集成電路的檢驗(yàn)用立體顯微鏡-樣品的制備特點(diǎn)

供顯微鏡檢驗(yàn)用的半導(dǎo)體材料和器件的試樣的準(zhǔn)備過程。

  （顯微鏡和攝影裝置。）準(zhǔn)備過程又細(xì)分為兩部分。一部分是關(guān)于
獲得供觀察的正確表面的技巧，另一部分是關(guān)于使所需要的細(xì)節(jié)變?yōu)榭?br>見的腐蝕、染色和綴飾處理。

  還有許多其它方法，這些方法是利用電導(dǎo)率與磁感應(yīng)強(qiáng)度特性來測
量金屬薄膜厚度的。大部分方法適用于具有很大橫向擴(kuò)展的較厚薄膜。

  同時，也有使用電子背散射法和x 射線熒光法的。后者不需要依靠
金屬的特性，但將它用于重元素時效果好，故

  一般適用于金屬薄膜。x 射線探針法能在非常小的區(qū)域進(jìn)行測量，
光束直徑能夠小到只有幾微米，其靈敏程度可用來估計(jì)在100 埃范圍內(nèi)
Ni/Cr 薄膜的厚度。

  在晶體管和集成電路的檢驗(yàn)工作中，截取的作用是顯露表面以下的
區(qū)域，使金屬交界面呈現(xiàn)出來，能夠染色或腐蝕，以確定p-n 結(jié)或不同
的晶體完整性的區(qū)域。

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