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高解析電子顯微鏡能解析約0.1 nm

高解析穿透式電子顯微鏡能解析約0.1 nm 原子級的晶體結(jié)構(gòu)和缺陷。為了能夠徹底了解這樣
微小的結(jié)構(gòu)，先考慮硅的單位晶胞的晶格常數(shù)大約為0.543 nm，
大約為高解析穿透式電子顯微鏡所能提供之分辨率的5 倍

掃描探針顯微鏡
掃描穿隧顯微鏡（STM）和原子力顯微鏡（AFM）。
原子尺寸的表面形貌圖形 。
掃描穿隧顯微鏡是一個非常尖銳的尖角。
傳統(tǒng)上是由金屬，如鎢、鎳、鉑-銦，或金來制造，最近發(fā)展也出了碳納米管

穿透式電子顯微鏡
穿透式電子顯微鏡中的電子束是將鎢絲的頂部加熱后發(fā)散，
產(chǎn)生加速電壓（通常是從100 到300 kV）
電磁線圈用于凝結(jié)電子束，然后穿透放于樣品區(qū)的薄樣。
晶體中原子排列的差異將導(dǎo)致電子散射