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STM與AFM有何不同之處-電子顯微鏡技術簡介

掃瞄式探針顯微鏡 (Scanning Probe Microscope, SPM)
近年來隨著科技的快速發(fā)展，各類產品皆有朝向微小化發(fā)展的趨
勢，而顯微技術的發(fā)展無疑的是引領科技產品朝向微小化進展的重要
關鍵，
因此在 1981 年在蘇黎世 IBM 公司的兩名研究員 G. Binnig 與H. Rohrer

利用新的顯微概念成功的制造出第一臺探針掃瞄式顯微鏡

SPM即掃瞄式穿隧電流顯微鏡（Scanning Tunneling Microscope,STM），
此發(fā)明突破了光學顯微鏡及電子顯微鏡的限制，將顯微技術
帶入了一個新的時代，STM 是利用穿隧電流來成像的，因此樣品需具
有導電性方能測試。

為此 G. Binnig 與史丹佛大學的 Quate 在 1985 年研發(fā)出可測試非導體物質
之原子力顯微鏡（ Atomic Force Microscope, AFM），

AFM 與 STM最大的不同是：
其表面成像原理是藉由探針與樣品間微?。s為數(shù)個 Nano newtons）
的原子力會因樣品與探針間距離不同而有異來成像的。

雖然 STM 與 AFM 可測得樣品表面型態(tài)至原子層次的解析度，但無法得知樣品的表面物理性質，
因而科學家經由改良探針種類及成像原理陸續(xù)發(fā)展出一系列測試物質
表面物性的掃瞄式探針顯微技術，使得 SPM 的應用更加擴大，

特別是因應現(xiàn)階段奈米科技的發(fā)展，SPM 技術更是研究奈米材料的重要工具
之一。而本實驗所使用到的 CITS (Current Image Tunneling Spectroscopy, CITS )
技術是由 AFM 衍生出來的，它可量測材料表面
電阻的電流影像穿隧圖譜(CITS)，進而得知導電樣品表面之導電均勻度