(jìn)行刻蝕。

離子束刻蝕系統(tǒng) 儀器網(wǎng)離子束刻蝕系統(tǒng)產(chǎn)品導(dǎo)購(gòu)專場(chǎng)為您提供離子束刻蝕系統(tǒng)功能原理、規(guī)格型號(hào)、性能參數(shù)、產(chǎn)品價(jià)格、詳細(xì)產(chǎn)品圖片以及廠商聯(lián)系方式等實(shí)用信息，您可以通過設(shè)置不同查詢條件，選擇滿足您實(shí)際需求的離子束刻蝕系統(tǒng)產(chǎn)品，同時(shí)離子束刻蝕系統(tǒng)產(chǎn)品導(dǎo)購(gòu)專場(chǎng)還為您提供精品優(yōu)選離子束刻蝕系統(tǒng)產(chǎn)品和離子束刻蝕系統(tǒng)相關(guān)技術(shù)資料、解決方案、招標(biāo)采購(gòu)等綜合信息。