(版權(quán)由上海光學(xué)儀器廠所有, 未經(jīng)允許禁止復(fù)制,轉(zhuǎn)載注明我廠網(wǎng)址http://www.sgaaa.com)

以金相顯微鏡觀察單晶LED元件的靜電實(shí)驗(yàn)

單晶LED元件的靜電實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析

同樣的傳統(tǒng)低功率子彈型LED(Lamp LED)，食人魚型LED(Piranha LED)，
經(jīng)過靜電放電測(cè)試后的LED單晶已被破壞，直接影響原有的靜電耐受度而大幅衰減
及較難偵測(cè)出來的包含晶粒、封裝體、金線、支架等的內(nèi)部構(gòu)造，

所以根據(jù)靜電放電帶給LED Chip 所形成的瑕疵分析利用金相顯微鏡深入觀測(cè)探究，
先對(duì)還未執(zhí)行實(shí)驗(yàn)的靜電放電測(cè)試的子彈型LED(Lamp LED)輸入電流20mA 點(diǎn)亮量測(cè)IV curve
，進(jìn)行環(huán)氧樹脂(Epoxy)打磨后正面分析

LED 溶解環(huán)氧樹脂(Epoxy)后結(jié)構(gòu)無異狀，LED 溶解環(huán)氧樹脂(Epoxy)后可正常點(diǎn)亮，
另對(duì)經(jīng)過靜電放電實(shí)驗(yàn)后進(jìn)行檢測(cè)溶解環(huán)氧樹脂(Epoxy)前LED外觀未發(fā)現(xiàn)有不良現(xiàn)象，
打磨后觀察正常，環(huán)氧樹脂(Epoxy)溶解后正面觀察均為良好，

側(cè)面觀察良好，晶片放大觀察，發(fā)現(xiàn)有擊傷現(xiàn)象，將晶片局部放大觀察，然而對(duì)食人魚型LED 靜電放
電實(shí)驗(yàn)進(jìn)行量測(cè)有漏電之IV 特性曲線，
將失效晶片以金相顯微鏡觀察靜電放電(ESD)破壞而產(chǎn)生得焦黑現(xiàn)象，

針對(duì)逆向電流偏高使用雷射光束電阻異常檢驗(yàn)儀(OBIRCH)分析漏電路徑發(fā)現(xiàn)綠色光點(diǎn)為漏電位置針對(duì)綠色光點(diǎn)
為漏電位置使用掃描式電子顯微鏡(SEM)儀器確認(rèn)電極處有靜電造成破壞