KRI 離子源應(yīng)用
上海伯東代理美國 KRI 考夫曼離子源主要應(yīng)用于真空環(huán)境下的離子束輔助沉積, 納米級的干式蝕刻和表面改性.

 Ion Beam Modification of Material Surface Properties 離子束材料和表面改性
 - Surface polishing or smoothing 表面拋光
 - Surface nano structures and texturing 改變納米結(jié)構(gòu)和紋理
 - Ion figuring and enhancement 離子刻蝕成形
 - Ion trimming and tuning 離子表面優(yōu)化
 - Surface activated bonding

 Ion Beam Etching 離子蝕刻
 - Reactive Ion Beam Etching 反應(yīng)離子蝕刻
 - Chemically Assisted Ion Beam Etching 化學(xué)輔助離子蝕刻

 Ion Beam Sputter Deposition 磁控濺射輔助沉積
 - Reactive Ion Beam Sputter Deposition 反應(yīng)離子磁控濺射沉積
 - Biased Target Ion Beam Sputter Deposition 偏壓離子束磁控濺射

 Direct Deposition 直接沉積
 - Hard and functional coatings 硬質(zhì)和功能膜

作為一種新興的材料加工技術(shù), 美國 KRI 考夫曼離子源憑借出色的技術(shù)性能, 協(xié)助客戶獲得理想的薄膜和材料表面性能. 行業(yè)涉及精密光學(xué), 半導(dǎo)體制造, 傳感器, 醫(yī)學(xué)等多個(gè)領(lǐng)域.