硅片清洗作為制作光伏電池和集成電路的基礎(chǔ)，非常重要，清洗的效果直接影響到光伏電池和集成電路最終的性能、效率和穩(wěn)定性。

清洗硅片不僅要除去硅片表面的雜質(zhì)而且要使硅片表面鈍化，從而減小硅片表面的吸附能力。高規(guī)格的硅晶片對表面的潔凈度要求非常嚴格，理論上不允許存在任何顆粒、金屬離子、有機粘附、水汽、氧化層，而且硅片表面要求具有原子級的平整度，硅片邊緣的懸掛鍵以結(jié)氫終止。目前，由于硅片清洗技術(shù)的缺陷，大規(guī)模集成電路中

因為硅材的潔凈度不夠而產(chǎn)生問題甚至失效的比例達到50%，因此優(yōu)化硅片的清洗工藝極其必要。

那么硅片能不能用干冰清洗呢?

當(dāng)溫度超過31.1℃、壓強達到7.38MPa時，CO2處于超臨界狀態(tài)，可以實現(xiàn)氣態(tài)和固態(tài)的相互轉(zhuǎn)換。CO2從鋼瓶中通過噴嘴驟然噴出，壓力下降、體積極速膨脹，發(fā)生了CO2的等焓值變化，氣液混合的CO2生成固態(tài)干冰微粒，從而實現(xiàn)清洗硅片。干冰微粒去除顆粒和有機物雜質(zhì)的機理不同。

去除顆粒雜質(zhì)時，干冰顆粒與顆粒雜質(zhì)發(fā)生彈性碰撞，產(chǎn)生動量轉(zhuǎn)移，顆粒雜質(zhì)被粉碎，隨高速氣流被帶走。去除有機物雜質(zhì)時，干冰顆粒與有機物發(fā)生非彈性碰撞，干冰顆粒液化包裹有機物脫離硅片表面，然后固化被高速氣流帶走。XGuo等人提出了一種新型干冰微粒噴射清洗技術(shù)，采用純度為5N、壓強為8MPa的CO2氣體源、噴嘴前壓強11MPa的清洗參數(shù)，最后得到了很好的清洗效果。

采用干冰微粒清洗技術(shù)對硅片進行清洗效果十分理想，而且對硅片表面無損害，不會污染環(huán)境，是一種理想的清洗技術(shù)。

菲爾格林，公司基于互聯(lián)網(wǎng)+的數(shù)據(jù)調(diào)查和高新技術(shù)支撐之下，建立了一條幾近完善的干冰產(chǎn)業(yè)鏈，從干冰清洗設(shè)備的設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)與銷售，到多種規(guī)格的工業(yè)及食品應(yīng)用干冰都有提供。

公司一直專注于解決傳統(tǒng)清洗給廣大客戶帶來的煩惱，從前期的成果驗證、成本分析，到最后的產(chǎn)品供應(yīng)、技術(shù)指導(dǎo)和培訓(xùn)，一體化的服務(wù)讓客戶的選擇更放心。隨著環(huán)保意識的加強，未來中小型企業(yè)也會是我們的消費群體，注重細節(jié)，服務(wù)網(wǎng)絡(luò)覆蓋面大、快速響應(yīng)是我們的優(yōu)勢。